ICP Etch Carrier

Tuairisgeul Goirid:

Àite Tùs:Sìona

Structar criostail:Ìre FCCβ

Dlùths:3.21 g/cm;

Cruas:2500 Vickers;

Meud Gràin:2 ~ 10μm;

Purrachd Cheimigeach:99.99995%;

Comas Teas:640J·kg-1·K-1;

Teòthachd Sublimation:2700℃;

Neart Felexural:415 Mpa (RT 4-Puing);

Modúl Young:430 Gpa (lùb 4pt, 1300℃);

Leudachadh Teirmeach (CTE):4.5 10-6K-1;

Seoltachd Teirmeach:300 (W/MK);

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Tuairisgeul an toraidh

Bidh a’ chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC leis an dòigh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil carbon agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC àrd-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC.

Prìomh fheartan:

1. Frith-aghaidh ocsaididh teòthachd àrd:

Tha an aghaidh oxidation fhathast glè mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh ceò ceimigeach fo chumha clòraineachaidh teòthachd àrd.

3. Frith-aghaidh creimeadh: cruas àrd, uachdar dlùth, mìrean mìne.

4. Frith-aghaidh creimeadh: searbhag, alcalan, salann agus ath-bheachdan organach.

Prìomh Shònrachaidhean Còmhdach CVD-SIC

Togalaichean SiC-CVD
Structar criostail	Ìre β FCC
Dlùths	g/cm³	3.21
Cruas	Cruas Vickers	2500
Meud Gràin	μm	2~10
Purrachd Cheimigeach	%	99.99995
Comas Teas	J·kg-1 ·K-1	640
Teòthachd Sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4-puing)	415
Modúl Young	Gpa (lùb 4pt, 1300℃)	430
Leudachadh Teirmeach (CTE)	10-6K-1	4.5
Seoltachd teirmeach	(W/mK)	300