Háhreinleiki ísostatísk grafítdeigla

Stutt lýsing:

Háhreinar ísóstatískar grafítdeiglur frá VET Energy eru hannaðar til að uppfylla strangar kröfur um vöxt hálfleiðarakristalla og vinnslu á efnum við háan hita. Framleiddar úr fínkornuðu ísóstatísku grafíti og hreinsaðar samkvæmt hálfleiðarastöðlum. Grafítdeiglur okkar eru mikið notaðar í SiC kristallavöxt með PVT ferlinu, GaN kristallaframleiðslu, hálfleiðara epitaxíu og háþróaðri keramik sintrun, og þjóna sem mikilvægir hitasviðsþættir sem styðja nákvæma hitastýringu, mengunarminnkun og stöðugleika ferlisins.


Vöruupplýsingar

Vörumerki

VET Energy sérhæfir sig í framleiðslu á hágæðaHáhreinleiki ísostatískt grafítdeiglaHannað fyrir krefjandi notkun í hálfleiðurum og háþróuðum efnum. Grafítdeiglur okkar eru framleiddar úr fínkornuðu ísostatískri grafít og hreinsaðar með háhita halógenhreinsunarferlum. Þær bjóða upp á einstakan hitastöðugleika, lágt óhreinindastig og framúrskarandi víddarstöðugleika við erfiðar rekstraraðstæður.

Víða notað í SiC kristalvöxt, GaN kristalframleiðslu, framleiðslu á epitaxial efni og háþróaðri keramik sintrun, mikil hreinleikiÍsóstatísk grafítdeiglagegna lykilhlutverki í að tryggja gæði kristal, stöðugleika ferla og skilvirkni framleiðslu í nútíma hálfleiðaraframleiðslu.

Hvað er ísóstatísk grafítdeigla með mikilli hreinleika?

Háhrein ísostatísk grafítdeigla er nákvæmnishannað ílát framleitt úr ísótrópískum grafítefnum sem mynduð eru með ísostatískri pressun. Í samanburði við hefðbundnar mótaðar grafítvörur býður ísostatísk grafít upp á:

● Jafn örbygging í allar áttir

● Meiri þéttleiki og vélrænn styrkur

● Yfirburða varmaleiðni

● Frábær hitaáfallsþol

● Lítil gegndræpi

● Mjög lágt óhreinindainnihald

Eftir hreinsun er hægt að stjórna öskuinnihaldi yfirleitt undir 5 ppm, en sum hálfleiðaraefni ná óhreinindastigi undir 3 ppm.

Þessir eiginleikar gera hágæða ísóstatískar grafítdeiglur tilvaldar fyrir háhitaferli yfir 2.000°C, þar sem mengunarstjórnun og hitajöfnun eru nauðsynleg.

Hlutverk í framleiðslu hálfleiðara

Í kristallavöxt kísilkarbíðs (SiC) með því að nota PVT-aðferðina (eðlisfræðilegan gufuflutning) virka grafítdeiglur bæði sem ílát fyrir upprunaefnið og óaðskiljanlegur hluti af varmasviðskerfinu. Þegar deiglan starfar við hitastig sem yfirleitt fer yfir 2.200°C verður hún að viðhalda víddarstöðugleika en styðja jafnframt nákvæman hitahalla sem þarf fyrir gufuflutning og kristallamyndun. Hreinleiki og ísótrópísk uppbygging grafítsins hefur bein áhrif á innlimun óhreininda, varmadreifingu, kristallavaxtarhraða og gallamyndun.

Hlutverk hágæða ísóstatískra grafítdeigla nær lengra en SiC framleiðslu og nær einnig til háþróaðrar tækni til vaxtar gallíumnítríðs (GaN) kristalla. Hvort sem þær eru notaðar í HVPE, flæðisvexti eða nýjum aðferðum til framleiðslu á lausu kristöllum, þá veita grafítdeiglur stöðugt umhverfi við háan hita sem styður við flutning efnis og kristallamyndun og lágmarkar um leið mengunarhættu.

Í framleiðslu á epitaxial efnum úr hálfleiðurum, þar á meðal SiC epitaxi, AlN kristallavöxt og háþróaðri vinnslu á efnasamböndum úr hálfleiðurum, stuðla grafítdeiglur að hitauppstreymi og endurtekningarhæfni ferla. Framúrskarandi hitaleiðni þeirra og viðnám gegn hitaáfalli gerir kleift að nota stöðugan rekstur við erfiðar aðstæður í ferlinu og styðja nákvæma stjórn á uppgufun, sublimation og útfellingarferlum.

Háhreinar ísóstatískar grafítdeiglur gegna einnig mikilvægu hlutverki í framleiðslu á háþróuðum keramikefnum og þriðju kynslóðar hálfleiðardufti. Við sintrun kísillkarbíðs, álnítríðs, bórnítríðs og annarra afkastamikilla keramikefna veitir deiglan efnafræðilega stöðugt og hitauppstreymt umhverfi sem stuðlar að þéttingu og lágmarkar mengun. Þessar úrbætur á hreinleika efnisins, varmaleiðni og vélrænni afköstum eru mikilvægar fyrir notkun allt frá íhlutum hálfleiðarabúnaðar til rafeindaumbúða með miklum afli.

Iðnaðarþróun og framtíðarþróun

Þar sem hálfleiðarar með breitt bandbil halda áfram að umbreyta rafeindaiðnaðinum, eykst eftirspurnin eftir háþróuðum grafítdeiglum hratt.

Kröfur um mjög mikla hreinleika

Framtíðarforrit hálfleiðara krefjast óhreinindastigs undir 5 ppm og í sumum tilfellum nálgast 1 ppm til að styðja við stærri kristallastærðir og lægri gallaþéttleika.

Húðunartækni

Ítarlegri yfirborðshúðun er í auknum mæli notuð á grafítdeiglur, þar á meðal:

● Kísilkarbíðhúðun (SiC)

● Tantalkarbíðhúðun (TaC)

● Húðun með brennisteinsbrunni (PyC)

Þessar húðanir bæta:

● Tæringarþol

● Hitastöðugleiki

● Ævilangur árangur

● Hreinlæti í ferlinu

● Stærri deigluhönnun

Viðskiptavæðing á:

● 8 tommu SiC-skífur

● Stærri GaN undirlag

● Háþróuð aflgjafarefni

er að knýja áfram þróun stærri og víddarstöðugri grafítdeigla sem geta viðhaldið nákvæmri hitastýringu yfir lengri framleiðsluferli.


  • Fyrri:
  • Næst:

  • WhatsApp spjall á netinu!