Supports de plaquettes en graphite pour dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) avec revêtement SiC, suscepteurs en graphite pour épitaxie SiC

Supports de plaquettes en graphite recouverts de SiC pour MOCVD, suscepteurs en graphite pour épitaxie de SiC (image mise en avant)

Description courte :

Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté et d'une résistance aux atmosphères oxydantes supérieures. Le SiC, déposé par CVD ou CVI, est appliqué sur le graphite de pièces de conception simple ou complexe. Ce revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

Lieu d'origine :Zhejiang, Chine (continentale)

Numéro de modèle :Numéro de modèle :

Composition chimique :graphite recouvert de SiC

Résistance à la flexion :470 MPa

Conductivité thermique :300 W/mK

Qualité:Parfait

Fonction:CVD-SiC

Application:Semiconducteur / Photovoltaïque

Densité:3,21 g/cm³

Dilatation thermique :4 10-6/K

Cendre: <5 ppm

Échantillon:Disponible

Code SH :6903100000

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Supports de plaquettes MOCVD en graphite revêtus de SiC, suscepteurs en graphite pourÉpitaxie de SiC,
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Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages spécifiques, notamment une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils offrent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

Suscepteur MOCVD revêtu de SiC

Caractéristiques:
• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Excellente résistance aux chocs physiques
• Excellente résistance chimique
· Pureté extrêmement élevée
· Disponible sous forme complexe
Utilisable sous atmosphère oxydante

Application:

Propriétés typiques du graphite de base :

Densité apparente :	1,85 g/cm3
Résistivité électrique :	11 μΩm
Résistance à la flexion :	49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureté Shore :	58
Cendre:	<5 ppm
Conductivité thermique :	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Les sources de carbone sont des suscepteursNous fournissons des composants en graphite pour tous les réacteurs d'épitaxie actuels. Notre gamme comprend des suscepteurs cylindriques pour les unités d'épitaxie appliquée et LPE, des suscepteurs plats pour les unités LPE, CSD et Gemini, ainsi que des suscepteurs monocouches pour les unités d'épitaxie appliquée et ASM. Grâce à des partenariats solides avec les principaux équipementiers, à notre expertise des matériaux et à notre savoir-faire en matière de fabrication, SGL vous propose la solution optimale pour votre application.