Transportador de gravação ICP

Descrição curta:

Local de origem:China

Estrutura cristalina:Fase FCCβ

Densidade:3,21 g/cm;

Dureza:2500 Vickers;

Tamanho do grão:2~10μm;

Pureza Química:99,99995%;

Capacidade de calor:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimação:2700℃;

Resistência Flexural:415 Mpa (RT 4 pontos);

Módulo de Young:430 Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300℃);

Expansão Térmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Condutividade térmica:300 (W/MK);

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Detalhes do produto

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Descrição do produto

Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, de modo que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SIC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.

2. Alta pureza: feito por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades do SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β da FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99,99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	°C	2700
Força Flexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	GPA (curvatura de 4 pontos, 1300℃)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300