ICP ئويۇش توشۇغۇچىسى

ICP Etch Carrier نىڭ تەۋسىيە قىلىنغان رەسىمى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

كېلىپ چىققان ئورنى:جۇڭگو

كىرىستال قۇرۇلمىسى:FCCβ باسقۇچى

زىچلىقى:3.21 گرام/كم³؛

قاتتىقلىقى:2500 ۋىكېرس؛

دان چوڭلۇقى:2~10μm؛

خىمىيىلىك ساپلىق:99.99995%؛

ئىسسىقلىق سىغىمى:640J·kg-1·K-1؛

سۇبلىماتسىيە تېمپېراتۇرىسى:2700℃؛

فىلېكۇلا كۈچى:415 Mpa (RT 4 نومۇرلۇق)؛

ياڭنىڭ مودۇلى:430 Gpa (4pt ئېگىلىش، 1300℃)؛

ئىسسىقلىق كېڭىيىشى (CTE):4.5 10-6K-1؛

ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى:300 (W/MK)؛

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ PDF شەكلىدە چۈشۈرۈڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتلىرى

مەھسۇلات بەلگىلىرى

مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى

شىركىتىمىز گرافىت، كېرامىكا ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC قاپلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇنىڭ بىلەن كاربون ۋە كرېمنىي تەركىبلىك ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا رېئاكسىيە قىلىپ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ مولېكۇلالار قاپلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ، SIC قوغداش قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ.

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلىرى:

1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش:

تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغاندا، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ناھايىتى ياخشى بولىدۇ.

2. يۇقىرى ساپلىق: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىلورلاش شارائىتى ئاستىدا خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش ئارقىلىق ياسالغان.

3. ئېروزىيەگە قارشى تۇرۇش: يۇقىرى قاتتىقلىق، زىچ يۈزە، نېپىز زەررىچىلەر.

4. چىرىشكە چىداملىق: كىسلاتا، ئىشقار، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاگېنتلار.

CVD-SIC قاپلىمىسىنىڭ ئاساسلىق ئۆلچەملىرى

SiC-CVD خۇسۇسىيەتلىرى
كىرىستال قۇرۇلمىسى	FCC β باسقۇچى
زىچلىق	گ/كم³	3.21
قاتتىقلىق	ۋىكېرس قاتتىقلىقى	2500
دان چوڭلۇقى	μm	2~10
خىمىيىلىك ساپلىق	%	99.99995
ئىسسىقلىق سىغىمى	J·kg-1 ·K-1	640
سۇبلىماتسىيە تېمپېراتۇرىسى	℃	2700
فىلېكۇرال كۈچ	MPa (RT 4 نومۇرلۇق)	415
ياڭنىڭ مودۇلى	Gpa (4pt ئېگىلىش، 1300℃)	430
ئىسسىقلىق كېڭىيىشى (CTE)	10-6K-1	4.5
ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى	(W/mK)	300