ʻO ka mea hoʻopaʻa pahu i uhi ʻia ʻo SiC i hoʻopilikino ʻia

Wehewehe Pōkole:

He mea hana ʻoihana ʻo VET Energy a he mea hoʻolako i ka mea hoʻopaʻa barela SiC i uhi ʻia ma Kina. Ke hoʻomohala mau nei mākou i nā kaʻina hana holomua e hoʻolako i nā mea holomua hou aʻe, a ua hana i kahi ʻenehana patent kūʻokoʻa, hiki ke hoʻopaʻa i ka pilina ma waena o ka uhi ʻana a me ka substrate a emi iki ka hemo ʻana. Welina mai e kipa i kā mākou hale hana a ke kakali nei e lilo i hoa lōʻihi nou ma Kina.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Nā kikoʻī huahana

Nā Lepili Huahana

Mea hoʻopaʻa barelaʻO ia kekahi ʻāpana koʻikoʻi i nā kaʻina hana ulu epitaxial semiconductor e like me MOCVD, MBE, CVD. Hoʻohana nui ʻia ia e lawe i nā wafers i loko o nā keʻena hopena wela kiʻekiʻe a hāʻawi i kahi kahua thermal like a paʻa hoʻi e hōʻoia i ka waiho pololei ʻana o nā papa epitaxial (e like me GaN, SiC, a pēlā aku). ʻO kāna hana nui ka hoʻokō ʻana i ke ʻano like o ka mahana o ka ʻili wafer ma o ka kaohi ʻana i ke kahua thermal pololei, no laila e hōʻoiaʻiʻo ana i ka mānoanoa, ka hoʻohuihui doping, a me ke ʻano like o ke ʻano kristal o nā kiʻiʻoniʻoni lahilahi epitaxial.

Hoʻohana mākou i kā mākou ʻenehana i hoʻopaʻa ʻia e hana i kamea hoʻopaʻa pahume ka maʻemaʻe kiʻekiʻe loa, ke ʻano like o ka uhi ʻana a me ke ola lawelawe maikaʻi loa, a me ke kūpaʻa kemika kiʻekiʻe a me nā waiwai kūpaʻa wela.

Hoʻohana ʻo VET Energy i ka graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe me ka uhi CVD-SiC e hoʻoikaika i ke kūpaʻa kemika:

1. Mea graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe
ʻO ke alakaʻi wela kiʻekiʻe: ʻekolu manawa o ke alakaʻi wela o ka graphite o ka silicon, hiki ke hoʻoili koke i ka wela mai ke kumu hoʻomehana i ka wafer a hoʻopōkole i ka manawa hoʻomehana.
Ikaika mīkini: ʻO ka nui o ke kaomi graphite isostatic ≥ 1.85 g/cm³, hiki ke kū i nā mahana kiʻekiʻe ma luna o 1200 ℃ me ka ʻole o ka deformation.

2. Uhi ʻana o CVD SiC
Hoʻokumu ʻia kahi papa β - SiC ma luna o ka ʻili o ka graphite e ka hoʻokahe ʻana o ka mahu kemika (CVD), me ka maʻemaʻe o ≥ 99.99995%, ʻoi aku ka hewa like o ka mānoanoa o ka uhi ʻana ma mua o ± 5%, a ʻoi aku ka liʻiliʻi o ka ʻili ma mua o Ra0.5um.

3. Hoʻomaikaʻi ʻana i ka hana:
Ke kūpaʻa ʻana i ka palaho: hiki ke kū i nā kinoea palaho kiʻekiʻe e like me Cl2, HCl, a pēlā aku, hiki ke hoʻolōʻihi i ke ola o GaN epitaxy i ʻekolu manawa i loko o ke kaiapuni NH3.
Paʻa wela: Hoʻohālikelike ke koina o ka hoʻonui wela (4.5 × 10-6/℃) me ka graphite e pale aku i ka haki ʻana o ka uhi i hoʻokumu ʻia e nā loli o ka mahana.
Paʻakikī a me ke Kū'ē ʻana i ka ʻAʻahu: Hiki i ka paʻakikī Vickers i 28 GPa, ʻo ia hoʻi he 10 mau manawa kiʻekiʻe ma mua o ka graphite a hiki ke hōʻemi i ka pilikia o nā ʻōpala wafer.

CVD SiC薄膜基本物理性能

Nā waiwai kino kumu o CVD SiCuhi ʻana

性质 / Waiwai

典型数值 / Waiwai Maʻamau

晶体结构 / ʻAno Crystal

Pae FCC β多晶,主要为(111)取向

密度 / Ka nui o ka paʻa

3.21 g/cm³

硬度 / Paʻakikī

2500 维氏硬度(500g load)

晶粒大小 / Ka nui o ka palaoa

2~10μm

纯度 / Maʻemaʻe Kemika

99.99995%

热容 / Ka Mana Wela

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Mahana Hoʻohaʻahaʻa

2700℃

抗弯强度 / Ikaika Flexural

415 MPa RT 4-kiko

杨氏模量 / Modulus o Young

430 Gpa 4pt kūlou, 1300 ℃

导热系数 / ThermalKa hoʻokele ʻana

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Hoʻonui Wela (CTE)

4.5×10-6K-1

1

2

Mea hoʻopaʻa barela (10)
Mea Hoʻopaʻa Paila SiC
1
2

ʻO Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd kahi ʻoihana ʻenehana kiʻekiʻe e kālele ana i ka hoʻomohala ʻana a me ka hana ʻana o nā mea holomua kiʻekiʻe, nā mea hana a me nā ʻenehana e pili ana i ka graphite, silicon carbide, keramika, ka mālama ʻili e like me ka SiC coating, TaC coating, glassy carbon coating, pyrolytic carbon coating, etc., ua hoʻohana nui ʻia kēia mau huahana i ka photovoltaic, semiconductor, ikehu hou, metallurgy, etc.

Hele mai kā mākou hui loea mai nā ʻoihana noiʻi kūloko kiʻekiʻe, a ua hoʻomohala i nā ʻenehana i hoʻopaʻa ʻia he nui e hōʻoia i ka hana huahana a me ka maikaʻi, hiki ke hāʻawi i nā mea kūʻai aku me nā hoʻonā mea ʻoihana.

Nā mea kūʻai aku

  • Ma mua:
  • Aʻe:

  • Kamaʻilio Pūnaewele WhatsApp!