Пӯшиши SiC графитӣ MOCVD Интиқолдиҳандаҳои вафлӣ, Сусепторҳои графитӣ барои эпитаксияи SiC

Пӯшиши графити SiC MOCVD Интиқолдиҳандаҳои вафлӣ, Суссепторҳои графитӣ барои эпитаксияи SiC Тасвири махсус

Тавсифи мухтасар:

Рӯйпӯши SiC аз рӯи субстрати графит барои истифода дар нимноқилҳо қисмеро бо тозагии баланд ва муқовимат ба атмосфераи оксидкунанда ба вуҷуд меорад. CVD SiC ё CVI SiC ба графити қисмҳои содда ё мураккаб истифода мешавад. Рӯйпӯшро дар ғафсиҳои гуногун ва ба қисмҳои хеле калон истифода бурдан мумкин аст.

Ҷои пайдоиш:Чжэцзян, Чин (Шитъа)

Рақами модел:Рақами модел:

Таркиби химиявӣ:Графити пӯшонидашудаи SiC

Қувваи хамшавӣ:470Mpa

Гузаронидани гармӣ:300 Вт/мК

Сифат:комил

Вазифа:CVD-SiC

Ариза:Нимноқил / Фотоэлектрикӣ

Зичӣ:3.21 г/см3

Васеъшавии гармӣ:4 10-6/K

Хокистар: <5ppm

Намуна:Дастрас

Коди HS:6903100000

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Барчаспҳои маҳсулот

Пӯшиши SiC графитӣ MOCVD интиқолдиҳандаҳои вафлӣ, суссепторҳои графитӣ бароиЭпитаксияи SiC,
Карбон суспензорҳоро таъмин мекунад, Суссепторҳои эпитаксияи графитӣ, Субстратҳои дастгирии графит, MOCVD Susceptor, Эпитаксияи SiC, Сусепторҳои вафли,

Бартариҳои махсуси сусепторҳои графити бо пӯшиши SiC-и мо иборатанд аз тозагии бениҳоят баланд, пӯшиши якхела ва мӯҳлати аълои хизматрасонӣ. Онҳо инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармӣ доранд.

Пӯшиши SiC аз субстрати графит барои барномаҳои нимноқилҳо қисмеро бо покии баланд ва муқовимат ба атмосфераи оксидкунанда ба вуҷуд меорад.
CVD SiC ё CVI SiC барои графити қисмҳои содда ё мураккаб истифода мешавад. Рӯйпӯшро бо ғафсии гуногун ва ба қисмҳои хеле калон истифода бурдан мумкин аст.

Рӯйпӯши SiC/пӯшонидашудаи MOCVD Susceptor

Вижагиҳо:
· Муқовимати аълои зарбаи гармӣ
· Муқовимати аълои зарбаи ҷисмонӣ
· Муқовимати аълои кимиёвӣ
· Покии хеле баланд
· Дастрасӣ дар шакли мураккаб
· Дар атмосфераи оксидшаванда истифодашаванда

Ариза:

Хусусиятҳои хоси маводи графитии асосӣ:

Зичии зоҳирӣ:	1.85 г/см3
Муқовимати барқӣ:	11 мкΩм
Қувваи хамшаванда:	49 МПа (500кгф/см2)
Сахтии соҳил:	58
Хокистар:	<5ppm
Гузаронидани гармӣ:	116 Вт/мК (100 ккал/мр-℃)

Карбон суспензорҳоро таъмин мекунадва ҷузъҳои графитӣ барои ҳамаи реакторҳои эпитаксии ҷорӣ. Портфели мо суссепторҳои бочкаро барои агрегатҳои татбиқӣ ва LPE, суссепторҳои блинчик барои агрегатҳои LPE, CSD ва Gemini ва суссепторҳои яквафлиро барои агрегатҳои татбиқӣ ва ASM дар бар мегирад. Бо муттаҳид кардани шарикии қавӣ бо истеҳсолкунандагони пешбари OEM, таҷрибаи мавод ва дониши истеҳсолӣ, SGL тарҳи беҳтаринро барои барномаи шумо пешниҳод мекунад.