ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အရေးကြီးသောချိတ်ဆက်မှုများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအဆင့်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာများမှ တစ်ဦးချင်းပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ သို့မဟုတ် ချစ်ပ်များကို တိကျစွာခွဲခြားရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
အဓိကသော့ချက်ကဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် တစ်ခုချင်းစီသော ချစ်ပ်များကို ခွဲထုတ်နိုင်စေရန်ဖြစ်ပြီး အတွင်းတွင် ထည့်သွင်းထားသော နူးညံ့သိမ်မွေ့သော ဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် ဆားကစ်များကို သေချာစေရန်ဖြစ်သည်ဝေဖာပျက်စီးခြင်းမရှိပါ။ ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ အောင်မြင်မှု သို့မဟုတ် ကျရှုံးမှုသည် ချစ်ပ်၏ ခွဲထုတ်မှုအရည်အသွေးနှင့် အထွက်နှုန်းကိုသာမက ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး၏ ထိရောက်မှုနှင့်လည်း တိုက်ရိုက်ဆက်စပ်နေပါသည်။
▲ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်း အမျိုးအစားသုံးမျိုး | ရင်းမြစ်- KLA CHINA
လက်ရှိတွင် အများသုံးဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို အောက်ပါအတိုင်း ခွဲခြားထားသည်-
ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း- ကုန်ကျစရိတ်နည်းသည်၊ များသောအားဖြင့် ပိုထူသောနေရာများအတွက် အသုံးပြုသည်ဝေဖာများ
လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်း- ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားခြင်း၊ များသောအားဖြင့် 30μm ထက်ပိုထူသော ဝေဖာများအတွက် အသုံးပြုသည်
ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်း- ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားခြင်း၊ ကန့်သတ်ချက်များ ပိုမိုများပြားခြင်း၊ များသောအားဖြင့် 30μm အောက် အထူရှိသော ဝေဖာများအတွက် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်
စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း
ဓါးသွားဖြတ်တောက်ခြင်းသည် မြန်နှုန်းမြင့်လည်ပတ်နေသော ကြိတ်ခွဲပြား (ဓါးသွား) ဖြင့် စာလုံးမျဉ်းတစ်လျှောက် ဖြတ်တောက်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဓါးသွားကို များသောအားဖြင့် ပွတ်တိုက်နိုင်သော သို့မဟုတ် အလွန်ပါးလွှာသော စိန်ပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ဆီလီကွန်ဝေဖာများပေါ်တွင် လှီးဖြတ်ခြင်း သို့မဟုတ် မြောင်းဖောက်ခြင်းအတွက် သင့်လျော်သည်။ သို့သော် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းတစ်ခုအနေဖြင့် ဓါးသွားဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပစ္စည်းဖယ်ရှားခြင်းအပေါ် မူတည်ပြီး ချစ်ပ်အနားတွင် အလွယ်တကူ အက်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် အက်ကွဲခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်ပြီး ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေပြီး အထွက်နှုန်းကို လျော့ကျစေသည်။
စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လွှစက်ဖြင့် ထုတ်လုပ်သော နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်၏ အရည်အသွေးကို ဖြတ်တောက်မှုအမြန်နှုန်း၊ ဓားသွားအထူ၊ ဓားသွားအချင်းနှင့် ဓားသွားလည်ပတ်အမြန်နှုန်း အပါအဝင် ကန့်သတ်ချက်များစွာက သက်ရောက်မှုရှိသည်။
အပြည့်အဝဖြတ်တောက်ခြင်းသည် အခြေခံအကျဆုံး ဓားဖြတ်တောက်နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး၊ တည်ငြိမ်သောပစ္စည်း (ဥပမာ လှီးဖြတ်တိပ်) သို့ ဖြတ်တောက်ခြင်းဖြင့် အလုပ်အပိုင်းကို လုံးဝဖြတ်တောက်သည်။
