Lafaoro Grafita Isostatika avo lenta

Manam-pahaizana manokana amin'ny famokarana vokatra avo lenta ny VET EnergyLafaoro Grafita Isostatika Madio AvoNatao ho an'ny fampiasana semiconductor sy fitaovana mandroso. Vita avy amin'ny grafita isostatic tena tsara ary voadio amin'ny alàlan'ny fanadiovana halogen amin'ny mari-pana avo lenta, ny lasitra grafita anay dia manolotra fahamarinan-toerana ara-hafanana miavaka, haavon'ny fahalotoana ambany, ary tsy miovaova ny refy amin'ny toe-javatra miasa tafahoatra.

Ampiasaina betsaka amin'ny fitomboan'ny kristaly SiC, famokarana kristaly GaN, fanamboarana fitaovana epitaxial, ary sintering seramika mandroso, fahadiovana avo lentaLafaoro Grafita IsostatikaMitana anjara toerana lehibe ny s amin'ny fiantohana ny kalitaon'ny kristaly, ny fahamarinan'ny dingana, ary ny fahombiazan'ny famokarana manerana ny famokarana semiconductor maoderina.

Inona no atao hoe Lafaoro Mandrafitra Grafita Isostatika Madio Avo?

Ny "High-Purity Isostatic Graphite Crucible" dia fitoeran-javatra namboarina tamin'ny fomba tena tsara vita avy amin'ny fitaovana grafita isotropika izay noforonina tamin'ny alàlan'ny dingana fanindriana isostatika. Raha ampitahaina amin'ny vokatra grafita vita amin'ny lasitra mahazatra, ny grafita isostatika dia manolotra:

● Rafitra bitika mitovy amin'ny lafiny rehetra

● Hatevina kokoa sy tanjaka mekanika

● Fitondrana hafanana ambony kokoa

● Tena tsara ny fanoherana ny dona amin'ny hafanana

● Ambany ny porosity

● Ambany dia ambany ny loto ao anatiny

Aorian'ny fanadiovana, dia azo fehezina ambanin'ny 5 ppm ny votoatin'ny lavenona, ary ny akora sasany karazana semiconductor dia mahatratra haavon'ny fahalotoana ambanin'ny 3 ppm.

Ireo toetra ireo dia mahatonga ny Lafaoro Grafita Isostatika Madio Avo lenta ho tsara indrindra amin'ny fizotran'ny mari-pana avo mihoatra ny 2.000°C, izay tena ilaina ny fanaraha-maso ny fahalotoana sy ny fitoviana amin'ny hafanana.

Andraikitra amin'ny famokarana semiconductor

Ao amin'ny fitomboan'ny kristaly Silicon Carbide (SiC) amin'ny fampiasana ny dingana Physical Vapor Transport (PVT), ny lasitra grafita dia miasa ho toy ny fitoeran-javatra fitehirizana akora fototra sady ampahany manan-danja amin'ny rafitra saha mafana. Miasa amin'ny mari-pana mihoatra ny 2 200°C, ny lasitra dia tsy maintsy mitazona ny fahamarinan'ny refy sady manohana ny fiovaovan'ny mari-pana marina ilaina amin'ny fitaterana etona sy ny fananganana kristaly. Ny fahadiovana sy ny rafitra isotropic an'ny grafita dia misy fiantraikany mivantana amin'ny fampidirana ny loto, ny fizarana mafana, ny tahan'ny fitomboan'ny kristaly, ary ny famokarana lesoka.

Mihoatra ny famokarana SiC ho lasa teknolojia fampitomboana kristaly Gallium Nitride (GaN) mandroso ny anjara asan'ny Crucibles Grafita Isostatic Madio Avo. Na ampiasaina amin'ny HVPE, fitomboana flux, na fomba famokarana kristaly betsaka vao misondrotra, ny crucibles grafita dia manome tontolo iainana maharitra amin'ny mari-pana avo izay manohana ny fitaterana fitaovana sy ny fiforonan'ny kristaly sady mampihena ny mety ho fahalotoana.

Ao amin'ny famokarana akora epitaxial semiconductor, anisan'izany ny epitaxy SiC, ny fitomboan'ny kristaly AlN, ary ny fanodinana semiconductor compound mandroso, ny lasitra grafita dia mandray anjara amin'ny fitoviana mafana sy ny famerimberenana ny dingana. Ny conductivity mafana tsara dia tsara sy ny fanoherana ny dona mafana dia ahafahana miasa marin-toerana amin'ny toe-javatra henjana, manohana ny fanaraha-maso marina ny mekanisma etona, sublimation, ary deposition.

Mitana anjara toerana lehibe ihany koa ny lasitra grafita isostatika avo lenta amin'ny famokarana fitaovana seramika mandroso sy vovoka semiconductor taranaka fahatelo. Mandritra ny fanitrihana ny karbida silikônina, nitrida aliminioma, nitrida boron, ary seramika avo lenta hafa, ny lasitra dia manome tontolo iainana milamina ara-simika sy mitovy amin'ny hafanana izay mampiroborobo ny fanamafisana sady mampihena ny fahalotoana. Ny fanatsarana ny fahadiovan'ny fitaovana, ny fitondrana hafanana, ary ny fahombiazana mekanika dia tena ilaina amin'ny fampiharana manomboka amin'ny singa fitaovana semiconductor ka hatramin'ny fonosana elektronika mahery vaika.

Fironana amin'ny indostria sy ny fampandrosoana amin'ny ho avy

Satria mbola manova ny indostrian'ny elektronika herinaratra ireo semiconductor misy elanelana mivelatra, dia mitombo haingana ny fangatahana lasitra grafita mandroso.

Fepetra takiana amin'ny fahadiovana avo lenta

Ny fampiharana semiconductor amin'ny ho avy dia mitaky haavon'ny fahalotoana ambanin'ny 5 ppm ary, amin'ny tranga sasany, manakaiky ny 1 ppm mba hanohanana ny haben'ny kristaly lehibe kokoa sy ny hakitroky ny lesoka ambany kokoa.

Teknolojian'ny fandokoana

Miha-mitombo hatrany ny fampiasana "coatings" mandroso amin'ny "gràtica", anisan'izany:

● Fandrakofana Silikônina Karbida (SiC)

● Fandrakofana Tantalum Carbide (TaC)

● Fandrakofana Karbonina Pirolitika (PyC)

Ireo coatings ireo dia manatsara ny:

● Fanoherana ny harafesina

● Fahamarinan'ny hafanana

● Fahombiazana mandritra ny androm-piainana

● Fahadiovan'ny dingana

● Endrika Lafaoro Lehibe Kokoa

Ny fivarotana ny:

● Wafer SiC 8-inch

● Substrate GaN lehibe kokoa

● Akora semiconductor mahery vaika mandroso

no mitarika ny fampandrosoana ireo vilany fandrahoana grafita lehibe kokoa sy marin-toerana kokoa izay afaka mifehy tsara ny hafanana mandritra ny tsingerin'ny famokarana maharitra.