ʻO ka ipu hoʻoheheʻe graphite Isostatic kiʻekiʻe

He loea ʻo VET Energy i ka hana ʻana i nā mea hana kiʻekiʻe loaʻO ka ipu hoʻoheheʻe Graphite Isostatic kiʻekiʻe-maʻemaʻeUa hoʻolālā ʻia no nā noi semiconductor koi a me nā mea holomua. Hana ʻia mai ka graphite isostatic grain ultra-fine a hoʻomaʻemaʻe ʻia ma o nā kaʻina hana hoʻomaʻemaʻe halogen wela kiʻekiʻe, hāʻawi kā mākou mau ipu hoʻoheheʻe graphite i ke kūpaʻa wela kūikawā, nā pae haumia haʻahaʻa, a me ke kūlike dimensional koʻikoʻi ma lalo o nā kūlana hana koʻikoʻi.

Hoʻohana nui ʻia i ka ulu ʻana o ke kristal SiC, ka hana ʻana o ke kristal GaN, ka hana ʻana i nā mea epitaxial, a me ka sintering keramika holomua, High-PurityKeʻena hoʻoheheʻe graphite IsostaticHe kuleana koʻikoʻi kā lākou i ka hōʻoia ʻana i ka maikaʻi o ke kristal, ke kūpaʻa o ke kaʻina hana, a me ka pono o ka hana ʻana ma o ka hana semiconductor hou.

He aha ka ipu hoʻoheheʻe graphite isostatic kiʻekiʻe?

ʻO kahi ipu hoʻoheheʻe Isostatic Graphite Maʻemaʻe Kiʻekiʻe kahi ipu i hana ʻia me ka pololei i hana ʻia mai nā mea graphite isotropic i hoʻokumu ʻia ma o ke kaʻina hana kaomi isostatic. Ke hoʻohālikelike ʻia me nā huahana graphite i hoʻoheheʻe ʻia maʻamau, hāʻawi ka graphite isostatic i:

● ʻAno like o ke ʻano microstructure ma nā ʻaoʻao a pau

● ʻOi aku ka nui o ka mānoanoa a me ka ikaika mechanical

● ʻOi aku ka maikaʻi o ka hoʻokele wela

● Kū'ē maikaʻi loa i ka haʻalulu wela

● Haʻahaʻa ka porosity

● Haʻahaʻa loa ka nui o ka haumia

Ma hope o ka hoʻomaʻemaʻe ʻana, hiki ke kaohi ʻia ka nui o ka lehu ma lalo o 5 ppm, me kekahi mau mea semiconductor-grade e hoʻokō ana i nā pae haumia ma lalo o 3 ppm.

ʻO kēia mau ʻano e hoʻolilo i nā High-Purity Isostatic Graphite Crucibles i mea kūpono no nā kaʻina hana wela kiʻekiʻe ma mua o 2,000°C, kahi e pono ai ke kaohi ʻana i ka haumia a me ke kūlike wela.

Nā Kūlana ma ka Hana ʻana o Semiconductor

I ka ulu ʻana o ke kristal Silicon Carbide (SiC) me ka hoʻohana ʻana i ke kaʻina hana Physical Vapor Transport (PVT), hana nā ipu hoʻoheheʻe graphite ma ke ʻano he ipu hoʻopaʻa mea kumu a he ʻāpana koʻikoʻi o ka ʻōnaehana kahua wela. Ke hana nei ma nā mahana maʻamau ma mua o 2,200°C, pono ka ipu hoʻoheheʻe e mālama i ke kūpaʻa dimensional me ke kākoʻo ʻana i nā gradients mahana kikoʻī e pono ai no ka lawe ʻana i ka mahu a me ka hoʻokumu ʻana o ke kristal. Hoʻopilikia pololei ka maʻemaʻe a me ke ʻano isotropic o ka graphite i ka hoʻokomo ʻana o ka haumia, ka hoʻolaha wela, ka wikiwiki o ka ulu ʻana o ke kristal, a me ka hanauna kīnā.

