व्हीईटी एनर्जी उच्च-गुणवत्तेच्या उत्पादनांमध्ये विशेषज्ञ आहे.उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबलहे आव्हानात्मक सेमीकंडक्टर आणि प्रगत सामग्रीच्या अनुप्रयोगांसाठी डिझाइन केलेले आहे. अति-सूक्ष्म कणांच्या आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइटपासून तयार केलेले आणि उच्च-तापमान हॅलोजन शुद्धीकरण प्रक्रियेद्वारे शुद्ध केलेले, आमचे ग्रॅफाइट क्रुसिबल्स अत्यंत कठीण कार्य परिस्थितीतही अपवादात्मक औष्णिक स्थिरता, कमी अशुद्धता पातळी आणि उत्कृष्ट आयामी सुसंगतता देतात.
एसआयसी क्रिस्टल वाढ, जीएएन क्रिस्टल उत्पादन, एपिटॅक्सियल मटेरियल मॅन्युफॅक्चरिंग आणि प्रगत सिरेमिक सिंटरिंगमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते, उच्च-शुद्धताआयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबलआधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये क्रिस्टलची गुणवत्ता, प्रक्रियेची स्थिरता आणि उत्पादन कार्यक्षमता सुनिश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात.
उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबल म्हणजे काय?
उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबल हे आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग प्रक्रियेद्वारे तयार केलेल्या आयसोट्रॉपिक ग्रॅफाइट सामग्रीपासून बनवलेले एक अचूक अभियांत्रिकी पात्र आहे. पारंपारिक मोल्डेड ग्रॅफाइट उत्पादनांच्या तुलनेत, आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट खालील फायदे देते:
● सर्व दिशांमध्ये एकसमान सूक्ष्मसंरचना
● उच्च घनता आणि यांत्रिक शक्ती
● उत्कृष्ट औष्णिक वाहकता
● उत्कृष्ट औष्णिक धक्का प्रतिरोधकता
● कमी सच्छिद्रता
● अत्यंत कमी अशुद्धता प्रमाण
शुद्धीकरणानंतर, राखेचे प्रमाण सामान्यतः ५ पीपीएम पेक्षा कमी नियंत्रित केले जाऊ शकते, तर काही सेमीकंडक्टर-ग्रेड सामग्रीमध्ये अशुद्धतेची पातळी ३ पीपीएम पेक्षा कमी असते.
या वैशिष्ट्यांमुळे उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबल्स 2,000°C पेक्षा जास्त तापमानाच्या प्रक्रियांसाठी आदर्श ठरतात, जिथे दूषण नियंत्रण आणि औष्णिक एकसमानता अत्यावश्यक असते.
सेमीकंडक्टर उत्पादनातील भूमिका
फिजिकल व्हेपर ट्रान्सपोर्ट (PVT) प्रक्रियेचा वापर करून सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) स्फटिकांच्या वाढीमध्ये, ग्रॅफाइट क्रुसिबल हे स्रोत सामग्री ठेवण्याचे पात्र आणि औष्णिक क्षेत्र प्रणालीचा एक अविभाज्य भाग अशा दोन्ही भूमिका बजावतात. साधारणपणे २,२००°C पेक्षा जास्त तापमानात कार्यरत असताना, क्रुसिबलला बाष्प वहन आणि स्फटिक निर्मितीसाठी आवश्यक असलेले अचूक तापमान प्रवणता टिकवून ठेवताना आकारमान स्थिरता राखणे आवश्यक असते. ग्रॅफाइटची शुद्धता आणि समदिश रचना यांचा अशुद्धीचे एकत्रीकरण, औष्णिक वितरण, स्फटिक वाढीचा दर आणि दोष निर्मिती यांवर थेट परिणाम होतो.
उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबल्सची भूमिका SiC उत्पादनापलीकडे प्रगत गॅलियम नायट्राइड (GaN) क्रिस्टल वाढ तंत्रज्ञानामध्ये विस्तारते. HVPE, फ्लक्स ग्रोथ, किंवा उदयोन्मुख बल्क क्रिस्टल उत्पादन पद्धतींमध्ये वापरले जात असले तरी, ग्रॅफाइट क्रुसिबल्स एक स्थिर उच्च-तापमानाचे वातावरण प्रदान करतात, जे दूषित होण्याचा धोका कमी करताना सामग्रीच्या वहनास आणि क्रिस्टल निर्मितीस मदत करते.
