ICP Etch Carrier

Кыска тасвирлау:

Чыгыш урыны:Китай

Бәллүр структурасы:FCCβ фазасы

Тыгызлыгы:3,21 г / см;

Каты:2500 Викерс;

Ашлык күләме:2 ~ 10μм;

Химик чисталык:99,99995%;

Atылылык сыйдырышлыгы:640J · кг-1 · К-1;

Сублимация температурасы:2700 ℃;

Флексур көч:415 Мпа (ТР 4-пункт);

Яшьләр модуле:430 Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃);

Rылылык киңәюе (CTE):4.5 10-6К-1;

Rылылык үткәрүчәнлеге:300 （W / MK）;

Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Продукция тасвирламасы

Безнең компания графит, керамика һәм башка материаллар өслегендә CVD ысулы белән SiC каплау процессы хезмәтләрен күрсәтә, шулай итеп углерод һәм кремний булган махсус газлар югары температурада реакция ясыйлар, югары чисталык SiC молекулалары, капланган материаллар өслегендә урнашкан молекулалар, SIC саклагыч катламы ясыйлар.

Төп үзенчәлекләр:

1. temperatureгары температураның оксидлашу каршылыгы:

температура 1600 С булганда, оксидлашуга каршы тору бик яхшы.

2. Purгары чисталык: химик парларны югары температурада хлорлаштыру шартларында ясыйлар.

3. Эрозиягә каршы тору: югары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.

4. Коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.

CVD-SIC каплауның төп үзенчәлекләре

SiC-CVD үзенчәлекләре
Бәллүр структурасы	FCC β фаза
Тыгызлыгы	г / см ³	3.21
Катылык	Викерс каты	2500
Ашлык күләме	μm	2 ~ 10
Химик чисталык	%	99.99995
Atылылык сыйдырышлыгы	J · кг-1 · К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Флексур көч	MPa (ТР 4 балл)	415
Яшь модуль	Gpa (4pt бөкләнү, 1300 ℃)	430
Rылылык киңәюе (CTE)	10-6К-1	4.5
Rылылык үткәрүчәнлеге	(W / mK)	300