Pembawa Etsa ICP

Penerangan Ringkas:

Tempat Asal:China

Struktur Kristal:Fasa FCCβ

Ketumpatan:3.21 g/cm³;

Kekerasan:2500 Vickers;

Saiz Bijirin:2~10μm;

Ketulenan Kimia:99.99995%;

Kapasiti Haba:640J·kg-1·K-1;

Suhu Pemejalwapan:2700℃;

Kekuatan Feleksural:415 Mpa (RT 4-Titik);

Modulus Young:430 PNGK (selekoh 4pt, 1300℃);

Pengembangan Terma (CTE):4.5 10-6K-1;

Kekonduksian Terma:300（W/MK）;

Hantar emel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Penerangan Produk

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang termendap pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

Rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.

2. Ketulenan tinggi: dihasilkan melalui pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: reagen asid, alkali, garam dan organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa β FCC
Ketumpatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz Bijirin	μm	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Pemejalwapan	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus Young	PNGK (selekoh 4pt, 1300℃)	430
Pengembangan Terma (CTE)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300