एसआयसी एपिटॅक्सी, एएलएन क्रिस्टल ग्रोथ आणि प्रगत कंपाऊंड सेमीकंडक्टर प्रोसेसिंग यांसारख्या सेमीकंडक्टर एपिटॅक्सियल मटेरियलच्या उत्पादनात, ग्रॅफाइट क्रुसिबल्स थर्मल एकसमानता आणि प्रक्रियेच्या पुनरावृत्तीक्षमतेसाठी योगदान देतात. त्यांची उत्कृष्ट औष्णिक वाहकता आणि थर्मल शॉकला असलेला प्रतिकार, अत्यंत कठीण प्रक्रिया परिस्थितीतही स्थिर कार्यप्रणाली सक्षम करते, ज्यामुळे बाष्पीभवन, सब्लिमेशन आणि डिपॉझिशनच्या यंत्रणांवर अचूक नियंत्रण ठेवण्यास मदत होते.
उच्च-शुद्धता आयसोस्टॅटिक ग्रॅफाइट क्रुसिबल्स प्रगत सिरॅमिक सामग्री आणि तिसऱ्या पिढीच्या सेमीकंडक्टर पावडरच्या उत्पादनातही महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात. सिलिकॉन कार्बाइड, ॲल्युमिनियम नायट्राइड, बोरॉन नायट्राइड आणि इतर उच्च-कार्यक्षमता सिरॅमिक्सच्या सिंटरिंग दरम्यान, क्रुसिबल एक रासायनिकदृष्ट्या स्थिर आणि औष्णिकदृष्ट्या एकसमान वातावरण प्रदान करते, जे दूषितीकरण कमी करून घनता वाढवण्यास प्रोत्साहन देते. यामुळे सामग्रीची शुद्धता, औष्णिक वाहकता आणि यांत्रिक कार्यक्षमतेत होणारी सुधारणा, सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या घटकांपासून ते उच्च-शक्तीच्या इलेक्ट्रॉनिक पॅकेजिंगपर्यंतच्या अनुप्रयोगांसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
उद्योग क्षेत्रातील कल आणि भविष्यातील विकास
वाइड-बँडगॅप सेमीकंडक्टर पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगात परिवर्तन घडवत असल्यामुळे, प्रगत ग्राफाइट क्रुसिबलची मागणी झपाट्याने वाढत आहे.
अत्यंत उच्च शुद्धतेच्या आवश्यकता
भविष्यातील सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगांमध्ये मोठ्या क्रिस्टल आकारांना आणि कमी दोष घनतेला समर्थन देण्यासाठी अशुद्धतेची पातळी 5 ppm पेक्षा कमी आणि काही प्रकरणांमध्ये 1 ppm च्या जवळपास असणे आवश्यक आहे.
कोटिंग तंत्रज्ञान
ग्राफाईट क्रुसिबलवर वाढत्या प्रमाणात प्रगत पृष्ठभागीय लेप लावले जातात, ज्यामध्ये खालील गोष्टींचा समावेश आहे:
● सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) लेपन
● टँटॅलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग
● पायरोलिटिक कार्बन (PyC) कोटिंग
हे लेप खालील गोष्टींची सुधारणा करतात:
● गंजरोधकता
● औष्णिक स्थिरता
● आजीवन कामगिरी
● प्रक्रियेची स्वच्छता
● मोठ्या क्रुसिबल डिझाइन्स
याचे व्यापारीकरण:
● ८-इंची एसआयसी वेफर्स
● मोठे GaN सबस्ट्रेट्स
● प्रगत पॉवर सेमीकंडक्टर साहित्य
मोठ्या, अधिक स्थिर आकाराच्या ग्रॅफाइट क्रुसिबलच्या विकासाला चालना देत आहे, जे दीर्घ उत्पादन चक्रांमध्ये अचूक औष्णिक नियंत्रण राखण्यास सक्षम आहेत.
