VET Energy មានជំនាញក្នុងការផលិតគុណភាពខ្ពស់ចង្ក្រានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការប្រើប្រាស់សម្ភារៈអេឡិចត្រូនិកដែលមានតម្រូវការខ្ពស់ និងសម្ភារៈកម្រិតខ្ពស់។ ផលិតពីក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចគ្រាប់ល្អិតល្អន់ និងបន្សុទ្ធតាមរយៈដំណើរការបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ប្រដាប់ប្រដាក្រាហ្វីតរបស់យើងផ្តល់នូវស្ថេរភាពកម្ដៅពិសេស កម្រិតមិនបរិសុទ្ធទាប និងភាពស៊ីសង្វាក់គ្នានៃវិមាត្រដ៏ល្អឥតខ្ចោះក្រោមលក្ខខណ្ឌប្រតិបត្តិការខ្លាំង។
ប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC ការផលិតគ្រីស្តាល់ GaN ការផលិតសម្ភារៈ epitaxial និងការដុតសេរ៉ាមិចកម្រិតខ្ពស់ ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។ចង្ក្រានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការធានាគុណភាពគ្រីស្តាល់ ស្ថេរភាពដំណើរការ និងប្រសិទ្ធភាពផលិតកម្មនៅទូទាំងការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកទំនើប។
តើចង្ក្រានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ជាអ្វី?
ចង្ក្រានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ គឺជាធុងដែលបានរចនាឡើងយ៉ាងជាក់លាក់ដែលផលិតចេញពីវត្ថុធាតុដើមក្រាហ្វីតអ៊ីសូត្រូពិចដែលបង្កើតឡើងតាមរយៈដំណើរការចុចអ៊ីសូស្តាទិច។ បើប្រៀបធៀបជាមួយផលិតផលក្រាហ្វីតដែលបានចាក់ផ្សិតធម្មតា ក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចផ្តល់ជូន៖
● មីក្រូស្ត្រុកទ័រឯកសណ្ឋានគ្រប់ទិសដៅ
● ដង់ស៊ីតេ និងកម្លាំងមេកានិចខ្ពស់ជាង
● ចរន្តកំដៅខ្ពស់
● ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ
● រន្ធញើសទាប
● មាតិកាមិនបរិសុទ្ធទាបបំផុត
បន្ទាប់ពីការបន្សុទ្ធ មាតិកាផេះជាធម្មតាអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រងក្រោម 5 ppm ដោយសម្ភារៈថ្នាក់ស៊ីមីកុងដុកទ័រមួយចំនួនសម្រេចបានកម្រិតមិនបរិសុទ្ធក្រោម 3 ppm។
លក្ខណៈទាំងនេះធ្វើឱ្យឡដុតក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ស័ក្តិសមសម្រាប់ដំណើរការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់លើសពី 2,000°C ដែលការគ្រប់គ្រងការបំពុល និងឯកសណ្ឋានកម្ដៅគឺមានសារៈសំខាន់។
តួនាទីក្នុងការផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក
នៅក្នុងការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាបៃ (SiC) ដោយប្រើដំណើរការដឹកជញ្ជូនចំហាយរូបវន្ត (PVT) ចង្ក្រានក្រាហ្វីតដំណើរការជាទាំងធុងផ្ទុកវត្ថុធាតុដើម និងជាផ្នែកសំខាន់មួយនៃប្រព័ន្ធវាលកម្ដៅ។ ដំណើរការនៅសីតុណ្ហភាពលើសពី 2,200°C ចង្ក្រាននេះត្រូវតែរក្សាស្ថេរភាពវិមាត្រ ខណៈពេលដែលគាំទ្រដល់ជម្រាលសីតុណ្ហភាពច្បាស់លាស់ដែលត្រូវការសម្រាប់ការដឹកជញ្ជូនចំហាយទឹក និងការបង្កើតគ្រីស្តាល់។ ភាពបរិសុទ្ធ និងរចនាសម្ព័ន្ធអ៊ីសូត្រូពិចនៃក្រាហ្វីតប៉ះពាល់ដោយផ្ទាល់ទៅលើការបញ្ចូលភាពមិនបរិសុទ្ធ ការចែកចាយកម្ដៅ អត្រាកំណើនគ្រីស្តាល់ និងការបង្កើតពិការភាព។
តួនាទីរបស់ចង្ក្រានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់លាតសន្ធឹងហួសពីការផលិត SiC ទៅជាបច្ចេកវិទ្យាលូតលាស់គ្រីស្តាល់ហ្គាលីញ៉ូមនីទ្រីត (GaN) កម្រិតខ្ពស់។ មិនថាត្រូវបានប្រើប្រាស់ក្នុង HVPE ការលូតលាស់លំហូរ ឬវិធីសាស្រ្តផលិតគ្រីស្តាល់ភាគច្រើនដែលកំពុងលេចចេញនោះទេ ចង្ក្រានក្រាហ្វីតផ្តល់នូវបរិស្ថានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដែលមានស្ថេរភាពដែលគាំទ្រដល់ការដឹកជញ្ជូនសម្ភារៈ និងការបង្កើតគ្រីស្តាល់ ខណៈពេលដែលកាត់បន្ថយហានិភ័យនៃការបំពុល។
