Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցք

VET Energy-ն մասնագիտանում է բարձրորակ արտադրանքի արտադրության մեջԲարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքնախագծված են կիսահաղորդչային և առաջադեմ նյութերի պահանջկոտ կիրառությունների համար: Արտադրված գերմանր հատիկավոր իզոստատիկ գրաֆիտից և մաքրված բարձր ջերմաստիճանային հալոգենային մաքրման գործընթացներով, մեր գրաֆիտային հալոցքային կաթսաները ապահովում են բացառիկ ջերմային կայունություն, խառնուրդների ցածր մակարդակ և ակնառու չափային հետևողականություն ծայրահեղ շահագործման պայմաններում:

Լայնորեն օգտագործվում է SiC բյուրեղների աճեցման, GaN բյուրեղների արտադրության, էպիտաքսիալ նյութերի արտադրության և առաջադեմ կերամիկական սինտերացման մեջ, բարձր մաքրության մեջԻզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքs-ը կարևոր դեր են խաղում բյուրեղների որակի, գործընթացի կայունության և արտադրության արդյունավետության ապահովման գործում ժամանակակից կիսահաղորդչային արտադրության ողջ ընթացքում։

Ի՞նչ է բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքը։

Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցը ճշգրիտ նախագծված տարա է, որը պատրաստված է իզոտրոպ գրաֆիտային նյութերից, որոնք ձևավորվում են իզոստատիկ սեղմման գործընթացով: Համեմատած ավանդական ձուլված գրաֆիտային արտադրանքի հետ, իզոստատիկ գրաֆիտը առաջարկում է.

● Միատարր միկրոկառուցվածք բոլոր ուղղություններով

● Ավելի բարձր խտություն և մեխանիկական ամրություն

● Գերազանց ջերմահաղորդականություն

● Գերազանց ջերմային հարվածի դիմադրություն

● Ցածր ծակոտկենություն

● Գերցածր խառնուրդների պարունակություն

Մաքրումից հետո մոխրի պարունակությունը սովորաբար կարելի է վերահսկել 5 ppm-ից ցածր, ընդ որում՝ որոշ կիսահաղորդչային կարգի նյութերում խառնուրդների մակարդակը կազմում է 3 ppm-ից ցածր։

Այս բնութագրերը բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքները դարձնում են իդեալական 2000°C-ից բարձր բարձր ջերմաստիճանային պրոցեսների համար, որտեղ աղտոտվածության վերահսկումը և ջերմային միատարրությունը կարևոր են։

Դերերը կիսահաղորդչային արտադրության մեջ

Սիլիցիումի կարբիդի (SiC) բյուրեղների աճեցման ժամանակ՝ օգտագործելով ֆիզիկական գոլորշու փոխադրման (PVT) գործընթացը, գրաֆիտային հալոցքները գործում են որպես աղբյուրի նյութի պահպանման անոթ և ջերմային դաշտի համակարգի անբաժանելի մաս: Աշխատելով սովորաբար 2200°C-ից բարձր ջերմաստիճաններում, հալոցքը պետք է պահպանի չափային կայունությունը՝ միաժամանակ պահպանելով գոլորշու փոխադրման և բյուրեղների առաջացման համար անհրաժեշտ ճշգրիտ ջերմաստիճանային գրադիենտները: Գրաֆիտի մաքրությունը և իզոտրոպ կառուցվածքը անմիջականորեն ազդում են խառնուրդների ներդրման, ջերմային բաշխման, բյուրեղների աճի արագության և արատների առաջացման վրա:

Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքների դերը տարածվում է SiC արտադրությունից այն կողմ՝ ներառելով գալիումի նիտրիդի (GaN) բյուրեղների աճեցման առաջադեմ տեխնոլոգիաներ: Անկախ նրանից, թե դրանք օգտագործվում են բարձր ջերմաստիճանի պոլիէթիլենում, հոսքի աճեցման մեջ, թե զանգվածային բյուրեղների արտադրության նոր մեթոդներում, գրաֆիտային հալոցքները ապահովում են կայուն բարձր ջերմաստիճանային միջավայր, որը նպաստում է նյութերի տեղափոխմանը և բյուրեղների ձևավորմանը՝ միաժամանակ նվազագույնի հասցնելով աղտոտման ռիսկերը:

