Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Suseptor grafit untuk epitaksi SiC

Deskripsi Singkat:

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian dan ketahanan yang unggul terhadap atmosfer pengoksidasi. CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit untuk komponen desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diaplikasikan dalam berbagai ketebalan dan pada komponen yang sangat besar.

Tempat Asal:Zhejiang, Tiongkok (Daratan)

Nomor Model:Nomor Model:

Komposisi Kimia:Grafit berlapis SiC

Kekuatan lentur:470Mpa

Konduktivitas termal:300 W/mK

Kualitas:Sempurna

Fungsi:CVD-SiC

Aplikasi:Semikonduktor/Fotovoltaik

Kepadatan:3,21 gram/cc

Ekspansi termal:4 10-6/K

Abu: <5ppm

Mencicipi:Tersedia

Kode HS:6903100000

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Suseptor Grafit untukEpitaksi SiC,
Karbon memasok kerentanan, Reseptor epitaksi grafit, Substrat pendukung grafit, Penderita MOCVD, Epitaksi SiC, Reseptor Wafer,

Keunggulan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami meliputi kemurnian yang sangat tinggi, pelapisan yang homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia dan sifat stabilitas termal yang tinggi.

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diaplikasikan pada Grafit dengan desain sederhana atau rumit. Pelapisan dapat diaplikasikan dalam berbagai ketebalan dan pada komponen yang sangat besar.

Pelapis SiC/Pelapis MOCVD Susceptor

Fitur:
· Tahan Guncangan Termal yang Sangat Baik
· Ketahanan Fisik yang Sangat Baik terhadap Guncangan
· Ketahanan Kimia yang Sangat Baik
· Kemurnian Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Dapat digunakan dalam suasana pengoksidasi

Aplikasi:

Sifat Khas Material Dasar Grafit:

Kepadatan Tampak:	1,85 gram/cm3
Resistivitas Listrik:	11 mikron
Kekuatan Lentur:	Tekanan 49MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mjam-℃)

Karbon memasok kerentanandan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi saat ini. Portofolio kami meliputi susceptor barel untuk unit terapan dan LPE, susceptor pancake untuk unit LPE, CSD, dan Gemini, dan susceptor wafer tunggal untuk unit terapan dan ASM. Dengan menggabungkan kemitraan yang kuat dengan OEM terkemuka, keahlian material, dan pengetahuan manufaktur, SGL menawarkan desain yang optimal untuk aplikasi Anda.