يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت تىرېلكىسى

VET ئېنېرگىيە شىركىتى يۇقىرى سۈپەتلىك مەھسۇلاتلارنى ئىشلەپچىقىرىشقا ئىختىساسلاشقانيۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت تىرېلكىسىيېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە ئىلغار ماتېرىياللارنىڭ تەلەپچان ئىشلىتىلىشى ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. ئۇلترا نېپىز دانلىق ئىزوستاتىك گرافىتتىن ئىشلەپچىقىرىلىپ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق گالوگېن تازىلاش جەريانلىرى ئارقىلىق تازىلانغان گرافىت تىرەكلىرىمىز ئالاھىدە ئىسسىقلىق مۇقىملىقى، تۆۋەن ئارىلاشما دەرىجىسى ۋە ئەڭ ئېغىر ئىشلىتىش شارائىتىدا ئالاھىدە ئۆلچەمدىكى قويۇقلۇق بىلەن تەمىنلەيدۇ.

SiC كرىستال ئۆستۈرۈش، GaN كرىستال ئىشلەپچىقىرىش، ئېپىتاكسىيال ماتېرىيال ئىشلەپچىقىرىش ۋە ئىلغار ساپلىق كېرامىكىسىنى پىششىقلاش قاتارلىق ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ، يۇقىرى ساپلىقئىزوستاتىك گرافىت تىرېلكىسىs زامانىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا كىرىستال سۈپىتى، جەرياننىڭ مۇقىملىقى ۋە ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنى كاپالەتلەندۈرۈشتە مۇھىم رول ئوينايدۇ.

يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت قېپى دېگەن نېمە؟

يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت قېپى ئىزوستاتىك بېسىش جەريانى ئارقىلىق شەكىللەنگەن ئىزوستاتىك گرافىت ماتېرىياللىرىدىن ياسالغان ئېنىقلىق بىلەن لايىھەلەنگەن قاچا. ئادەتتىكى قېلىپلانغان گرافىت مەھسۇلاتلىرىغا سېلىشتۇرغاندا، ئىزوستاتىك گرافىت تۆۋەندىكىدەك ئىقتىدارلارغا ئىگە:

● ھەممە يۆنىلىشتە بىردەك مىكرو قۇرۇلما

● يۇقىرى زىچلىق ۋە مېخانىكىلىق كۈچ

● ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى يۇقىرى

● ئىسسىقلىق سوقۇلۇشىغا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ناھايىتى ياخشى

● تۆشۈكلۈك دەرىجىسى تۆۋەن

● ئىنتايىن تۆۋەن ئارىلاشما ماددىلارنىڭ مىقدارى

تازىلانغاندىن كېيىن، كۈل مىقدارى ئادەتتە 5 ppm دىن تۆۋەن بولىدۇ، بەزى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ دەرىجىلىك ماتېرىياللارنىڭ ئارىلاشما دەرىجىسى 3 ppm دىن تۆۋەن بولىدۇ.

بۇ ئالاھىدىلىكلەر يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت تىرېخلىرىنى 2000 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق جەريانلارغا ماس كېلىدۇ، چۈنكى بۇ جەريانلاردا بۇلغىنىشنى كونترول قىلىش ۋە ئىسسىقلىقنىڭ بىردەكلىكى مۇھىم.

يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىشتىكى روللار

فىزىكىلىق پار توشۇش (PVT) جەريانى ئارقىلىق كرېمنىي كاربىد (SiC) كرىستال ئۆستۈرۈشتە، گرافىت تىرېلكىسى مەنبە ماتېرىيال ساقلاش قاچىسى ۋە ئىسسىقلىق مەيدانى سىستېمىسىنىڭ ئايرىلماس بىر قىسمى سۈپىتىدە خىزمەت قىلىدۇ. ئادەتتە 2200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىشلەيدىغان تىرېلكىسى پار توشۇش ۋە كرىستال شەكىللىنىشى ئۈچۈن زۆرۈر بولغان ئېنىق تېمپېراتۇرا گرادىيېنتىنى ساقلاپ تۇرۇش بىلەن بىر ۋاقىتتا ئۆلچەملىك مۇقىملىقنى ساقلىشى كېرەك. گرافىتنىڭ ساپلىقى ۋە ئىزوتروپ قۇرۇلمىسى بىۋاسىتە ئارىلاشمىلارنىڭ قوشۇلۇشى، ئىسسىقلىق تەقسىملىنىشى، كرىستال ئۆسۈش سۈرئىتى ۋە نۇقسان پەيدا بولۇشىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ.

يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت قېپىنىڭ رولى SiC ئىشلەپچىقىرىشتىن باشقا، ئىلغار گاللىي نىترىد (GaN) كىرىستال ئۆستۈرۈش تېخنىكىسىغىچە كېڭەيدى. HVPE، ئاقما ئۆستۈرۈش ياكى يېڭىدىن بارلىققا كېلىۋاتقان كۆپ مىقداردىكى كىرىستال ئىشلەپچىقىرىش ئۇسۇللىرىدا ئىشلىتىلىشىدىن قەتئىينەزەر، گرافىت قېپى ماتېرىيال توشۇش ۋە كىرىستال شەكىللىنىشىنى قوللايدىغان مۇقىم يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىت بىلەن تەمىنلەيدۇ، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا بۇلغىنىش خەۋپىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرىدۇ.

SiC ئېپىتاكسىيەسى، AlN كرىستال ئۆستۈرۈش ۋە ئىلغار بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پىششىقلاش قاتارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئېپىتاكسىيە ماتېرىيال ئىشلەپچىقىرىشتا، گرافىت كىرېد تېمپېراتۇرا بىردەكلىكى ۋە جەرياننىڭ تەكرارلىنىشىغا تۆھپە قوشىدۇ. ئۇلارنىڭ ئېسىل ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئىسسىقلىق سوقۇلۇشىغا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ئىنتايىن ئېغىر جەريان شارائىتىدا مۇقىم ئىشلەشكە شارائىت يارىتىپ، پارغا ئايلىنىش، سۇبلىماتسىيە ۋە چۆكمە مېخانىزمىنى ئېنىق كونترول قىلىشقا ياردەم بېرىدۇ.

يۇقىرى ساپلىقتىكى ئىزوستاتىك گرافىت قېپى ئىلغار كېرامىكا ماتېرىياللىرى ۋە ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پاراشوكلىرىنى ئىشلەپچىقىرىشتىمۇ مۇھىم رول ئوينايدۇ. كرېمنىي كاربىد، ئاليۇمىن نىترىد، بور نىترىد ۋە باشقا يۇقىرى ئىقتىدارلىق كېرامىكىلارنى پىشۇرۇش جەريانىدا، قېپى خىمىيىلىك جەھەتتىن مۇقىم ۋە ئىسسىقلىق جەھەتتىن بىردەك مۇھىت بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇ زىچلىشىشنى ئىلگىرى سۈرۈپ، بۇلغىنىشنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرىدۇ. نەتىجىدە ماتېرىيال ساپلىقى، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە مېخانىكىلىق ئىقتىدارنىڭ ياخشىلىنىشى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ زاپچاسلىرىدىن تارتىپ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ئورالمىلارغىچە بولغان ھەر خىل قوللىنىشچان پروگراممىلار ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم.

كەسىپ يۈزلىنىشلىرى ۋە كەلگۈسى تەرەققىياتى

كەڭ بەلباغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر ئېلېكترون سانائىتىنى ئۆزگەرتىشنى داۋاملاشتۇرۇۋاتقانلىقتىن، ئىلغار گرافىت تىرېلكىسىغا بولغان ئېھتىياج تېز سۈرئەتتە ئېشىۋاتىدۇ.

ئىنتايىن يۇقىرى ساپلىق تەلىپى

كەلگۈسىدىكى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قوللىنىشلىرى چوڭراق كىرىستال چوڭلۇقى ۋە تۆۋەنرەك نۇقسان زىچلىقىنى قوللاش ئۈچۈن، ئارىلاشما مىقدارى 5 ppm دىن تۆۋەن، بەزى ئەھۋاللاردا 1 ppm غا يېقىنلىشىشىنى تەلەپ قىلىدۇ.

قاپلاش تېخنىكىسى

گرافىت قېپىغا ئىلغار يۈزەكى سىرلار بارغانسېرى كۆپ قوللىنىلىۋاتىدۇ، بۇنىڭ ئىچىدە:

● كرېمنىي كاربىد (SiC) قاپلاش

● تانتال كاربىد (TaC) قاپلاش

● پىرولىزلىق كاربون (PyC) قاپلاش

بۇ قاپلاملار تۆۋەندىكىلەرنى ياخشىلايدۇ:

● چىرىشكە چىداملىق

● ئىسسىقلىق مۇقىملىقى

● ئۆمۈرلۈك ئىقتىدار

● جەرياننىڭ پاكىزلىقى

● چوڭراق تىرەك لايىھەلىرى

تۆۋەندىكىلەرنىڭ سودالىشىشى:

● 8 دىيۇملۇق SiC ۋافېرلىرى

● چوڭراق GaN ئاساسىي ماددىلىرى

● ئىلغار ئېلېكتر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى

ئۇزۇن ئىشلەپچىقىرىش دەۋرىيلىكى جەريانىدا ئېنىق ئىسسىقلىق كونتروللۇقىنى ساقلىيالايدىغان، تېخىمۇ چوڭ، تېخىمۇ ئۆلچەملىك مۇقىم گرافت تىرېلكىسىنىڭ تەرەققىياتىغا تۈرتكە بولۇۋاتىدۇ.