ICP Etch tashuvchisi

ICP Etch Carrier tomonidan taqdim etilgan rasm

Qisqacha tavsif:

Kelib chiqish joyi:Xitoy

Kristall tuzilishi:FCCβ fazasi

Zichlik:3,21 g/sm3;

Qattiqlik:2500 Vickers;

Don hajmi:2~10 μm;

Kimyoviy tozalik:99.99995%;

Issiqlik sig'imi:640J·kg-1·K-1;

Sublimatsiya harorati:2700℃;

Felexural kuch:415 Mpa (RT 4 ballli);

Young moduli:430 Gpa (4pt egilish, 1300℃);

Issiqlik kengayishi (TKK):4.5 10-6K-1;

Issiqlik o'tkazuvchanligi:300 (W/MK);

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot tafsiloti

Mahsulot teglari

Mahsulot tavsifi

Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bilan SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, natijada uglerod va kremniyni o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori tozalikdagi SiC molekulalarini, ya'ni qoplangan materiallar yuzasida to'plangan molekulalarni hosil qiladi va SIC himoya qatlamini hosil qiladi.

Asosiy xususiyatlar:

1. Yuqori haroratli oksidlanishga chidamlilik:

Oksidlanishga chidamlilik harorat 1600 C gacha yuqori bo'lganda ham juda yaxshi bo'ladi.

2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali tayyorlanadi.

3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, mayda zarrachalar.

4. Korroziyaga chidamlilik: kislota, ishqor, tuz va organik reagentlar.

CVD-SIC qoplamasining asosiy xususiyatlari

SiC-CVD xususiyatlari
Kristall tuzilishi	FCC β fazasi
Zichlik	g/sm³	3.21
Qattiqlik	Vickers qattiqligi	2500
Don hajmi	mkm	2~10
Kimyoviy tozalik	%	99.99995
Issiqlik sig'imi	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatsiya harorati	℃	2700
Fleksural kuch	MPa (RT 4 ballli)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt egilish, 1300℃)	430
Issiqlik kengayishi (CTE)	10-6K-1	4.5
Issiqlik o'tkazuvchanligi	(Vt/mK)	300