▲ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း - အပြည့်အဝဖြတ်တောက်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
တစ်ဝက်ဖြတ်ခြင်းသည် အလုပ်အပိုင်း၏အလယ်သို့ ဖြတ်တောက်ခြင်းဖြင့် မြောင်းတစ်ခုဖြစ်ပေါ်စေသည့် စီမံဆောင်ရွက်မှုနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ မြောင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အဆက်မပြတ်လုပ်ဆောင်ခြင်းဖြင့် ဘီးနှင့် အပ်ပုံသဏ္ဍာန်အစက်အပြောက်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။
▲ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း - တစ်ဝက်ဖြတ်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
နှစ်ထပ်ဖြတ်တောက်ခြင်းဆိုသည်မှာ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းနှစ်ခုတွင် တစ်ပြိုင်နက်တည်း အပြည့်အဝ သို့မဟုတ် တစ်ဝက်ဖြတ်တောက်မှုများ လုပ်ဆောင်ရန် spindle နှစ်ခုပါသော နှစ်ထပ်လှီးဖြတ်စက်ကို အသုံးပြုသည့် လုပ်ငန်းစဉ်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ နှစ်ထပ်လှီးဖြတ်စက်တွင် spindle ဝင်ရိုးနှစ်ခုရှိသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် မြင့်မားသော throughput ကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
▲ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း - နှစ်ထပ်ဖြတ်တောက်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
အဆင့်လိုက်ဖြတ်တောက်ခြင်းသည် အပြည့်အဝနှင့် တစ်ဝက်ဖြတ်တောက်မှုများကို အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် လုပ်ဆောင်ရန် spindle နှစ်ခုပါသော double slicing saw ကို အသုံးပြုသည်။ အရည်အသွေးမြင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ ရရှိစေရန်အတွက် wafer ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ wiring layer ကို ဖြတ်တောက်ရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော blades များနှင့် ကျန်ရှိနေသော silicon single crystal အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော blades များကို အသုံးပြုပါ။
▲ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း – အဆင့်ဆင့် ဖြတ်တောက်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
ဘီဗယ်ဖြတ်တောက်ခြင်းဆိုသည်မှာ တစ်ဝက်ဖြတ်ထားသောအနားတွင် V-ပုံသဏ္ဍာန်အနားရှိသော ဓားသွားကို အသုံးပြု၍ အဆင့်ဆင့်ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ဝေဖာကို အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် ဖြတ်တောက်သည့် လုပ်ဆောင်သည့်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ချွန်ထက်သောဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း လုပ်ဆောင်သည်။ ထို့ကြောင့် မှိုခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားခြင်းနှင့် အရည်အသွေးမြင့်လုပ်ဆောင်ခြင်းကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
▲ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓားဖြတ်တောက်ခြင်း – ထောင့်ဖြတ်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်း
လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် အာရုံစူးစိုက်ထားသော လေဆာရောင်ခြည်ကို အသုံးပြု၍ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာများမှ ချစ်ပ်များကို ခွဲထုတ်သည့် ထိတွေ့မှုမရှိသော ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော လေဆာရောင်ခြည်သည် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အာရုံစူးစိုက်ပြီး ablation သို့မဟုတ် thermal decomposition လုပ်ငန်းစဉ်များမှတစ်ဆင့် ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော ဖြတ်တောက်မှုမျဉ်းတစ်လျှောက်ရှိ ပစ္စည်းများကို အငွေ့ပျံစေခြင်း သို့မဟုတ် ဖယ်ရှားပေးသည်။
