Носьбіт ICP Etch

Кароткае апісанне:

Месца паходжання:Кітай

Крышталічная структура:Фаза FCCβ

Шчыльнасць:3,21 г/см;

Цвёрдасць:2500 Вікерсаў;

Памер зерня:2~10 мкм;

Хімічная чысціня:99,99995%;

Цеплавая магутнасць:640 Дж·кг-1·К-1;

Тэмпература сублімацыі:2700℃;

Фелексуральная трываласць:415 МПа (4-кропкавы рэжым працы RT);

Модуль Юнга:430 ГПа (выгіб 4 пункта, 1300℃);

Цеплавое пашырэнне (КТР):4,5 10-6K-1;

Цеплаправоднасць:300 (Вт/МК);

Дашліце нам ліст Спампаваць у фармаце PDF

Падрабязнасці прадукту

Тэгі прадукту

Апісанне прадукту

Наша кампанія прадастаўляе паслугі па нанясенні пакрыццяў з карбіду крэмнію метадам хімічнага осаду (CVD) на паверхню графіту, керамікі і іншых матэрыялаў. У выніку гэтага спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, рэагуюць пры высокай тэмпературы, утвараючы малекулы карбіду крэмнію высокай чысціні. Гэтыя малекулы асядаюць на паверхні пакрытых матэрыялаў і ўтвараюць ахоўны пласт SIC.

Асноўныя характарыстыкі:

1. Устойлівасць да акіслення пры высокай тэмпературы:

Устойлівасць да акіслення застаецца вельмі добрай пры тэмпературы да 1600°C.

2. Высокая чысціня: вырабляецца метадам хімічнага асаджэння з паравой фазы пры высокай тэмпературы хларавання.

3. Устойлівасць да эрозіі: высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.

4. Устойлівасць да карозіі: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.

Асноўныя характарыстыкі пакрыцця CVD-SIC

Уласцівасці SiC пры CVD
Крышталічная структура	β-фаза FCC
Шчыльнасць	г/см³	3.21
Цвёрдасць	цвёрдасць па Вікерсу	2500
Памер зерня	мкм	2~10
Хімічная чысціня	%	99,99995
Цеплаёмістасць	Дж·кг-1 ·К-1	640
Тэмпература сублімацыі	℃	2700
Фелексуральная трываласць	МПа (4-кропкавы рэжым тэмпературы)	415
Модуль Юнга	Gpa (выгіб 4 пункта, 1300℃)	430
Цеплавое пашырэнне (КТР)	10-6K-1	4.5
Цеплаправоднасць	(Вт/мК)	300