अनुकूलित SiC लेपित बैरल ससेप्टर

बैरल संवेदकयह MOCVD, MBE, CVD जैसी सेमीकंडक्टर एपिटैक्सियल ग्रोथ प्रक्रियाओं में एक प्रमुख घटक है। इसका मुख्य उपयोग उच्च तापमान वाले रिएक्शन चैंबर में वेफर्स को ले जाने और एपिटैक्सियल परतों (जैसे GaN, SiC, आदि) के सटीक जमाव को सुनिश्चित करने के लिए एक समान और स्थिर थर्मल फील्ड वातावरण प्रदान करने के लिए किया जाता है। इसका मुख्य कार्य सटीक थर्मल फील्ड नियंत्रण के माध्यम से वेफर सतह के तापमान की उच्च एकरूपता प्राप्त करना है, जिससे एपिटैक्सियल पतली फिल्मों की मोटाई, डोपिंग सांद्रता और क्रिस्टल संरचना की एकरूपता सुनिश्चित होती है।

हम अपने पेटेंट किए गए तकनीक का उपयोग करके बनाते हैंबैरल संवेदकइसमें अत्यधिक शुद्धता, अच्छी कोटिंग एकरूपता और उत्कृष्ट सेवा जीवन के साथ-साथ उच्च रासायनिक प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता के गुण भी हैं।

VET Energy रासायनिक स्थिरता को बढ़ाने के लिए CVD-SiC कोटिंग के साथ उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट का उपयोग करती है:

1. उच्च शुद्धता वाला ग्रेफाइट पदार्थ
उच्च तापीय चालकता: ग्रेफाइट की तापीय चालकता सिलिकॉन की तुलना में तीन गुना अधिक होती है, जो ताप स्रोत से वेफर तक ऊष्मा को तेजी से स्थानांतरित कर सकती है और तापन समय को कम कर सकती है।
यांत्रिक शक्ति: समस्थैतिक दबाव ग्रेफाइट घनत्व ≥ 1.85 ग्राम/सेमी³, बिना विरूपण के 1200 ℃ से अधिक उच्च तापमान को सहन करने में सक्षम।

2. सीवीडी एसआईसी कोटिंग
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी) द्वारा ग्रेफाइट की सतह पर एक β-SiC परत बनाई जाती है, जिसकी शुद्धता ≥ 99.99995% होती है, कोटिंग की मोटाई की एकरूपता त्रुटि ±5% से कम होती है, और सतह की खुरदरापन Ra0.5um से कम होती है।

3. प्रदर्शन में सुधार:
संक्षारण प्रतिरोध: यह Cl2, HCl आदि जैसी अत्यधिक संक्षारक गैसों का सामना कर सकता है, और NH3 वातावरण में GaN एपिटैक्सी के जीवनकाल को तीन गुना तक बढ़ा सकता है।
ऊष्मीय स्थिरता: ऊष्मीय विस्तार गुणांक (4.5 × 10⁻⁶/℃) ग्रेफाइट के अनुरूप है, जिससे तापमान में उतार-चढ़ाव के कारण कोटिंग में दरार पड़ने से बचा जा सकता है।
कठोरता और घिसाव प्रतिरोध: इसकी विकर्स कठोरता 28 जीपीए तक पहुंच जाती है, जो ग्रेफाइट से 10 गुना अधिक है और वेफर पर खरोंच लगने के जोखिम को कम कर सकती है।