ʻOi aku ka hana o nā ipu hoʻoheheʻe graphite isostatic kiʻekiʻe ma mua o ka hana ʻana o SiC i nā ʻenehana ulu kristal Gallium Nitride (GaN) holomua. Inā hoʻohana ʻia i ka HVPE, ka ulu ʻana o ka flux, a i ʻole nā ​​​​ʻano hana hana kristal nui e kū mai ana, hāʻawi nā ipu hoʻoheheʻe graphite i kahi kūlana mahana kiʻekiʻe paʻa e kākoʻo ana i ka lawe ʻana o nā mea a me ka hoʻokumu ʻana o ka kristal me ka hoʻemi ʻana i nā pilikia haumia.

I ka hana ʻana o nā mea semiconductor epitaxial, me ka SiC epitaxy, ka ulu ʻana o ke kristal AlN, a me ka hana ʻana o ka semiconductor compound holomua, hāʻawi nā ipu hoʻoheheʻe graphite i ka like ʻana o ka thermal a me ka hana hou ʻana o ke kaʻina hana. ʻO kā lākou conductivity thermal maikaʻi loa a me ke kūʻē ʻana i ka haʻalulu thermal e hiki ai ke hana paʻa ma lalo o nā kūlana kaʻina hana koʻikoʻi, e kākoʻo ana i ka kaohi pololei o ka evaporation, sublimation, a me nā ʻano hana deposition.

He kuleana koʻikoʻi nō hoʻi nā ipu hoʻoheheʻe graphite isostatic maʻemaʻe kiʻekiʻe i ka hana ʻana i nā mea seramika holomua a me nā pauka semiconductor hanauna ʻekolu. I ka wā o ka sintering o ka silicon carbide, alumini nitride, boron nitride, a me nā keramika hana kiʻekiʻe ʻē aʻe, hāʻawi ka ipu hoʻoheheʻe i kahi ʻano paʻa kemika a me ka thermally like e paipai ana i ka densification me ka hoʻēmi ʻana i ka haumia. ʻO nā hoʻomaikaʻi hopena i ka maʻemaʻe o nā mea, ka conductivity thermal, a me ka hana mechanical he mea koʻikoʻi no nā noi mai nā ʻāpana lako semiconductor a hiki i ka hoʻopili uila mana kiʻekiʻe.

Nā ʻAno ʻOihana a me ka Hoʻomohala ʻana i ka Wā E Hiki Mai Ana

I ka hoʻomau ʻana o nā semiconductors wide-bandgap e hoʻololi i ka ʻoihana uila mana, ke piʻi wikiwiki nei ke koi no nā ipu hoʻoheheʻe graphite holomua.

Nā Koina Maʻemaʻe Loa

Pono nā noi semiconductor e hiki mai ana i nā pae haumia ma lalo o 5 ppm a, i kekahi mau hihia, e hoʻokokoke ana i 1 ppm e kākoʻo i nā nui kristal nui a me nā density kīnā haʻahaʻa.

Nā ʻenehana uhi

Ke hoʻopili nui ʻia nei nā uhi ʻili kiʻekiʻe i nā ipu hoʻoheheʻe graphite, me:

● Uhi ʻana o ka Silicon Carbide (SiC)

● Uhi ʻana o ka Tantalum Carbide (TaC)

● Uhi ʻana i ke kalapona Pyrolytic (PyC)

Hoʻonui kēia mau uhi:

● Ke kūpaʻa ʻana i ka palaho

● Paʻa wela

● Hana no ke ola holoʻokoʻa

● Ka maʻemaʻe o ke kaʻina hana

● Nā Hoʻolālā ʻIpu Hoʻoheheʻe Nui

ʻO ke kālepa ʻana o:

● Nā wafer SiC 8-'īniha

● Nā substrates GaN nui aʻe

● Nā mea semiconductor mana holomua

ke hoʻokele nei i ka hoʻomohala ʻana o nā ipu hoʻoheheʻe graphite nui aʻe a paʻa i ka dimensional hiki ke mālama i ka kaohi wela pololei ma luna o nā pōʻaiapuni hana hoʻolōʻihi.