Yüksək təmizlikli izostatik qrafit çarxı

VET Energy yüksək keyfiyyətli məhsullar istehsalında ixtisaslaşıbYüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Çarxıtələbkar yarımkeçirici və qabaqcıl materiallar tətbiqləri üçün hazırlanmışdır. Ultra incə dənəli izostatik qrafitdən istehsal olunmuş və yüksək temperaturlu halogen təmizləmə prosesləri ilə təmizlənmiş qrafit çubuqlarımız ekstremal iş şəraitində müstəsna istilik stabilliyi, aşağı aşqar səviyyələri və üstün ölçülü konsistensiya təklif edir.

SiC kristallarının böyüməsində, GaN kristallarının istehsalında, epitaksial material istehsalında və qabaqcıl keramika sinterləməsində geniş istifadə olunur, Yüksək Saflıqİzostatik Qrafit Çarxımüasir yarımkeçirici istehsalında kristal keyfiyyətinin, proses sabitliyinin və istehsal səmərəliliyinin təmin edilməsində mühüm rol oynayır.

Yüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Çarxı nədir?

Yüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Çarxı, izostatik presləmə prosesi ilə əmələ gələn izotrop qrafit materiallarından hazırlanmış dəqiq mühəndislik qabıdır. Ənənəvi qəliblənmiş qrafit məhsulları ilə müqayisədə izostatik qrafit aşağıdakıları təklif edir:

● Bütün istiqamətlərdə vahid mikrostruktur

● Daha yüksək sıxlıq və mexaniki möhkəmlik

● Üstün istilik keçiriciliyi

● Əla istilik şokuna davamlılıq

● Aşağı məsaməlilik

● Ultra aşağı çirk tərkibi

Təmizləndikdən sonra kül miqdarı adətən 5 ppm-dən aşağı səviyyədə idarə oluna bilər, bəzi yarımkeçirici dərəcəli materiallar isə çirk səviyyəsini 3 ppm-dən aşağı səviyyəyə çatdırır.

Bu xüsusiyyətlər, çirklənmənin idarə olunması və istilik vahidliyinin vacib olduğu 2000°C-dən yuxarı yüksək temperaturlu proseslər üçün Yüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Çarxlarını ideal hala gətirir.

Yarımkeçirici İstehsalında Rollar

Fiziki Buxar Nəqli (PVT) prosesindən istifadə edərək Silisium Karbid (SiC) kristallarının yetişdirilməsində qrafit çubuqları həm mənbə materialının saxlanma qabı, həm də istilik sahəsi sisteminin ayrılmaz hissəsi kimi fəaliyyət göstərir. Adətən 2200°C-dən yuxarı temperaturda işləyən çubuq, buxar nəqli və kristal əmələ gəlməsi üçün tələb olunan dəqiq temperatur qradiyentlərini dəstəkləyərkən ölçülü sabitliyi qorumalıdır. Qrafitin saflığı və izotrop quruluşu aşqarların daxil olmasına, istilik paylanmasına, kristalların böyümə sürətinə və qüsurların yaranmasına birbaşa təsir göstərir.

Yüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Qablarının rolu SiC istehsalından kənara çıxaraq qabaqcıl Qallium Nitrid (GaN) kristal yetişdirmə texnologiyalarına qədər uzanır. HVPE, flüs yetişdirmə və ya yeni toplu kristal istehsal üsullarında istifadə olunmasından asılı olmayaraq, qrafit qabları çirklənmə risklərini minimuma endirərkən material daşınmasını və kristal əmələ gəlməsini dəstəkləyən sabit yüksək temperaturlu mühit təmin edir.

SiC epitaksisi, AlN kristallarının böyüməsi və qabaqcıl birləşmə yarımkeçirici emalı da daxil olmaqla, yarımkeçirici epitaksial material istehsalında qrafit çubuqları istilik vahidliyinə və prosesin təkrarlanmasına kömək edir. Onların əla istilik keçiriciliyi və istilik şokuna qarşı müqaviməti ekstremal proses şəraitində sabit işləməyə imkan verir və buxarlanma, sublimasiya və çökmə mexanizmlərinin dəqiq idarə olunmasını dəstəkləyir.

Yüksək Saflıqlı İzostatik Qrafit Çarxları həmçinin qabaqcıl keramika materiallarının və üçüncü nəsil yarımkeçirici tozların istehsalında mühüm rol oynayır. Silisium karbid, alüminium nitrid, bor nitrid və digər yüksək performanslı keramikaların sinterləşdirilməsi zamanı çaxmaq, çirklənməni minimuma endirərkən sıxlaşmanı təşviq edən kimyəvi cəhətdən sabit və termal olaraq vahid bir mühit təmin edir. Materialın təmizliyində, istilik keçiriciliyində və mexaniki performansda yaranan irəliləyişlər yarımkeçirici avadanlıq komponentlərindən tutmuş yüksək güclü elektron qablaşdırmaya qədər müxtəlif tətbiqlər üçün vacibdir.

Sənaye Trendləri və Gələcək İnkişaf

Genişzolaqlı yarımkeçiricilər güc elektronikası sənayesini dəyişdirməyə davam etdikcə, qabaqcıl qrafit çuxurlarına tələbat sürətlə artır.

Ultra Yüksək Saflıq Tələbləri

Gələcək yarımkeçirici tətbiqləri daha böyük kristal ölçülərini və daha aşağı qüsur sıxlığını dəstəkləmək üçün 5 ppm-dən aşağı və bəzi hallarda 1 ppm-ə yaxınlaşan aşqar səviyyələrini tələb edir.

Örtük Texnologiyaları

Qrafit çuxurlarına getdikcə daha qabaqcıl səth örtükləri tətbiq olunur, o cümlədən:

● Silikon Karbid (SiC) Örtüyü

● Tantal Karbid (TaC) Örtüyü

● Pirolitik Karbon (PyC) Örtüyü

Bu örtüklər aşağıdakıları yaxşılaşdırır:

● Korroziyaya davamlılıq

● İstilik sabitliyi

● Ömürlük performans

● Proses təmizliyi

● Daha Böyük Çubuq Dizaynları

Kommersiyalaşdırılması:

● 8 düymlük SiC lövhələri

● Daha böyük GaN substratları

● Qabaqcıl güc yarımkeçirici materialları

uzun istehsal dövrləri ərzində dəqiq istilik nəzarətini təmin edə bilən daha böyük, daha ölçülü stabil qrafit çuxurlarının hazırlanmasını sürətləndirir.