သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucible

VET Energy သည် ပရီမီယံအရည်အသွေးမြင့်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အထူးပြုပါသည်။သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucibleလိုအပ်ချက်မြင့်မားသော semiconductor နှင့် အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများအသုံးချမှုများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အလွန်ကောင်းမွန်သော isostatic graphite မှထုတ်လုပ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော halogen သန့်စင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များမှတစ်ဆင့် သန့်စင်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ graphite crucibles များသည် အလွန်အမင်းလည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် ထူးကဲသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ မသန့်စင်မှုအဆင့်နိမ့်ကျမှုနှင့် ထူးကဲသောအတိုင်းအတာတသမတ်တည်းရှိမှုကို ပေးစွမ်းသည်။

SiC ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားခြင်း၊ GaN ပုံဆောင်ခဲ ထုတ်လုပ်မှု၊ epitaxial ပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အဆင့်မြင့် ကြွေထည် sintering တို့တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး၊ မြင့်မားသော သန့်ရှင်းမှု ရှိသည်။အိုင်ဆိုစတက်တစ် ဂရပ်ဖိုက် ဒယ်အိုးခေတ်မီ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတစ်လျှောက်တွင် ပုံဆောင်ခဲ အရည်အသွေး၊ လုပ်ငန်းစဉ် တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှုတို့ကို သေချာစေရန် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။

သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucible ဆိုတာဘာလဲ။

သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucible သည် isostatic pressing လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် ဖွဲ့စည်းထားသော isotropic graphite ပစ္စည်းများမှ ထုတ်လုပ်ထားသော တိကျစွာအင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားသော ကွန်တိန်နာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ရိုးရာပုံသွင်းထားသော graphite ထုတ်ကုန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက isostatic graphite သည် အောက်ပါတို့ကို ပေးစွမ်းသည်-

● အရပ်မျက်နှာအားလုံးတွင် တစ်ပြေးညီ မိုက်ခရိုဖွဲ့စည်းပုံ

● မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအစွမ်းသတ္တိ

● သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း

● အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် အလွန်ကောင်းမွန်ခြင်း

● အပေါက်ငယ်များ နည်းပါးခြင်း

● အညစ်အကြေးပါဝင်မှု အလွန်နည်းသည်

သန့်စင်ပြီးနောက်၊ ပြာပါဝင်မှုကို ပုံမှန်အားဖြင့် 5 ppm အောက်တွင် ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး၊ semiconductor-grade ပစ္စည်းအချို့သည် မသန့်စင်မှုအဆင့်ကို 3 ppm အောက်တွင် ရရှိကြသည်။

ဤဝိသေသလက္ခဏာများသည် ညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်ခြင်းနှင့် အပူချိန်တူညီမှု မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည့် 2,000°C ထက်ကျော်လွန်သော အပူချိန်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် High-Purity Isostatic Graphite Crucibles များကို အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်စေသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် အခန်းကဏ္ဍများ

Physical Vapor Transport (PVT) လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ Silicon Carbide (SiC) ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုတွင်၊ ဂရပ်ဖိုက် crucibles များသည် အရင်းအမြစ်ပစ္စည်း ထိန်းချုပ်မှုအိုးအဖြစ်နှင့် အပူစက်ကွင်းစနစ်၏ မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် 2,200°C ထက်ကျော်လွန်သော အပူချိန်များတွင် လည်ပတ်နေသော crucible သည် အငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းခြင်းအတွက် လိုအပ်သော တိကျသော အပူချိန် gradient များကို ပံ့ပိုးပေးနေစဉ်တွင် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားရမည်။ ဂရပ်ဖိုက်၏ သန့်စင်မှုနှင့် isotropic ဖွဲ့စည်းပုံသည် မသန့်စင်မှုပေါင်းစပ်မှု၊ အပူဖြန့်ဖြူးမှု၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနှုန်းနှင့် ချို့ယွင်းချက်ထုတ်လုပ်မှုတို့ကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။

သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucibles များ၏ အခန်းကဏ္ဍသည် SiC ထုတ်လုပ်မှုထက် အဆင့်မြင့် Gallium Nitride (GaN) ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနည်းပညာများအထိ ကျယ်ပြန့်သည်။ HVPE၊ flux ကြီးထွားမှု သို့မဟုတ် ပေါ်ထွက်လာသော အမြောက်အမြားပုံဆောင်ခဲထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများတွင် အသုံးပြုသည်ဖြစ်စေ၊ ဂရပ်ဖိုက် Crucibles များသည် ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်များကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် ပစ္စည်းသယ်ယူပို့ဆောင်မှုနှင့် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် တည်ငြိမ်သော မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်ကို ပေးစွမ်းသည်။

SiC epitaxy၊ AlN ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနှင့် အဆင့်မြင့်ဒြပ်ပေါင်း semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်များအပါအဝင် semiconductor epitaxial ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင်၊ ဂရပ်ဖိုက် crucibles များသည် အပူချိန်တူညီမှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ၎င်းတို့၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် အပူရှော့ခ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့သည် အလွန်အမင်းလုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများအောက်တွင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်စေပြီး ရေငွေ့ပျံခြင်း၊ sublimation နှင့် deposition ယန္တရားများကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။

သန့်စင်မှုမြင့်မားသော Isostatic Graphite Crucibles များသည် အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့် တတိယမျိုးဆက် semiconductor powders များထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိုက်၊ ဘိုရွန်နိုက်ထရိုက်နှင့် အခြားမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ကြွေထည်များကို sintering လုပ်နေစဉ်အတွင်း၊ crucible သည် ဓာတုဗေဒအရတည်ငြိမ်ပြီး အပူချိန်တူညီသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ပေးစွမ်းပြီး ညစ်ညမ်းမှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ ပစ္စည်းသန့်စင်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစွမ်းဆောင်ရည်တို့တွင် ရလဒ်အနေဖြင့် တိုးတက်မှုများသည် semiconductor ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများမှသည် ပါဝါမြင့်အီလက်ထရွန်းနစ်ထုပ်ပိုးမှုအထိ အသုံးချမှုများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

စက်မှုလုပ်ငန်းခေတ်ရေစီးကြောင်းများနှင့် အနာဂတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု

wide-bandgap semiconductors များသည် power electronics လုပ်ငန်းကို ဆက်လက်ပြောင်းလဲလာသည်နှင့်အမျှ အဆင့်မြင့် graphite crucibles များအတွက် ၀ယ်လိုအားသည် လျင်မြန်စွာ တိုးပွားလာနေပါသည်။

အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု လိုအပ်ချက်များ

အနာဂတ် semiconductor application များတွင် ပုံဆောင်ခဲအရွယ်အစားကြီးများနှင့် ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆနည်းပါးမှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် 5 ppm အောက်ရှိ မသန့်စင်မှုအဆင့်နှင့် အချို့ကိစ္စများတွင် 1 ppm နီးပါး လိုအပ်ပါသည်။

အပေါ်ယံလွှာနည်းပညာများ

အဆင့်မြင့် မျက်နှာပြင် အပေါ်ယံလွှာများကို ဂရပ်ဖိုက် ခွက်များတွင် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြပြီး ၎င်းတို့တွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-

● ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံလွှာ

● တန္တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံလွှာ

● ပိုင်ရိုလိုက်ကာဗွန် (PyC) အပေါ်ယံလွှာ

ဤအပေါ်ယံလွှာများသည် အောက်ပါတို့ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်-

● ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း

● အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု

● တစ်သက်တာစွမ်းဆောင်ရည်

● လုပ်ငန်းစဉ် သန့်ရှင်းမှု

● ပိုကြီးသော Crucible ဒီဇိုင်းများ

စီးပွားဖြစ်ထုတ်လုပ်ခြင်း-

● ၈ လက်မ SiC ဝေဖာများ

● GaN အောက်ခံပြားကြီးများ

● အဆင့်မြင့် ပါဝါ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ

ထုတ်လုပ်မှုစက်ဝန်းများ တိုးချဲ့ရာတွင် တိကျသော အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည့် ပိုကြီးပြီး ပိုမိုအတိုင်းအတာပိုမိုတည်ငြိမ်သော ဂရပ်ဖိုက် ခွက်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မောင်းနှင်နေပါသည်။