▲ လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းပုံ | ပုံရင်းမြစ်- KLA CHINA
လက်ရှိတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုနေသော လေဆာအမျိုးအစားများတွင် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်လေဆာများ၊ အနီအောက်ရောင်ခြည်လေဆာများနှင့် femtosecond လေဆာများ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်လေဆာများကို ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသောဖိုတွန်စွမ်းအင်ကြောင့် တိကျသောအအေးဓာတ်ဖယ်ရှားရန်အတွက် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိပြီး အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် wafer နှင့် ၎င်း၏ပတ်ဝန်းကျင်ရှိချစ်ပ်များအပေါ် အပူပျက်စီးမှုအန္တရာယ်ကို ထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်။ အနီအောက်ရောင်ခြည်လေဆာများသည် ပစ္စည်းထဲသို့ နက်ရှိုင်းစွာထိုးဖောက်နိုင်သောကြောင့် ပိုထူသောဝေဖာများအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်သည်။ Femtosecond လေဆာများသည် အလွန်တိုတောင်းသောအလင်းလှိုင်းများမှတစ်ဆင့် အပူလွှဲပြောင်းမှုအနည်းငယ်သာရှိခြင်းဖြင့် မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် ထိရောက်သောပစ္စည်းဖယ်ရှားခြင်းကို ရရှိစေသည်။
လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ရိုးရာဓားသွားဖြတ်တောက်ခြင်းထက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်များရှိသည်။ ပထမအချက်မှာ ထိတွေ့မှုမရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုအနေဖြင့် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် ဝေဖာပေါ်တွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားမလိုအပ်သောကြောင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖြတ်တောက်ခြင်းတွင် အဖြစ်များသော အပိုင်းအစများနှင့် အက်ကွဲခြင်းပြဿနာများကို လျှော့ချပေးသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းကို အထူးသဖြင့် ရှုပ်ထွေးသောဖွဲ့စည်းပုံများ သို့မဟုတ် ကောင်းမွန်သောအင်္ဂါရပ်များပါရှိသော ကျိုးလွယ်သော သို့မဟုတ် အလွန်ပါးလွှာသော ဝေဖာများကို စီမံဆောင်ရွက်ရန်အတွက် အထူးသင့်လျော်စေသည်။
▲ လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းပုံ | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
ထို့အပြင်၊ လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် တိကျမှုကြောင့် လေဆာရောင်ခြည်ကို အလွန်သေးငယ်သော အစက်အပြောက်အရွယ်အစားသို့ အာရုံစိုက်နိုင်စေပြီး၊ ရှုပ်ထွေးသော ဖြတ်တောက်မှုပုံစံများကို ပံ့ပိုးပေးကာ ချစ်ပ်များအကြား အနည်းဆုံးအကွာအဝေးကို ခွဲထုတ်နိုင်စေပါသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ကျုံ့နိုင်သော အရွယ်အစားရှိသော အဆင့်မြင့် semiconductor စက်ပစ္စည်းများအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။
သို့သော် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းတွင်လည်း ကန့်သတ်ချက်အချို့ရှိသည်။ ဓားသွားဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အထူးသဖြင့် ကြီးမားသောထုတ်လုပ်မှုတွင် ပိုမိုနှေးကွေးပြီး ပိုမိုစျေးကြီးသည်။ ထို့အပြင်၊ မှန်ကန်သောလေဆာအမျိုးအစားကို ရွေးချယ်ခြင်းနှင့် ပစ္စည်းဖယ်ရှားခြင်းကို ထိရောက်စွာသေချာစေရန်နှင့် အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်အနည်းဆုံးဖြစ်စေရန် ကန့်သတ်ချက်များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းသည် အချို့သောပစ္စည်းများနှင့် အထူများအတွက် စိန်ခေါ်မှုတစ်ရပ်ဖြစ်နိုင်သည်။
