Xurekî Grafîtê yê Îzostatîk ê Paqijiya Bilind

VET Energy pisporê çêkirina kalîteya bilind eXurekî Grafîtê yê Îzostatîk ê Paqijiya BilindJi bo sepanên nîvconductor û materyalên pêşketî yên dijwar hatine sêwirandin. Ji grafîta îzostatîk a genimê pir nazik hatine çêkirin û bi pêvajoyên paqijkirina halojenê yên germahiya bilind hatine paqijkirin, xaçerêyên grafîtê yên me di bin şert û mercên xebitandinê yên dijwar de aramiya germî ya awarte, asta nepakiyê ya kêm, û yekparebûna pîvanî ya berbiçav pêşkêş dikin.

Bi berfirehî di mezinbûna krîstala SiC, hilberîna krîstala GaN, çêkirina materyalên epitaksiyal, û sinterkirina seramîk a pêşkeftî, Paqijiya Bilind de tê bikar anîn.Xurekê Grafîtê ya Îzostatîks di misogerkirina kalîteya krîstal, aramiya pêvajoyê û karîgeriya hilberînê de di tevahiya hilberîna nîvconductor a nûjen de roleke girîng dilîzin.

Xavkêşek Grafîtê ya Îzostatîk a Paqijiya Bilind çi ye?

Qulpek Grafîtê ya Îzostatîk a Paqijiya Bilind konteynireke bi endezyariya rast hatiye çêkirin ku ji materyalên grafîtê yên îzotropîk tê çêkirin ku bi pêvajoya pêçandina îzostatîk têne çêkirin. Li gorî berhemên grafîtê yên qalibkirî yên kevneşopî, grafîta îzostatîk pêşkêşî dike:

● Mîkroavahiyek yekreng di hemî aliyan de

● Densiya bilindtir û hêza mekanîkî

● Gehîneriya germî ya bilindtir

● Berxwedana şoka germî ya hêja

● Porozîteya kêm

● Naveroka qirêjiya pir kêm

Piştî paqijkirinê, rêjeya xweliyê bi gelemperî dikare di bin 5 ppm de were kontrol kirin, û hin materyalên pola nîvconductor asta nepakiyê di bin 3 ppm de bi dest dixin.

Ev taybetmendî Xaçên Grafîtê yên Îzostatîk ên Paqijiya Bilind ji bo pêvajoyên germahiya bilind ên ku ji 2,000°C derbas dibin, ku li wir kontrola qirêjbûnê û yekrengiya germî girîng in, îdeal dikin.

Rolên di Çêkirina Nîvconductor de

Di mezinbûna krîstala Silicon Carbide (SiC) de bi karanîna pêvajoya Veguhestina Buxara Fizîkî (PVT), xaçerêyên grafîtê hem wekî konteynera ragirtinê ya materyalê çavkaniyê û hem jî wekî beşek yekgirtî ya pergala zeviya germî tevdigerin. Dema ku di germahiyên ku bi gelemperî ji 2,200°C derbas dibin de dixebite, xaçerê divê aramiya pîvanî biparêze di heman demê de piştgirîya gradyantên germahiyê yên rast ên ku ji bo veguhastina buxarê û avakirina krîstalê hewce ne bike. Paqijî û avahiya îzotropîk a grafîtê rasterast bandorê li tevlêbûna nepakiyê, belavbûna germî, rêjeya mezinbûna krîstalê û çêbûna kêmasiyan dike.

Rola Xavkên Grafîtê yên Îzostatîk ên Paqijiya Bilind ji çêkirina SiC wêdetir diçe nav teknolojiyên pêşkeftî yên mezinbûna krîstalê Gallyum Nîtrîd (GaN). Çi di HVPE, mezinbûna fluksê de, an jî di rêbazên hilberîna krîstalên girseyî yên nû de werin bikar anîn, xavkên grafîtê hawîrdorek germahiya bilind a stabîl peyda dikin ku veguhastina materyalê û çêbûna krîstalan piştgirî dike di heman demê de xetereyên kontaminasyonê kêm dike.

Di hilberîna materyalên epitaksiyal ên nîvconductor de, di nav de epitaksiyaliya SiC, mezinbûna krîstala AlN, û pêvajoya pêşketî ya nîvconductorên pêkhatî, xaçerêyên grafît beşdarî yekrengiya germî û dubarekirina pêvajoyê dibin. Germbûna wan a hêja û berxwedana wan a li hember şoka germî di bin şert û mercên pêvajoyê yên dijwar de xebata stabîl dihêle, û piştgirî dide kontrola rast a mekanîzmayên buharbûn, sublîmasyon û danînê.

Xavkên Grafîtê yên Îzostatîk ên Paqijiya Bilind di çêkirina materyalên seramîk ên pêşkeftî û tozên nîvconductor ên nifşa sêyemîn de jî roleke girîng dilîzin. Di dema sinterkirina karbîda silîkonê, nîtrîda aluminiumê, nîtrîda boronê û seramîkên din ên performansa bilind de, xavk hawîrdorek kîmyewî ya aram û germî ya yekreng peyda dike ku dendikbûnê pêş dixe di heman demê de qirêjbûnê kêm dike. Pêşketinên di paqijiya materyalê, întegrasyona germî û performansa mekanîkî de ji bo sepanên ji pêkhateyên alavên nîvconductor bigire heya pakkirina elektronîkî ya hêza bilind girîng in.

Trendên Pîşesaziyê û Pêşveçûna Pêşerojê

Her ku nîvconductorên bi bandgap fireh berdewam dikin ku pîşesaziya elektronîkên hêzê veguherînin, daxwaza ji bo xaçerêyên grafîtê yên pêşkeftî bi lez zêde dibe.

Pêdiviyên Paqijiya Ultra-Bilind

Serlêdanên nîvconductorên pêşerojê hewceyê asta nepakiyê di bin 5 ppm de û, di hin rewşan de, nêzîkî 1 ppm dikin da ku piştgiriyê bidin mezinahiyên krîstalên mezintir û dendika kêmasiyên kêmtir.

Teknolojiyên Rûpûşkirinê

Pêçandinên rûyê pêşketî her ku diçe li ser xaçerêyên grafîtê têne sepandin, di nav de:

● Pêçandina bi Sîlîkon Karbîd (SiC)

● Pêçandina Karbîda Tantalumê (TaC)

● Pêçandina Karbona Pîrolîtîk (PyC)

Ev pêçan bandora jêrîn zêde dikin:

● Berxwedana li dijî korozyonê

● Aramiya germî

● Performansa Jiyanê

● Paqijiya pêvajoyê

● Sêwiranên Crucible yên Mezintir

Bazirganîkirina ji:

● Waflên SiC yên 8 înç

● Substratên GaN yên mezintir

● Materyalên nîvconductor ên hêza pêşkeftî

pêşveçûna xaçerêyên grafîtê yên mezintir û ji hêla pîvanî ve stabîltir dike ku dikarin kontrola germî ya rastîn di çerxên hilberînê yên dirêj de biparêzin.