ICP Etch-drager

Korte beschrijving:

Plaats van herkomst:China

Kristalstructuur:FCCβ-fase

Dikte:3,21 g/cm³;

Hardheid:2500 Vickers;

Korrelgrootte:2~10μm;

Chemische zuiverheid:99,99995%;

Warmtecapaciteit:640J·kg-1·K-1;

Sublimatietemperatuur:2700℃;

Felexurale sterkte:415 Mpa (RT 4-punts);

Young's modulus:430 Gpa (4pt bocht, 1300℃);

Thermische uitzetting (CTE):4,5 10-6K-1;

Thermische geleidbaarheid:300（W/MK）;

Stuur ons een e-mail Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

Productomschrijving

Ons bedrijf biedt SiC-coatingprocesdiensten aan via de CVD-methode op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen. Hierbij reageren speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperaturen om SiC-moleculen met een hoge zuiverheid te verkrijgen. Deze moleculen worden afgezet op het oppervlak van de gecoate materialen en vormen een beschermlaag van SIC.

Belangrijkste kenmerken:

1. Hoge temperatuur oxidatiebestendigheid:

de oxidatiebestendigheid is nog steeds zeer goed, zelfs bij temperaturen tot 1600 C.

2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder hogetemperatuurchloreringsomstandigheden.

3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.

4. Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	μm	2~10
Chemische zuiverheid	%	99,99995
Warmtecapaciteit	J · kg-1 · K-1	640
Sublimatietemperatuur	℃	2700
Felexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's modulus	GPA (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300