ICP Etch Bartës

Imazh i Veçantë i Bartësit të Etch-it ICP

Përshkrim i shkurtër:

Vendi i origjinës:Kinë

Struktura kristalore:Faza FCCβ

Dendësia:3.21 g/cm;

Fortësia:2500 Vickers;

Madhësia e kokrrizave:2~10μm;

Pastërtia Kimike:99.99995%;

Kapaciteti i nxehtësisë:640J·kg-1·K-1;

Temperatura e sublimimit:2700℃;

Forca Fleksurale:415 Mpa (RT 4-Pika);

Moduli i Young-ut:430 Gpa (përkulje 4pt, 1300℃);

Zgjerimi Termik (CTE):4.5 10-6K-1;

Përçueshmëria termike:300 (W/MK);

Na dërgoni email Shkarko si PDF

Detajet e produktit

Etiketat e produkteve

Përshkrimi i Produktit

Kompania jonë ofron shërbime të procesit të veshjes me SiC me metodën CVD në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera, në mënyrë që gazra të veçantë që përmbajnë karbon dhe silic të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula SiC me pastërti të lartë, molekula të depozituara në sipërfaqen e materialeve të veshura, duke formuar shtresën mbrojtëse të SIC.

Karakteristikat kryesore:

1. Rezistencë ndaj oksidimit në temperaturë të lartë:

Rezistenca ndaj oksidimit është ende shumë e mirë kur temperatura është deri në 1600°C.

2. Pastërti e lartë: e bërë nga depozitimi kimik i avujve në kushte klorinimi në temperaturë të lartë.

3. Rezistencë ndaj erozionit: fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imëta.

4. Rezistenca ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.

Specifikimet kryesore të veshjes CVD-SIC

Vetitë SiC-CVD
Struktura e kristalit	Faza β e FCC
Dendësia	g/cm³	3.21
Fortësia	Fortësia e Vickers	2500
Madhësia e kokrrizave	μm	2~10
Pastërtia Kimike	%	99.99995
Kapaciteti i nxehtësisë	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura e sublimimit	℃	2700
Forca Flexurale	MPa (RT 4-pikëshe)	415
Moduli i Youngut	Gpa (përkulje 4pt, 1300℃)	430
Zgjerimi Termik (CTE)	10-6K-1	4.5
Përçueshmëria termike	(W/mK)	300