आयसीपी एच कॅरियर

संक्षिप्त वर्णन:


  • मूळ ठिकाण:चीन
  • क्रिस्टल रचना:FCCβ टप्पा
  • घनता:३.२१ ग्रॅम/सेमी;
  • कडकपणा:२५०० विकर्स;
  • धान्याचा आकार :२~१०μm;
  • रासायनिक शुद्धता:९९.९९९९५%;
  • उष्णता क्षमता:६४०J·kg-१·K-१;
  • उदात्तीकरण तापमान :२७००℃;
  • फेलेक्सुरल स्ट्रेंथ :४१५ एमपीए (आरटी ४-पॉइंट);
  • यंगचे मापांक:४३० जीपीए (४ पॉइंट बेंड, १३००℃);
  • थर्मल एक्सपेंशन (CTE):४.५ १०-६ के-१;
  • औष्णिक चालकता:३०० (पाऊंड/एमके);
  • उत्पादन तपशील

    उत्पादन टॅग्ज

    उत्पादनाचे वर्णन

    आमची कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक आणि इतर पदार्थांच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, जेणेकरून कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर प्रतिक्रिया देऊन उच्च शुद्धता असलेले SiC रेणू मिळवतात, लेपित पदार्थांच्या पृष्ठभागावर जमा झालेले रेणू, SIC संरक्षणात्मक थर तयार करतात.

    मुख्य वैशिष्ट्ये:

    १. उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध:

    तापमान १६०० सेल्सिअस इतके जास्त असतानाही ऑक्सिडेशन प्रतिरोध खूप चांगला असतो.

    २. उच्च शुद्धता: उच्च तापमानाच्या क्लोरीनेशन स्थितीत रासायनिक बाष्प संचयनाद्वारे बनविलेले.

    ३. धूप प्रतिकार: उच्च कडकपणा, संक्षिप्त पृष्ठभाग, बारीक कण.

    ४. गंज प्रतिकार: आम्ल, अल्कली, मीठ आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

    CVD-SIC कोटिंगचे मुख्य तपशील

    SiC-CVD गुणधर्म

    क्रिस्टल रचना एफसीसी β टप्पा
    घनता ग्रॅम/सेमी ³ ३.२१
    कडकपणा विकर्स कडकपणा २५००
    धान्याचा आकार मायक्रॉन २~१०
    रासायनिक शुद्धता % ९९.९९९९५
    उष्णता क्षमता जे·किलो-१ ·के-१ ६४०
    उदात्तीकरण तापमान २७००
    फेलेक्सुरल स्ट्रेंथ MPa (RT ४-पॉइंट) ४१५
    यंगचे मापांक Gpa (४ पॉइंट बेंड, १३००℃) ४३०
    थर्मल एक्सपेंशन (CTE) १०-६के-१ ४.५
    औष्णिक चालकता (पाऊंड/मीके) ३००

    १ २ ३ ४ ५ ६ ७ ८ ९


  • मागील:
  • पुढे:

  • व्हॉट्सअॅप ऑनलाइन गप्पा!