ICP Etsdrager

Koarte beskriuwing:

Plak fan oarsprong:Sina

Kristalstruktuer:FCCβ-faze

Dichtheid:3,21 g/cm²;

Hurdens:2500 Vickers;

Nôtgrutte:2~10μm;

Gemyske suverens:99.99995%;

Waarmtekapasiteit:640J·kg-1·K-1;

Sublimaasjetemperatuer:2700 ℃;

Feleksurale sterkte:415 MPa (RT 4-punts);

Young's Modulus:430 Gpa (4pt bûging, 1300 ℃);

Termyske útwreiding (CTE):4.5 10-6K-1;

Termyske geliedingsfermogen:300 (W/MK);

Stjoer e-post nei ús Download as PDF

Produktdetail

Produktlabels

Produktbeskriuwing

Us bedriuw leveret SiC-coatingprosestsjinsten mei de CVD-metoade op it oerflak fan grafyt, keramyk en oare materialen, sadat spesjale gassen dy't koalstof en silisium befetsje by hege temperatuer reagearje om SiC-molekulen mei hege suverens te krijen, molekulen dy't op it oerflak fan 'e coated materialen ôfset wurde, en in beskermjende laach fan 'e SIC foarmje.

Wichtichste funksjes:

1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding:

de oksidaasjebestriding is noch altyd tige goed as de temperatuer sa heech is as 1600 C.

2. Hege suverens: makke troch gemyske dampôfsetting ûnder hege temperatuer chlorinaasjebetingst.

3. Eroazjebestriding: hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.

4. Korrosjebestriding: soer, alkali, sâlt en organyske reagentia.

Wichtigste spesifikaasjes fan CVD-SIC Coating

SiC-CVD Eigenskippen
Kristalstruktuer	FCC β-faze
Dichtheid	g/cm³	3.21
Hurdens	Vickers-hurdens	2500
Nôtgrutte	μm	2~10
Gemyske suverens	%	99.99995
Waarmtekapasiteit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaasjetemperatuer	℃	2700
Felexurale sterkte	MPa (RT 4-punt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bûging, 1300℃)	430
Termyske útwreiding (CTE)	10-6K-1	4.5
Termyske geliedingsfermogen	(W/mK)	300