Югары сафлыклы изостатик графит тигеле

VET Energy югары сыйфатлы продукция җитештерүгә махсуслашаЮгары сафлыклы изостатик графит тигелеярымүткәргечләр һәм алдынгы материаллар куллану өчен эшләнгән. Югары температуралы галоген чистарту процесслары аша чистартылган һәм ультра нечкә бөртекле изостатик графиттан эшләнгән графит тигельләре экстремаль эш шартларында гаҗәеп термик тотрыклылык, түбән катнашма дәрәҗәләре һәм искиткеч үлчәмле консистенция тәкъдим итә.

SiC кристаллларын үстерүдә, GaN кристаллларын җитештерүдә, эпитаксиаль материаллар җитештерүдә һәм алдынгы керамик синтезлауда киң кулланыла, югары сыйфатлыИзостатик графит тигелеs заманча ярымүткәргеч җитештерүдә кристалл сыйфатын, процесс тотрыклылыгын һәм җитештерү нәтиҗәлелеген тәэмин итүдә мөһим роль уйный.

Югары сафлыклы изостатик графит тигеле нәрсә ул?

Югары чисталыклы изостатик графит тигеле - изостатик пресслау процессы аша формалаштырылган изотроп графит материалларыннан ясалган төгәл конструкцияләнгән савыт. Гадәти формалаштырылган графит продуктлары белән чагыштырганда, изостатик графит түбәндәгеләрне тәкъдим итә:

● Барлык юнәлешләрдә дә бердәм микроструктура

● Югарырак тыгызлык һәм механик ныклык

● Югары җылылык үткәрүчәнлеге

● Термик шокка бик чыдам

● Түбән поралылык

● Бик түбән катнашмалар күләме

Чистартканнан соң, көл күләме гадәттә 5 ppm дан түбәнрәк дәрәҗәдә контрольдә тотылырга мөмкин, кайбер ярымүткәргечле материалларда катнашма дәрәҗәсе 3 ppm дан түбәнрәк була.

Бу үзенчәлекләр югары чисталыклы изостатик графит тигельләрен 2000°C тан артык югары температуралы процесслар өчен идеаль итә, анда пычрануны контрольдә тоту һәм җылылык бердәмлеге бик мөһим.

Ярымүткәргечләр җитештерүдәге рольләр

Физик пар ташу (PVT) процессын кулланып кремний карбиды (SiC) кристалларын үстерүдә, графит тигельләре чыганак материалын саклау савыты һәм җылылык кыры системасының аерылгысыз өлеше булып хезмәт итә. Гадәттә 2200°C тан югарырак температурада эшләгәндә, тигель пар ташу һәм кристалл формалашуы өчен кирәкле төгәл температура градиентларын саклап калып, үлчәм тотрыклылыгын сакларга тиеш. Графитның сафлыгы һәм изотроп структурасы катнашмаларның кушылуына, җылылык таралышына, кристалл үсеш тизлегенә һәм кимчелекләр барлыкка килүенә турыдан-туры тәэсир итә.

Югары чисталыклы изостатик графит тигельләренең роле SiC җитештерүдән тыш, алдынгы галлий нитриды (GaN) кристалл үстерү технологияләренә дә кагыла. HVPE, флюс үстерү яки яңа күпләп кристалл җитештерү ысулларында кулланылса да, графит тигельләре пычрану куркынычын минимальләштереп, материал ташуны һәм кристалл формалашуын тәэмин итүче тотрыклы югары температуралы мохит тәэмин итә.

Ярымүткәргеч эпитаксиаль материал җитештерүдә, шул исәптән SiC эпитаксиясе, AlN кристаллары үсеше һәм алдынгы кушылма ярымүткәргеч эшкәртүдә, графит тигельләре җылылык бердәмлегенә һәм процессның кабатланучанлыгына өлеш кертә. Аларның бик яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм җылылык шокына чыдамлыгы экстремаль процесс шартларында тотрыклы эшләү мөмкинлеген бирә, парга әйләнү, сублимация һәм утыру механизмнарын төгәл контрольдә тотарга ярдәм итә.

Югары сафлыклы изостатик графит тигельләре шулай ук ​​алдынгы керамик материаллар һәм өченче буын ярымүткәргеч порошоклар җитештерүдә мөһим роль уйный. Кремний карбидын, алюминий нитридын, бор нитридын һәм башка югары нәтиҗәле керамиканы киметү вакытында тигель химик яктан тотрыклы һәм термик яктан бердәм мохит тәэмин итә, ул тыгызлануны арттыра, шул ук вакытта пычрануны минимальләштерә. Нәтиҗәдә материалның сафлыгы, җылылык үткәрүчәнлеге һәм механик эшчәнлекнең яхшыруы ярымүткәргеч җиһазлар компонентларыннан алып югары куәтле электрон төргәкләргә кадәр төрле кушымталар өчен бик мөһим.

Тармак тенденцияләре һәм киләчәк үсеше

Киң полосалы ярымүткәргечләр электр электроникасы сәнәгатен үзгәртүен дәвам иткәнлектән, алдынгы графит тигельләренә ихтыяҗ тиз арта.

Бик югары чисталык таләпләре

Киләчәктә ярымүткәргечләр куллану өчен зуррак кристалл зурлыкларын һәм түбәнрәк кимчелек тыгызлыгын тәэмин итү өчен 5 ppm дан түбәнрәк катнашма дәрәҗәләре кирәк, һәм кайбер очракларда 1 ppm га якынлашу да кирәк.

Каплау технологияләре

Графит тигельләренә алдынгы өслек каплаулары кулланыла бара, шул исәптән:

● Кремний карбиды (SiC) каплавы

● Тантал карбиды (TaC) каплавы

● Пиролитик углерод (PyC) каплавы

Бу капламалар түбәндәгеләрне яхшырта:

● Коррозиягә чыдамлык

● Термик тотрыклылык

● Гомерлек эшчәнлек

● Процесс чисталыгы

● Зуррак тигель конструкцияләре

Түбәндәгеләрнең коммерцияләштерелүе:

● 8 дюймлы SiC пластиналары

● Зуррак GaN субстратлары

● Алдынгы көч ярымүткәргеч материаллар

озайтылган җитештерү цикллары вакытында төгәл җылылык контролен саклап кала алырлык зуррак, үлчәмлерәк тотрыклырак графит тигельләр эшләүне этәрә.