Жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигели

VET Energy жогорку сапаттагы продукцияларды чыгарууга адистешкенЖогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигелиталап кылынган жарым өткөргүчтөрдү жана өнүккөн материалдарды колдонуу үчүн иштелип чыккан. Өтө майда дандуу изостатикалык графиттен жасалган жана жогорку температурадагы галоген тазалоо процесстери аркылуу тазаланган биздин графит тигельдери өзгөчө жылуулук туруктуулугун, кошулманын төмөн деңгээлин жана өтө оор иштөө шарттарында эң сонун өлчөмдүү консистенцияны камсыз кылат.

SiC кристаллдарын өстүрүүдө, GaN кристаллдарын өндүрүүдө, эпитаксиалдык материалдарды өндүрүүдө жана өнүккөн керамикалык бышырууда кеңири колдонулат, жогорку тазалыкИзостатикалык графит тигелиs заманбап жарым өткөргүч өндүрүшүндө кристаллдын сапатын, процесстин туруктуулугун жана өндүрүштүн натыйжалуулугун камсыз кылууда маанилүү ролду ойнойт.

Жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигели деген эмне?

Жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигели – бул изостатикалык пресстөө процесси аркылуу пайда болгон изотроптук графит материалдарынан жасалган так инженердик идиш. Кадимки калыпка салынган графит продукциялары менен салыштырганда, изостатикалык графит төмөнкүлөрдү сунуштайт:

● Бардык багыттар боюнча бирдей микроструктура

● Жогорку тыгыздык жана механикалык бекемдик

● Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү

● Термикалык соккуларга эң сонун туруктуулук

● Төмөн кеуектүүлүк

● Өтө аз кошулма курамы

Тазалангандан кийин, күлдүн курамын адатта 5 ppmден төмөн көзөмөлдөөгө болот, ал эми жарым өткөргүчтөрдүн айрым класстагы материалдары 3 ppmден төмөн кошулма деңгээлине жетишет.

Бул мүнөздөмөлөр жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигельдерин булганууну көзөмөлдөө жана жылуулук бирдейлиги маанилүү болгон 2000°C ашкан жогорку температурадагы процесстер үчүн идеалдуу кылат.

Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүүдөгү ролдор

Физикалык буу ташуу (PVT) процессин колдонуу менен кремний карбидин (SiC) кристалл өстүрүүдө графит тигельдери баштапкы материалды сактоочу идиш жана жылуулук талаасынын ажырагыс бөлүгү катары кызмат кылат. Адатта 2200°C жогору температурада иштеген тигель буу ташуу жана кристаллдардын пайда болушу үчүн талап кылынган так температура градиенттерин кармап туруу менен бирге өлчөмдүү туруктуулукту сакташы керек. Графиттин тазалыгы жана изотроптук түзүлүшү кошулмалардын кошулушуна, жылуулук бөлүштүрүлүшүнө, кристаллдардын өсүү ылдамдыгына жана кемчиликтердин пайда болушуна түздөн-түз таасир этет.

Жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигельдеринин ролу SiC өндүрүшүнөн тышкары, галлий нитридин (GaN) кристалл өстүрүүнүн өнүккөн технологияларына чейин жайылтылат. HVPEде, флюс өстүрүүдө же жаңыдан пайда болуп жаткан кристалл өндүрүш ыкмаларында колдонулса да, графит тигельдер булгануу коркунучун минималдаштыруу менен бирге материалдардын ташылышын жана кристаллдардын пайда болушун колдогон туруктуу жогорку температуралуу чөйрөнү камсыз кылат.

SiC эпитаксиясын, AlN кристаллдарын өстүрүүнү жана өнүккөн кошулма жарым өткөргүчтөрдү иштетүүнү камтыган жарым өткөргүч эпитаксиалдык материалдарды өндүрүүдө графит тигельдери жылуулуктун бирдейлигине жана процесстин кайталанышына өбөлгө түзөт. Алардын эң сонун жылуулук өткөрүмдүүлүгү жана жылуулук шокторуна туруктуулугу экстремалдык процесс шарттарында туруктуу иштөөгө мүмкүндүк берет, буулануу, сублимация жана чөкмө механизмдерин так башкарууну колдойт.

Жогорку тазалыктагы изостатикалык графит тигельдери ошондой эле өнүккөн керамикалык материалдарды жана үчүнчү муундагы жарым өткөргүч порошокторду өндүрүүдө маанилүү ролду ойнойт. Кремний карбидин, алюминий нитридин, бор нитридин жана башка жогорку өндүрүмдүү керамиканы бышыруу учурунда тигель булганууну минималдаштыруу менен тыгыздашууга өбөлгө түзгөн химиялык жактан туруктуу жана жылуулук жагынан бирдей чөйрөнү камсыз кылат. Натыйжада материалдын тазалыгынын, жылуулук өткөрүмдүүлүгүнүн жана механикалык көрсөткүчтөрүнүн жакшырышы жарым өткөргүч жабдуулардын компоненттеринен баштап жогорку кубаттуулуктагы электрондук таңгактарга чейинки колдонмолор үчүн абдан маанилүү.

Тармактын тенденциялары жана келечектеги өнүгүүсү

Кең тилкелүү жарым өткөргүчтөр электр электроникасы тармагын трансформациялоону улантып жаткандыктан, өнүккөн графит тигельдерге суроо-талап тездик менен өсүүдө.

Өтө жогорку тазалык талаптары

Келечектеги жарым өткөргүчтөрдү колдонуу үчүн чоңураак кристалл өлчөмдөрүн жана төмөнкү кемчиликтердин тыгыздыгын колдоо үчүн 5 ppmден төмөн жана кээ бир учурларда 1 ppmге жакын кошулма деңгээли талап кылынат.

Каптоо технологиялары

Графит тигельдерине өркүндөтүлгөн беттик каптоолор барган сайын көбүрөөк колдонулууда, анын ичинде:

● Кремний карбиди (SiC) каптоо

● Тантал карбиди (TaC) каптоо

● Пиролиттик көмүртек (PyC) менен каптоо

Бул каптамалар төмөнкүлөрдү жакшыртат:

● Коррозияга туруктуулук

● Термикалык туруктуулук

● Өмүр бою аткаруу

● Процесстин тазалыгы

● Чоңураак тигель конструкциялары

Төмөнкүлөрдү коммерциялаштыруу:

● 8 дюймдук SiC пластиналары

● Чоңураак GaN субстраттары

● Өркүндөтүлгөн кубаттуулуктагы жарым өткөргүч материалдар

узак өндүрүш циклдеринде так жылуулук көзөмөлүн сактоого жөндөмдүү чоңураак, өлчөмдүү туруктуу графит тигельдерин иштеп чыгууга түрткү болууда.