ʻO ka mea hoʻopaʻa wafer me ka uhi ʻana o TaC no G5 G10

Ua hoʻolālā kūʻokoʻa ʻia ka CVD tantalum carbide (TaC) coating wafer susceptor a VET Energy no nā kūlana hana koʻikoʻi e like me ka hana semiconductor, ka ulu ʻana o ka wafer epitaxial LED (MOCVD), ka umu ulu kristal, ka mālama wela vacuum wela kiʻekiʻe, a me nā mea ʻē aʻe. Ma o ka ʻenehana hoʻokaʻawale vapor chemical (CVD), ua hoʻokumu ʻia kahi uhi tantalum carbide mānoanoa a like ma luna o ka ʻili o ka substrate graphite, e hāʻawi ana i ka pā i ke kūpaʻa wela kiʻekiʻe loa (>3000 ℃), ke kū'ē i ka palaho metala heheʻe, ke kū'ē ʻana i ka haʻalulu wela a me nā ʻano haumia haʻahaʻa, e hoʻolōʻihi nui ana i ke ola lawelawe.

ʻO kā mākou mau pono loea:
1. Paʻa wela kiʻekiʻe loa.
3880°C Heheʻe Kiko: Hiki i ka uhi ʻana o ka Tantalum carbide ke hana mau a paʻa ma luna o 2500°C, ʻoi aku ka nui ma mua o ka mahana decomposition 1200-1400°C o nā uhi silicon carbide (SiC) maʻamau.
Ke kū'ē ʻana i ka haʻalulu wela: Hoʻohālikelike ke koina hoʻonui wela o ka uhi me ke koina graphite (6.6 × 10 -6 /K), a hiki ke kū i nā pōʻaiapuni piʻi wikiwiki a me ka hāʻule ʻana o ka mahana me ka ʻokoʻa o ka mahana ma mua o 1000 °C e pale aku ai i ka nahā ʻana a i ʻole ka hāʻule ʻana.
Nā waiwai mechanical wela kiʻekiʻe: Hiki ka paʻakikī o ka uhi ʻana i 2000 HK (paʻakikī Vickers) a ʻo ka modulus elastic he 537 GPa, a mālama mau ia i ka ikaika kūkulu maikaʻi loa i nā mahana kiʻekiʻe.

2. Kūpaʻa loa i ka pala e hōʻoia i ka maʻemaʻe o ke kaʻina hana
Ke kūpaʻa maikaʻi loa: He kūpaʻa maikaʻi loa ia i nā kinoea ʻino e like me H₂, NH₃, SiH₄, HCl a me nā metala hoʻoheheʻe ʻia (e like me Si, Ga), hoʻokaʻawale loa i ka substrate graphite mai ke kaiapuni reactive a pale i ka haumia kalapona.
Ka neʻe ʻana o ka haumia haʻahaʻa: ka maʻemaʻe kiʻekiʻe loa, kāohi pono i ka neʻe ʻana o ka naikokene, oxygen a me nā mea haumia ʻē aʻe i ka papa kristal a i ʻole ka epitaxial, e hōʻemi ana i ka helu kīnā o nā microtubes ma mua o 50%.

3. ʻO ka pololei o ka pae nano e hoʻomaikaʻi i ke kūlike o ke kaʻina hana
ʻO ke ʻano like o ka uhi ʻana: ka hoʻomanawanui mānoanoa ≤ ± 5%, hiki ka palahalaha o ka ʻili i ka pae nanometer, e hōʻoiaʻiʻo ana i ke kūlike kiʻekiʻe o nā ʻano ulu wafer a i ʻole kristal, hewa like ʻole thermal <1%.
Pololei o ke ana: kākoʻo i ka hoʻopilikino ʻana o ka ±0.05mm, hoʻololi i nā wafers 4-'īniha a i 12-'īniha, a hoʻokō i nā pono o nā pilina lako kiʻekiʻe.

4. Lōʻihi a paʻa hoʻi, e hōʻemi ana i nā kumukūʻai holoʻokoʻa
Ikaika hoʻopaʻa: ʻO ka ikaika hoʻopaʻa ma waena o ka uhi ʻana a me ka substrate graphite he ≥5 MPa, kū i ka ʻino a me ke komo ʻana, a ua hoʻolōʻihi ʻia ke ola lawelawe ma mua o 3 mau manawa.

Hoʻohālikelike Mīkini
He kūpono no nā lako ulu epitaxial a me ke kristal e like me CVD, MOCVD, ALD, LPE, a me nā mea ʻē aʻe, e uhi ana i ka ulu ʻana o ke kristal SiC (ʻano PVT), GaN epitaxy, ka hoʻomākaukau ʻana o ka substrate AlN a me nā hiʻohiʻona ʻē aʻe.
Hāʻawi mākou i nā ʻano hoʻopili like ʻole e like me ka pālahalaha, concave, convex, a pēlā aku. Hiki ke hoʻololi ʻia ka mānoanoa (5-50mm) a me ka hoʻonohonoho ʻana o ka lua e like me ke ʻano o ka lua e hoʻokō ai i ka Hoʻohālikelike maʻalahi me nā lako.

Nā noi nui:
Ka ulu ʻana o ke kristal SiC: Ma ke ʻano PVT, hiki i ka uhi ke hoʻonui i ka hoʻolaha ʻana o ke kahua wela, hōʻemi i nā hemahema lihi, a hoʻonui i ka wahi ulu kūpono o ke kristal i ʻoi aku ma mua o 95%.
GaN epitaxy: Ma ke kaʻina hana MOCVD, ʻo ka hewa o ka susceptor thermal uniformity he <1%, a ʻo ke kūlike o ka mānoanoa o ka papa epitaxial e hiki i ka ± 2%.
Hoʻomākaukau ʻana i ka substrate AlN: I ka hopena amination wela kiʻekiʻe (>2000°C), hiki i ka uhi TaC ke hoʻokaʻawale loa i ka substrate graphite, pale i ka haumia kalapona, a hoʻomaikaʻi i ka maʻemaʻe o ke kristal AlN.