अनुकूलित SiC लेपित बैरल ससेप्टर

बैरल ससेप्टरMOCVD, MBE, CVD जैसे सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल ग्रोथ प्रक्रियाओं में एक मुख्य घटक है। इसका उपयोग मुख्य रूप से उच्च तापमान प्रतिक्रिया कक्षों में वेफ़र्स को ले जाने और एपिटैक्सियल परतों (जैसे GaN, SiC, आदि) के सटीक जमाव को सुनिश्चित करने के लिए एक समान और स्थिर थर्मल फ़ील्ड वातावरण प्रदान करने के लिए किया जाता है। इसका मुख्य कार्य सटीक थर्मल फ़ील्ड नियंत्रण के माध्यम से वेफ़र सतह के तापमान की उच्च एकरूपता प्राप्त करना है, जिससे एपिटैक्सियल पतली फिल्मों की मोटाई, डोपिंग सांद्रता और क्रिस्टल संरचना एकरूपता सुनिश्चित होती है।

हम इसे बनाने के लिए अपनी पेटेंट प्रौद्योगिकी का उपयोग करते हैंबैरल ससेप्टरअत्यंत उच्च शुद्धता, अच्छी कोटिंग एकरूपता और उत्कृष्ट सेवा जीवन के साथ-साथ उच्च रासायनिक प्रतिरोध और तापीय स्थिरता गुण भी होते हैं।

वीईटी एनर्जी रासायनिक स्थिरता को बढ़ाने के लिए सीवीडी-एसआईसी कोटिंग के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट का उपयोग करती है:

1. उच्च शुद्धता वाला ग्रेफाइट पदार्थ
उच्च तापीय चालकता: ग्रेफाइट की तापीय चालकता सिलिकॉन की तुलना में तीन गुना है, जो हीटिंग स्रोत से वेफर तक गर्मी को जल्दी से स्थानांतरित कर सकती है और हीटिंग समय को कम कर सकती है।
यांत्रिक शक्ति: आइसोस्टेटिक दबाव ग्रेफाइट घनत्व ≥ 1.85 ग्राम/सेमी ³, विरूपण के बिना 1200 ℃ से ऊपर उच्च तापमान को सहन करने में सक्षम।

2. सीवीडी एसआईसी कोटिंग
रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) द्वारा ग्रेफाइट की सतह पर एक β - SiC परत बनाई जाती है, जिसकी शुद्धता ≥ 99.99995% होती है, कोटिंग की मोटाई की एकरूपता त्रुटि ± 5% से कम होती है, और सतह खुरदरापन Ra0.5um से कम होता है।

3. प्रदर्शन सुधार:
संक्षारण प्रतिरोध: Cl2, HCl, आदि जैसे उच्च संक्षारक गैसों का सामना कर सकता है, NH3 वातावरण में GaN एपिटैक्सी के जीवनकाल को तीन गुना तक बढ़ा सकता है।
तापीय स्थिरता: तापीय विस्तार गुणांक (4.5 × 10-6/℃) तापमान में उतार-चढ़ाव के कारण होने वाली कोटिंग दरार से बचने के लिए ग्रेफाइट से मेल खाता है।
कठोरता और घिसाव प्रतिरोध: विकर्स कठोरता 28 GPa तक पहुंचती है, जो ग्रेफाइट से 10 गुना अधिक है और वेफर खरोंच के जोखिम को कम कर सकती है।