apo kipi i uhi ia TaC

Hoʻokumu ʻo VET Energy i ka R&D a me ka hana ʻana i nā apo graphite i uhi ʻia ʻo CVD tantalum carbide (TaC) kiʻekiʻe, a ua kūpaʻa ʻo ia i ka hāʻawi ʻana i nā mea hoʻohana pono no ka semiconductor, photovoltaic a me nā ʻoihana wela. Hoʻokumu ʻia kā mākou ʻenehana chemical vapor deposition (CVD) i ka uhi ʻana o ka tantalum carbide ma luna o ka ʻili o ka substrate graphite ma o nā kaʻina hana pololei, e hoʻomaikaʻi nui ana i ke kūpaʻa wela kiʻekiʻe o ka huahana (> 3000 ℃), ke kū ʻana o ka corrosion a me ke kūpaʻa haʻalulu wela, hoʻonui i ke ola lawelawe ma mua o 3 mau manawa, a me ka hoʻemi ʻana i nā kumu kūʻai.

ʻO kā mākou pono ʻenehana:
1. Kiʻekiʻe wela oxidation kū'ē
I loko o ka lewa ea o 1200 ℃, ʻo ≤0.05mg/cm²/h ka nui o ke kaumaha o ka oxidation, ʻoi aku ia ma mua o 3 mau manawa o ke ola kūʻē o ka oxidation o ka graphite maʻamau, a kūpono ia no nā kūlana hoʻomehana wela-hoʻomaha kiʻekiʻe.
2. Ke kū'ē i ka silikoni hoʻoheheʻe / metala corrosion
ʻAʻole paʻa loa ka uhi ʻana o TaC i nā metala e like me ke silikoni wai (1600 ℃), alumini hoʻoheheʻe / keleawe, a me nā mea ʻē aʻe, e pale ana i ka hemahema o ka hana ʻana o nā apo alakaʻi kuʻuna ma muli o ke komo ʻana o ka metala, kūpono loa no ka mana semiconductor a me ke kolu o ka hanauna semiconductor hana.
3. Ultra-haʻahaʻa kino contamination
Loaʻa i ke kaʻina hana CVD ka nui o ka uhi ʻana o> 99.5% a me ka ʻili ʻili o Ra≤0.2μm, e hōʻemi ana i ka hopena o ka hoʻokahe ʻana mai ke kumu a me ka hoʻokō ʻana i nā koi hoʻomaʻemaʻe maʻemaʻe o 12-inch wafer manufacturin.
4. Ka mana nui pololei
Ke hoʻohana nei i ka CNC precision machining, ʻo ka nui o ka hoʻomanawanui ʻana o ka substrate graphite he ± 0.01mm, a ʻo ka deformation holoʻokoʻa ma hope o ka uhi ʻana he <± 5μm, kahi kūpono no ka hoʻokomo ʻana i nā keʻena lako kiʻekiʻe.