ICP Etch Daşaýjy

Gysga düşündiriş:

Gelip çykan ýeri:Hytaý

Kristal gurluşy:FCCβ tapgyry

Dykyzlygy:3,21 g / sm;

Gatylygy:2500 Wikers;

Galla ölçegi:2 ~ 10μm;

Himiki arassalygy:99.99995%;

Atylylyk kuwwaty:640J · kg-1 · K-1;

Sublimasiýa temperaturasy:2700 ℃;

Felexural güýç:415 Mpa (RT 4 nokat);

Youngaş modul:430 Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃);

Malylylyk giňelişi (CTE):4.5 10-6K-1;

Malylylyk geçirijiligi:300 （W / MK）;

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önümiň beýany

Kompaniýamyz, grafit, keramika we beýleki materiallaryň üstünde CVD usuly bilen SiC örtük hyzmatlaryny hödürleýär, ýokary uglerod we kremnini öz içine alýan ýörite gazlar ýokary arassa SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň üstünde goýlan molekulalary almak üçin ýokary temperaturada täsir edip, SIC gorag gatlagyny emele getirýär.

Esasy aýratynlyklary:

1. temperatureokary temperaturaly okislenme garşylygy:

oksidlenme garşylygy, temperatura 1600 C-e ýetende gaty gowy.

2. Highokary arassalygy: ýokary temperaturaly hlorlaşma şertinde himiki buglaryň çökmegi bilen öndürilýär.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýer, inçe bölejikler.

4. Poslama garşylyk: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD häsiýetleri
Kristal gurluş	FCC β tapgyry
Dykyzlygy	g / sm ³	3.21
Gatylyk	Wikers gatylygy	2500
Galla ölçegi	μm	2 ~ 10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Atylylyk kuwwaty	J · kg-1 · K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Felexural güýç	MPa (RT 4 bal)	415
Youngaş modul	Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃)	430
Malylylyk giňelişi (CTE)	10-6K-1	4.5
Malylylyk geçirijiligi	(W / mK)	300