ICP офорт ташучы

Кыскача тасвирлама:

Чыгыш урыны:Кытай

Кристалл структурасы:FCCβ фазасы

Тыгызлык:3,21 г/см³;

Катылык:2500 Викерс;

Бөртек зурлыгы:2~10 мкм;

Химик сафлык:99.99995%;

Җылылык сыйдырышлыгы:640 Дж·кг-1·К-1;

Сублимация температурасы:2700℃;

Итек көче:415 МПа (RT 4-Point);

Янг модуле:430 ГПа (4 пт бөкләнү, 1300℃);

Җылылык киңәюе (ҖКК):4.5 10-6K-1;

Җылылык үткәрүчәнлеге:300 (W/MK);

Безгә электрон почта җибәрегез PDF рәвешендә йөкләү

Продукт детальләре

Продукт теглары

Продукция тасвирламасы

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өслегендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шуның белән углерод һәм кремнийлы махсус газлар югары температурада реакциягә кереп, югары сафлыклы SiC молекулаларын, капланган материаллар өслегенә урнаштырылган молекулаларны, SIC саклагыч катламын барлыкка китерә.

Төп үзенчәлекләр:

1. Югары температуралы оксидлашуга чыдамлылык:

оксидлашуга каршы торучанлык температура 1600°C кадәр югары булганда да бик яхшы кала.

2. Югары сафлык: югары температуралы хлорлау шартларында химик пар белән эшкәртү юлы белән ясалган.

3. Эрозиягә чыдамлык: югары катылык, тыгыз өслек, вак кисәкчәләр.

4. Коррозиягә чыдамлык: кислота, селте, тоз һәм органик реагентлар.

CVD-SIC каплавының төп спецификацияләре

SiC-CVD үзенчәлекләре
Кристалл структурасы	FCC β фазасы
Тыгызлык	г/см³	3.21
Катылык	Виккерс катылыгы	2500
Бөртек зурлыгы	мкм	2~10
Химик сафлык	%	99.99995
Җылылык сыйдырышлыгы	J·kg-1 ·K-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Итек көче	МПа (RT 4 балл)	415
Янг модуле	Gpa (4pt бөкләнү, 1300℃)	430
Җылылык киңәюе (ҖКК)	10-6K-1	4.5
җылылык үткәрүчәнлеге	(Вт/мК)	300