Augstas tīrības pakāpes izostatiskā grafīta tīģelis

VET Energy specializējas augstākās kvalitātes ražošanāAugstas tīrības izostatiskā grafīta tīģelisir izstrādāti sarežģītiem pusvadītāju un progresīvu materiālu pielietojumiem. Mūsu grafīta tīģeļi, kas izgatavoti no īpaši smalkgraudaina izostatiskā grafīta un attīrīti, izmantojot augstas temperatūras halogēna attīrīšanas procesus, piedāvā izcilu termisko stabilitāti, zemu piemaisījumu līmeni un izcilu izmēru noturību ekstremālos ekspluatācijas apstākļos.

Plaši izmanto SiC kristālu audzēšanā, GaN kristālu ražošanā, epitaksiālo materiālu ražošanā un progresīvā keramikas sintēzes procesā, augstas tīrības pakāpeIzostatiskā grafīta tīģelistiem ir izšķiroša nozīme kristālu kvalitātes, procesa stabilitātes un ražošanas efektivitātes nodrošināšanā visā mūsdienu pusvadītāju ražošanā.

Kas ir augstas tīrības pakāpes izostatiskā grafīta tīģelis?

Augstas tīrības pakāpes izostatiskā grafīta tīģelis ir precīzi konstruēts trauks, kas izgatavots no izotropiskiem grafīta materiāliem, izmantojot izostatiskās presēšanas procesu. Salīdzinot ar parastajiem formētajiem grafīta izstrādājumiem, izostatiskais grafīts piedāvā:

● Vienmērīga mikrostruktūra visos virzienos

● Lielāks blīvums un mehāniskā izturība

● Izcila siltumvadītspēja

● Lieliska izturība pret termisko triecienu

● Zema porainība

● Īpaši zems piemaisījumu saturs

Pēc attīrīšanas pelnu saturu parasti var kontrolēt zem 5 ppm, un dažiem pusvadītāju kvalitātes materiāliem piemaisījumu līmenis ir zem 3 ppm.

Šīs īpašības padara augstas tīrības pakāpes izostatiskā grafīta tīģeļus ideāli piemērotus augstas temperatūras procesiem, kas pārsniedz 2000 °C, kur ir būtiska piesārņojuma kontrole un termiskā vienmērība.

Lomas pusvadītāju ražošanā

Silīcija karbīda (SiC) kristālu audzēšanā, izmantojot fizikālā tvaika transportēšanas (PVT) procesu, grafīta tīģeļi darbojas gan kā izejmateriāla uzglabāšanas trauks, gan kā neatņemama termiskā lauka sistēmas sastāvdaļa. Darbojoties temperatūrā, kas parasti pārsniedz 2200 °C, tīģelim ir jāuztur izmēru stabilitāte, vienlaikus atbalstot precīzus temperatūras gradientus, kas nepieciešami tvaika transportēšanai un kristālu veidošanai. Grafīta tīrība un izotropiskā struktūra tieši ietekmē piemaisījumu iekļaušanu, termisko sadalījumu, kristālu augšanas ātrumu un defektu rašanos.

Augstas tīrības izostatiskā grafīta tīģeļu loma sniedzas tālāk par SiC ražošanu, iekļaujot arī progresīvas gallija nitrīda (GaN) kristālu audzēšanas tehnoloģijas. Neatkarīgi no tā, vai grafīta tīģeļi tiek izmantoti HVPE, plūsmas audzēšanā vai jaunās lielapjoma kristālu ražošanas metodēs, tie nodrošina stabilu augstas temperatūras vidi, kas atbalsta materiālu transportēšanu un kristālu veidošanos, vienlaikus samazinot piesārņojuma risku.

Pusvadītāju epitaksiālo materiālu ražošanā, tostarp SiC epitaksijā, AlN kristālu audzēšanā un uzlabotā savienojumu pusvadītāju apstrādē, grafīta tīģeļi veicina termisko vienmērīgumu un procesa atkārtojamību. To lieliskā siltumvadītspēja un izturība pret termisko triecienu nodrošina stabilu darbību ekstremālos procesa apstākļos, atbalstot precīzu iztvaikošanas, sublimācijas un nogulsnēšanās mehānismu kontroli.

Augstas tīrības izostatiskā grafīta tīģeļiem ir arī būtiska loma modernu keramikas materiālu un trešās paaudzes pusvadītāju pulveru ražošanā. Silīcija karbīda, alumīnija nitrīda, bora nitrīda un citu augstas veiktspējas keramikas materiālu sintēzes laikā tīģelis nodrošina ķīmiski stabilu un termiski vienmērīgu vidi, kas veicina blīvēšanu, vienlaikus samazinot piesārņojumu. Iegūtie materiāla tīrības, siltumvadītspējas un mehānisko īpašību uzlabojumi ir kritiski svarīgi dažādiem lietojumiem, sākot no pusvadītāju iekārtu komponentiem līdz lieljaudas elektroniskajam iepakojumam.

Nozares tendences un turpmākā attīstība

Tā kā platjoslas pusvadītāji turpina pārveidot jaudas elektronikas nozari, strauji pieaug pieprasījums pēc moderniem grafīta tīģeļiem.

Īpaši augstas tīrības prasības

Nākotnes pusvadītāju pielietojumiem ir nepieciešams piemaisījumu līmenis zem 5 ppm un dažos gadījumos tuvojas 1 ppm, lai atbalstītu lielākus kristālu izmērus un zemāku defektu blīvumu.

Pārklājumu tehnoloģijas

Grafīta tīģeļiem arvien vairāk tiek uzklāti uzlaboti virsmas pārklājumi, tostarp:

● Silīcija karbīda (SiC) pārklājums

● Tantala karbīda (TaC) pārklājums

● Pirolītiskās ogles (PyC) pārklājums

Šie pārklājumi uzlabo:

● Korozijas izturība

● Termiskā stabilitāte

● Darbības laiks visā kalpošanas laikā

● Procesa tīrība

● Lielāki tīģeļa modeļi

Komercializācija:

● 8 collu SiC plāksnes

● Lielāki GaN substrāti

● Uzlaboti jaudas pusvadītāju materiāli

veicina lielāku, dimensiju ziņā stabilāku grafīta tīģeļu izstrādi, kas spēj saglabāt precīzu termisko kontroli ilgstošos ražošanas ciklos.