လေဆာဖြင့် ဖြတ်တောက်ခြင်း
လေဆာ ablation ဖြတ်တောက်စဉ်အတွင်း၊ လေဆာရောင်ခြည်သည် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ်မှတ်ထားသောနေရာတစ်ခုတွင် တိကျစွာအာရုံစိုက်ပြီး လေဆာစွမ်းအင်ကို ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော ဖြတ်တောက်မှုပုံစံအတိုင်း လမ်းညွှန်ပေးပြီး wafer မှတစ်ဆင့် အောက်ခြေသို့ တဖြည်းဖြည်းဖြတ်တောက်သည်။ ဖြတ်တောက်မှုလိုအပ်ချက်များပေါ် မူတည်၍ ဤလုပ်ဆောင်ချက်ကို pulsed laser သို့မဟုတ် continuous wave laser ကို အသုံးပြု၍ လုပ်ဆောင်သည်။ လေဆာ၏ ဒေသတွင်းအပူပေးမှု အလွန်အကျွံကြောင့် wafer ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန်အတွက်၊ အအေးခံရေကို အသုံးပြု၍ အအေးခံပြီး အပူဒဏ်မှ wafer ကို ကာကွယ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အအေးခံရေသည် ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာသော အမှုန်အမွှားများကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားပေးနိုင်သည်၊ ညစ်ညမ်းမှုကို ကာကွယ်နိုင်ပြီး ဖြတ်တောက်မှုအရည်အသွေးကို သေချာစေသည်။
လေဆာဖြင့် မမြင်ရသော ဖြတ်တောက်ခြင်း
လေဆာကို ဝေဖာ၏ အဓိကကိုယ်ထည်ထဲသို့ အပူလွှဲပြောင်းရန်လည်း အာရုံစိုက်နိုင်ပြီး၊ ၎င်းကို “မမြင်ရသော လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်း” ဟုခေါ်သည်။ ဤနည်းလမ်းအတွက်၊ လေဆာမှ အပူသည် ရေးခြစ်လမ်းကြောင်းများတွင် ကွက်လပ်များကို ဖန်တီးပေးသည်။ ထို့နောက် ဤအားနည်းနေသောနေရာများသည် ဝေဖာကို ဆန့်လိုက်သောအခါ ကျိုးပဲ့ခြင်းဖြင့် အလားတူထိုးဖောက်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရရှိစေသည်။
▲လေဆာမမြင်ရသောဖြတ်တောက်ခြင်း၏အဓိကလုပ်ငန်းစဉ်
မမြင်ရသော ဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် လေဆာကို မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူသည့် လေဆာဖယ်ရှားခြင်းထက် အတွင်းပိုင်းစုပ်ယူမှုလေဆာလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ မမြင်ရသော ဖြတ်တောက်ခြင်းတွင် wafer substrate ပစ္စည်းသို့ တစ်ဝက်ပွင့်လင်းမြင်သာသော လှိုင်းအလျားရှိသော လေဆာရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကို အသုံးပြုသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်ကို အဓိကအဆင့်နှစ်ဆင့်ခွဲခြားထားပြီး တစ်ခုမှာ လေဆာအခြေပြုလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခွဲထုတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။
▲လေဆာရောင်ခြည်သည် wafer မျက်နှာပြင်အောက်တွင် အပေါက်တစ်ခု ဖန်တီးပေးပြီး ရှေ့နှင့်နောက်ဘက်များကို ထိခိုက်ခြင်းမရှိပါ | Image source network
ပထမအဆင့်တွင်၊ လေဆာရောင်ခြည်သည် wafer ကိုစကင်ဖတ်သောအခါ၊ လေဆာရောင်ခြည်သည် wafer အတွင်းရှိ သတ်မှတ်ထားသောအချက်တစ်ခုကို အာရုံစိုက်ပြီး အတွင်းပိုင်းတွင် အက်ကွဲကြောင်းတစ်ခုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ရောင်ခြည်စွမ်းအင်သည် အတွင်းပိုင်းတွင် အက်ကွဲကြောင်းများစွာဖြစ်ပေါ်စေပြီး ၎င်းတို့သည် wafer ၏အထူတစ်ခုလုံးမှတစ်ဆင့် အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်များသို့ မပျံ့နှံ့သေးပါ။
▲ဓါးသွားနည်းလမ်းဖြင့် ဖြတ်တောက်ထားသော 100μm အထူ ဆီလီကွန်ဝေဖာများနှင့် လေဆာမမြင်ရသော ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်း | ရုပ်ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
