SiC premaz grafit MOCVD nosači pločica, grafitni susceptori za SiC epitaksiju

Kratki opis:

SiC premaz grafitnog supstrata za poluvodičke primjene proizvodi dio vrhunske čistoće i otpornosti na oksidirajuću atmosferu. CVD SiC ili CVI SiC nanosi se na grafit jednostavnih ili složenih dijelova. Premaz se može nanositi u različitim debljinama i na vrlo velike dijelove.

Mjesto podrijetla:Zhejiang, Kina (kopno)

Broj modela:Broj modela:

Kemijski sastav:Grafit obložen SiC-om

Fleksibilna čvrstoća:470 MPa

Toplinska vodljivost:300 W/mK

Kvaliteta:Savršen

Funkcija:CVD-SiC

Primjena:Poluvodič / Fotonaponski sustav

Gustoća:3,21 g/cm³

Toplinsko širenje:4 10-6/K

Pepeo: <5 ppm

Uzorak:Dostupno

HS kod:6903100000

Pošaljite nam e-poštu Preuzmi kao PDF

Detalji proizvoda

Oznake proizvoda

SiC premaz grafit MOCVD nosači pločica, grafitni susceptori zaSiC epitaksija,
Susceptori za opskrbu ugljikom, Grafitni epitaksijski susceptori, Grafitne podloge, MOCVD susceptor, SiC epitaksija, Susceptori pločica,

Posebne prednosti naših grafitnih susceptora s SiC-obloženim materijalom uključuju izuzetno visoku čistoću, homogeni premaz i izvrstan vijek trajanja. Također imaju visoku kemijsku otpornost i toplinsku stabilnost.

SiC premaz grafitnog supstrata za poluvodičke primjene proizvodi dio vrhunske čistoće i otpornosti na oksidirajuću atmosferu.
CVD SiC ili CVI SiC nanosi se na grafit jednostavnih ili složenih dijelova. Premaz se može nanositi u različitim debljinama i na vrlo velike dijelove.

SiC premaz/obloženi MOCVD susceptor

Značajke:
· Izvrsna otpornost na toplinske udare
· Izvrsna otpornost na fizičke udarce
· Izvrsna kemijska otpornost
· Super visoka čistoća
· Dostupnost u složenom obliku
· Može se koristiti u oksidirajućoj atmosferi

Primjena:

Tipična svojstva osnovnog grafitnog materijala:

Prividna gustoća:	1,85 g/cm3
Električni otpor:	11 μΩm
Fleksibilna čvrstoća:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Tvrdoća po Shoreu:	58
Pepeo:	<5 ppm
Toplinska vodljivost:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Susceptori za opskrbu ugljikomi grafitne komponente za sve trenutne epitaksijalne reaktore. Naš portfelj uključuje susceptore u obliku cijevi za primijenjene i LPE jedinice, susceptore u obliku palačinke za LPE, CSD i Gemini jedinice te susceptore s jednom pločicom za primijenjene i ASM jedinice. Kombinirajući snažna partnerstva s vodećim proizvođačima originalne opreme, stručnost u materijalima i znanje o proizvodnji, SGL nudi optimalan dizajn za vašu primjenu.