នៅក្នុងការផលិតសម្ភារៈអេពីតាក់ស៊ីអេឡិចត្រូនិច រួមទាំងអេពីតាក់ស៊ី SiC ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ AlN និងដំណើរការអេឡិចត្រូនិចសមាសធាតុកម្រិតខ្ពស់ ប្រដាប់ប្រដាធ្វើពីក្រាហ្វីតរួមចំណែកដល់ឯកសណ្ឋានកម្ដៅ និងភាពអាចធ្វើម្តងទៀតបាននៃដំណើរការ។ ចរន្តកម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងភាពធន់នឹងការឆក់កម្ដៅរបស់ពួកវាអាចឱ្យប្រតិបត្តិការមានស្ថេរភាពក្រោមលក្ខខណ្ឌដំណើរការធ្ងន់ធ្ងរ ដែលគាំទ្រដល់ការគ្រប់គ្រងយ៉ាងច្បាស់លាស់នៃយន្តការហួត ការសម្ងួត និងការដាក់លោហៈ។
ឡដុតក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ក៏ដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការផលិតសម្ភារៈសេរ៉ាមិចទំនើប និងម្សៅស៊ីមីកុងដុកទ័រជំនាន់ទីបីផងដែរ។ ក្នុងអំឡុងពេលនៃការដុតស៊ីលីកុនកាប៊ីដ អាលុយមីញ៉ូមនីទ្រីត បូរ៉ុននីទ្រីត និងសេរ៉ាមិចដំណើរការខ្ពស់ផ្សេងទៀត ឡដុតនេះផ្តល់នូវបរិយាកាសដែលមានស្ថេរភាពគីមី និងឯកសណ្ឋានកម្ដៅ ដែលជំរុញដង់ស៊ីតេ ខណៈពេលដែលកាត់បន្ថយការបំពុល។ ការកែលម្អជាលទ្ធផលនៃភាពបរិសុទ្ធនៃសម្ភារៈ ចរន្តកម្ដៅ និងដំណើរការមេកានិចគឺមានសារៈសំខាន់សម្រាប់កម្មវិធីចាប់ពីសមាសធាតុឧបករណ៍ស៊ីមីកុងដុកទ័ររហូតដល់ការវេចខ្ចប់អេឡិចត្រូនិចដែលមានថាមពលខ្ពស់។
និន្នាការឧស្សាហកម្ម និងការអភិវឌ្ឍនាពេលអនាគត
ខណៈពេលដែលឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកប្រភេទ wide-bandgap បន្តផ្លាស់ប្តូរឧស្សាហកម្មអេឡិចត្រូនិចថាមពល តម្រូវការសម្រាប់ឧបករណ៍ដុតក្រាហ្វីតកម្រិតខ្ពស់កំពុងកើនឡើងយ៉ាងឆាប់រហ័ស។
តម្រូវការភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់បំផុត
កម្មវិធីឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកនាពេលអនាគតតម្រូវឱ្យមានកម្រិតភាពមិនបរិសុទ្ធក្រោម 5 ppm ហើយក្នុងករណីខ្លះ ខិតជិត 1 ppm ដើម្បីទ្រទ្រង់ទំហំគ្រីស្តាល់ធំជាង និងដង់ស៊ីតេពិការភាពទាបជាង។
បច្ចេកវិទ្យាថ្នាំកូត
ថ្នាំកូតផ្ទៃកម្រិតខ្ពស់ត្រូវបានអនុវត្តកាន់តែច្រើនឡើងៗចំពោះចង្ក្រានក្រាហ្វីត រួមមាន៖
● ថ្នាំកូតស៊ីលីកុនកាបៃ (SiC)
● ថ្នាំកូត Tantalum Carbide (TaC)
● ថ្នាំកូតកាបូន Pyrolytic (PyC)
ថ្នាំកូតទាំងនេះជួយបង្កើនប្រសិទ្ធភាព៖
● ភាពធន់នឹងការច្រេះ
● ស្ថេរភាពកម្ដៅ
● ប្រសិទ្ធភាពពេញមួយជីវិត
● អនាម័យនៃដំណើរការ
● ការរចនា Crucible ធំជាង
ការធ្វើពាណិជ្ជកម្មនៃ៖
● បន្ទះ SiC ទំហំ ៨ អ៊ីញ
● ស្រទាប់ខាងក្រោម GaN ធំជាង
● សម្ភារៈស៊ីមីកុងដុកទ័រថាមពលទំនើប
កំពុងជំរុញការអភិវឌ្ឍចង្ក្រានក្រាហ្វីតដែលធំជាង និងមានស្ថេរភាពជាងមុន ដែលមានសមត្ថភាពរក្សាការគ្រប់គ្រងកម្ដៅបានយ៉ាងច្បាស់លាស់លើវដ្តផលិតកម្មដែលអូសបន្លាយ។
-
តម្លៃបន្ទះក្រាហ្វីតរោងចក្រចិន
-
ក្រដាសក្រាហ្វីតដែលអាចបត់បែនបាន VET ធម្មជាតិមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់...
-
ចិញ្ចៀនក្រាហ្វីតផ្សាភ្ជាប់មេកានិចដែលត្រាំជាមួយ...
-
សម្ភារៈសមាសធាតុ C/C ឬ សម្ភារៈសមាសធាតុកាបូន-កាបូន
-
ប៊ូសស៊ីម៉ង់ត៍ក្រាហ្វីត ស្រោបដោយជ័រប្រេង កម្លាំងរុញច្រាន...
-
គ្រឿងបន្លាស់ និងសមាសធាតុក្រាហ្វីត ក្រាហ្វីត ផ្សិតក្រាហ្វីត...