ဒုတိယအဆင့်တွင်၊ wafer အောက်ခြေရှိ chip tape ကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ချဲ့ထွင်ပြီး wafer အတွင်းရှိ အက်ကွဲကြောင်းများတွင် tensile stress ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ပထမအဆင့်တွင် laser လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ ဤဖိအားသည် အက်ကွဲကြောင်းများကို wafer ၏ အပေါ်နှင့်အောက်မျက်နှာပြင်များသို့ ဒေါင်လိုက်တိုးချဲ့စေပြီး ထို့နောက် ဤဖြတ်တောက်မှုအမှတ်များတစ်လျှောက် wafer ကို ချစ်ပ်များအဖြစ် ခွဲထုတ်သည်။ မမြင်ရသော ဖြတ်တောက်ခြင်းတွင်၊ တစ်ဝက်ဖြတ်တောက်ခြင်း သို့မဟုတ် အောက်ခြေတစ်ဝက်ဖြတ်တောက်ခြင်းကို wafer များကို ချစ်ပ်များ သို့မဟုတ် ချစ်ပ်များအဖြစ် ခွဲထုတ်ရန် များသောအားဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
လေဆာ ablation ထက် မမြင်ရသော လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ အဓိက အားသာချက်များ-
• အအေးခံရည် မလိုအပ်ပါ
• အပျက်အစီးများ မဖြစ်ပေါ်ပါ
• အပူဒဏ်ခံနိုင်သော ဆားကစ်များကို ပျက်စီးစေနိုင်သော ဇုန်များ မရှိပါ
ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်း
ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်း (ပလာစမာ etching သို့မဟုတ် အခြောက်ခံ etching ဟုလည်းလူသိများသည်) သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာများမှ ချစ်ပ်များကို သီးခြားခွဲထုတ်ရန် reactive ion etching (RIE) သို့မဟုတ် deep reactive ion etching (DRIE) ကို အသုံးပြုသည့် အဆင့်မြင့် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာသည် ပလာစမာကို အသုံးပြု၍ ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော ဖြတ်တောက်မှုမျဉ်းများတစ်လျှောက် ပစ္စည်းများကို ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် ဖြတ်တောက်ခြင်းကို ပြီးမြောက်စေသည်။
ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာကို လေဟာနယ်အခန်းထဲတွင်ထားရှိပြီး ထိန်းချုပ်ထားသော ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့အရောအနှောကို အခန်းထဲသို့ထည့်သွင်းကာ ဓာတ်ပြုအိုင်းယွန်းများနှင့် ရယ်ဒီကယ်များ မြင့်မားစွာပါဝင်သည့် ပလာစမာကိုထုတ်လုပ်ရန် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို အသုံးပြုသည်။ ဤဓာတ်ပြုမျိုးစိတ်များသည် ဝေဖာပစ္စည်းနှင့် အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်ပြီး ဓာတုဓာတ်ပြုမှုနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ စပတ္တာပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် scribe line တစ်လျှောက် ဝေဖာပစ္စည်းကို ရွေးချယ်ဖယ်ရှားသည်။
ပလာစမာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ အဓိကအားသာချက်မှာ wafer နှင့် chip ပေါ်ရှိ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုကို လျှော့ချပေးပြီး ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာထိတွေ့မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးခြင်းဖြစ်သည်။ သို့သော် ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အခြားနည်းလမ်းများထက် ပိုမိုရှုပ်ထွေးပြီး အချိန်ကုန်သည်၊ အထူးသဖြင့် ထူထဲသော wafers သို့မဟုတ် etching ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသော ပစ္စည်းများကို ကိုင်တွယ်သည့်အခါတွင်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ၎င်း၏အသုံးချမှုသည် အကန့်အသတ်ရှိသည်။
▲ပုံရင်းမြစ်ကွန်ရက်
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရာတွင် wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းကို wafer ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ၊ ချစ်ပ်အရွယ်အစားနှင့် ဂျီသြမေတြီ၊ လိုအပ်သော တိကျမှုနှင့် အလုံးစုံထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် ထိရောက်မှု အပါအဝင် အချက်များစွာအပေါ် အခြေခံ၍ ရွေးချယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၂၀ ရက်