Жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигелі

VET Energy жоғары сапалы өнімдерді өндіруге маманданғанЖоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигеліжартылай өткізгіштер мен озық материалдарды қолдануды талап ететін талаптарға сай жасалған. Ультра ұсақ түйіршікті изостатикалық графиттен жасалған және жоғары температуралы галогенді тазарту процестері арқылы тазартылған біздің графит тигельдеріміз ерекше термиялық тұрақтылықты, төмен қоспа деңгейін және экстремалды жұмыс жағдайларында тамаша өлшемдік консистенцияны ұсынады.

SiC кристалдарын өсіруде, GaN кристалдарын өндіруде, эпитаксиалды материалдарды өндіруде және жоғары сапалы керамикалық күйдіруде кеңінен қолданылады.Изостатикалық графит тигеліs қазіргі заманғы жартылай өткізгіш өндірісінде кристалл сапасын, процестің тұрақтылығын және өндіріс тиімділігін қамтамасыз етуде маңызды рөл атқарады.

Жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигелі дегеніміз не?

Жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигелі - изостатикалық престеу процесі арқылы түзілген изотропты графит материалдарынан жасалған дәлдікпен жасалған ыдыс. Дәстүрлі қалыпталған графит өнімдерімен салыстырғанда, изостатикалық графит келесі мүмкіндіктерді ұсынады:

● Барлық бағыттар бойынша біркелкі микроқұрылым

● Жоғары тығыздық және механикалық беріктік

● Жоғары жылу өткізгіштік

● Термиялық соққыға төзімділігі өте жақсы

● Төмен кеуектілік

● Қоспа мөлшері өте төмен

Тазартудан кейін күлдің мөлшерін әдетте 5 ppm-ден төмен бақылауға болады, ал кейбір жартылай өткізгіш материалдардың қоспа деңгейі 3 ppm-ден төмен болады.

Бұл сипаттамалар жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигельдерін ластануды бақылау және термиялық біркелкілік маңызды болып табылатын 2000°C-тан асатын жоғары температуралы процестер үшін өте қолайлы етеді.

Жартылай өткізгіштер өндірісіндегі рөлдер

Физикалық бу тасымалдау (PVT) процесін қолдана отырып, кремний карбиді (SiC) кристалдарын өсіруде графит тигельдері бастапқы материалды сақтауға арналған ыдыс және жылу өрісі жүйесінің ажырамас бөлігі ретінде қызмет етеді. Әдетте 2200°C-тан асатын температурада жұмыс істейтін тигель бу тасымалдау және кристалдардың пайда болуы үшін қажетті дәл температура градиенттерін сақтай отырып, өлшемдік тұрақтылықты сақтауы керек. Графиттің тазалығы мен изотропты құрылымы қоспалардың енуіне, жылулық таралуына, кристалдардың өсу жылдамдығына және ақаулардың пайда болуына тікелей әсер етеді.

Жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигельдерінің рөлі SiC өндірісінен тыс, галлий нитридін (GaN) кристалды өсірудің озық технологияларына дейін кеңейеді. HVPE, флюсті өсіру немесе жаңадан пайда болатын кристалды өндіру әдістерінде қолданылса да, графит тигельдері ластану қаупін азайта отырып, материалдың тасымалдануы мен кристалдың пайда болуын қолдайтын тұрақты жоғары температуралы ортаны қамтамасыз етеді.

SiC эпитаксиясын, AlN кристалдарын өсіруді және озық қосылыс жартылай өткізгіштерді өңдеуді қоса алғанда, жартылай өткізгіш эпитаксиалды материал өндірісінде графит тигельдері жылу біркелкілігіне және процестің қайталануына ықпал етеді. Олардың тамаша жылу өткізгіштігі және жылу соққысына төзімділігі экстремалды процесс жағдайларында тұрақты жұмыс істеуге мүмкіндік береді, булану, сублимация және тұндыру механизмдерін дәл басқаруды қолдайды.

Жоғары тазалықтағы изостатикалық графит тигельдері сонымен қатар озық керамикалық материалдар мен үшінші буын жартылай өткізгіш ұнтақтарын өндіруде маңызды рөл атқарады. Кремний карбидін, алюминий нитридін, бор нитридін және басқа да жоғары өнімді керамиканы күйдіру кезінде тигель ластануды азайта отырып, тығыздауға ықпал ететін химиялық тұрақты және термиялық біркелкі ортаны қамтамасыз етеді. Нәтижесінде материалдың тазалығының, жылу өткізгіштігінің және механикалық өнімділігінің жақсаруы жартылай өткізгіш жабдық компоненттерінен бастап жоғары қуатты электрондық қаптамаға дейінгі қолданбалар үшін өте маңызды.

Салалық үрдістер және болашақ даму

Кең жолақты жартылай өткізгіштер энергетикалық электроника өнеркәсібін трансформациялауды жалғастырған сайын, озық графит тигельдерге деген сұраныс тез артып келеді.

Өте жоғары тазалық талаптары

Болашақ жартылай өткізгіштерді қолдану үшін үлкен кристалл өлшемдерін және төмен ақау тығыздығын қолдау үшін қоспа деңгейлері 5 ppm-ден төмен және кейбір жағдайларда 1 ppm-ге жақындауы керек.

Жабу технологиялары

Графит тигельдеріне кеңейтілген беттік жабындар барған сайын көбірек қолданылады, соның ішінде:

● Кремний карбиді (SiC) жабыны

● Тантал карбиді (TaC) жабыны

● Пиролиттік көміртек (PyC) жабыны

Бұл жабындар келесі қасиеттерді жақсартады:

● Коррозияға төзімділік

● Термиялық тұрақтылық

● Өмір бойы өнімділік

● Процесс тазалығы

● Үлкенірек тигель конструкциялары

Коммерцияландыру:

● 8 дюймдік SiC пластиналары

● Үлкен GaN субстраттары

● Жетілдірілген қуатты жартылай өткізгіш материалдар

ұзақ өндіріс циклдарында дәл термиялық бақылауды сақтай алатын үлкенірек, өлшемді тұрақты графит тигельдерін әзірлеуді ынталандыруда.