Կիսահաղորդչային էպիտաքսիալ նյութերի արտադրության մեջ, ներառյալ SiC էպիտաքսիան, AlN բյուրեղների աճը և բարդ կիսահաղորդչային մշակման առաջադեմ մեթոդները, գրաֆիտային հալոցքային կաթսաները նպաստում են ջերմային միատարրությանը և գործընթացի կրկնելիությանը: Դրանց գերազանց ջերմահաղորդականությունը և ջերմային ցնցումների նկատմամբ դիմադրությունը հնարավորություն են տալիս կայուն աշխատանք կատարել ծայրահեղ գործընթացային պայմաններում՝ նպաստելով գոլորշիացման, սուբլիմացիայի և նստեցման մեխանիզմների ճշգրիտ կառավարմանը:

Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հալոցքները նույնպես կարևոր դեր են խաղում առաջադեմ կերամիկական նյութերի և երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային փոշիների արտադրության մեջ: Սիլիցիումի կարբիդի, ալյումինի նիտրիդի, բորի նիտրիդի և այլ բարձր արդյունավետությամբ կերամիկայի սինտերացման ընթացքում հալոցքը ապահովում է քիմիապես կայուն և ջերմային առումով միատարր միջավայր, որը նպաստում է խտացմանը՝ միաժամանակ նվազագույնի հասցնելով աղտոտումը: Արդյունքում նյութի մաքրության, ջերմային հաղորդունակության և մեխանիկական կատարողականության բարելավումները կարևոր են կիսահաղորդչային սարքավորումների բաղադրիչներից մինչև բարձր հզորության էլեկտրոնային փաթեթավորում կիրառությունների համար:

Արդյունաբերության միտումները և ապագա զարգացումը

Քանի որ լայն գոտիական բացվածքով կիսահաղորդիչները շարունակում են վերափոխել ուժային էլեկտրոնիկայի արդյունաբերությունը, առաջադեմ գրաֆիտային խաչմերուկների պահանջարկը արագորեն աճում է։

Գերբարձր մաքրության պահանջներ

Ապագա կիսահաղորդչային կիրառությունները պահանջում են 5 ppm-ից ցածր խառնուրդների մակարդակ, իսկ որոշ դեպքերում՝ մոտ 1 ppm-ի՝ ավելի մեծ բյուրեղների չափսեր և ավելի ցածր արատների խտություն ապահովելու համար։

Ծածկույթի տեխնոլոգիաներ

Գրաֆիտային հալոցքերի վրա ավելի ու ավելի հաճախ կիրառվում են առաջադեմ մակերեսային ծածկույթներ, այդ թվում՝

● Սիլիկոնային կարբիդի (SiC) ծածկույթ

● Տանտալի կարբիդի (TaC) ծածկույթ

● Պիրոլիտիկ ածխածնային (PyC) ծածկույթ

Այս ծածկույթները բարելավում են.

● Կոռոզիայի դիմադրություն

● Ջերմային կայունություն

● Կյանքի ընթացքում կատարողականություն

● Գործընթացի մաքրություն

● Ավելի մեծ Crucible Designs

Առևտրայնացումը՝

● 8 դյույմանոց SiC վաֆլիներ

● Ավելի մեծ GaN հիմքեր

● Առաջադեմ հզորության կիսահաղորդչային նյութեր

խթանում է ավելի մեծ, ավելի չափսերի առումով կայուն գրաֆիտային հալոցքերի մշակումը, որոնք ունակ են պահպանել ճշգրիտ ջերմային վերահսկողություն երկարատև արտադրական ցիկլերի ընթացքում։