פארוואס SiC קאַנטילעווער פּאַדל איז קריטיש פֿאַר מאָדערן LPCVD אויוון פּראַסעסינג

ווי האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע עוואַלוציאָנירט צו קלענערע מיטל געאָמעטריעס, העכערע וועיפער דורכפלוס, און שטענדיק שטרענגערע קאָנטאַמינאַציע קאָנטראָל סטאַנדאַרדן, שטייט טערמאַל פּראַסעסינג ויסריכט פאר אומגעזעענע אינזשעניריע טשאַלאַנדזשיז. פּראַסעסאַז ווי LPCVD, טערמאַל אַקסאַדיישאַן, דאָפּאַנט דיפוזיע, און הויך-טעמפּעראַטור אַנילינג איצט פאָדערן ניט בלויז שטרענגערע טעמפּעראַטור יוניפאָרמאַטי, אָבער אויך לענגערע ויסריכט אַפּטיים, נידעריקער פּאַרטיקל דזשענעריישאַן, און פֿאַרבעסערטע פּראָצעס ריפּיטאַביליטי.

כאָטש אָפט איבערגעקוקט קאַמפּערד מיט פּראָצעס גאַזן, אויוון רערן, אָדער דעפּאָזיציע כעמיע, די קאַנטילעווער פּאַדל באַשטימט פונדאַמענטאַל ווי וועיפערס זיך אויפפירן אין הויך-טעמפּעראַטור סביבות. אין פילע אַוואַנסירטע פאַבריקן, ווערט עס ניט מער באַטראַכט ווי אַ פּשוט קאָנסומאַבלע קאָמפּאָנענט, נאָר אַ שליסל מאַטעריאַל פֿאַר סטאַביל און ריפּיטאַבאַל האַלב-קאָנדוקטאָר פּראַסעסינג.

וואָס איז אַ SiC קאַנטילעווער פּאַדל?

א SiC קאַנטילעווער פּאַדל איז אַ הויך-ריינקייט סיליקאָן קאַרבייד סטרוקטורעל קאָמפּאָנענט געניצט בפֿרט אין האַלב-קאָנדוקטאָר דיפֿוזשאַן אויוון און LPCVD סיסטעמען. עס איז טיפּיש דיזיינד ווי אַ לאַנג קאַנטילעווער שטראַל סטרוקטור וואָס איז טויגעוודיק צו שטיצן קוואַרץ אָדער SiC וועיפער שיפֿן בעת ​​הויך-טעמפּעראַטור פּראַסעסינג.

דער קאָמפּאָנענט ווערט בכלל פאַבריצירט מיט:

● רעקריסטאַליזירט סיליקאָן קאַרבייד (RSiC)

● כעמישער פארע-דעפאזירטער סיליקאן קארבייד (CVD SiC)

● הויך-געדיכטקייט רעאַקציע-געבונדענע SiC מאַטעריאַלן

לויט מאַטעריאַל דאַטן ארויסגעגעבן דורך CoorsTek און Saint-Gobain Performance Ceramics, הויך-ריינקייט SiC מאַטעריאַלן טיפּיש ווייַזן:

● טערמישע קאַנדאַקטיוויטי: בערך 120–200 וואט/מ²ק ביי צימער טעמפּעראַטור

● מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור אין ינערט אַטמאָספער: העכער 1600°C.

● קאָעפֿיציענט פֿון טערמישער אויסברייטונג (CTE): בערך 4.0–4.5×10⁻⁶/K.

● אויסגעצייכנטע קעגנשטעל צו HCl, NH₃, O₂, און כלאָרינירטע פּראָצעס כעמיע.

די ראָלע פון ​​SiC קאַנטילעווער פּאַדל אין LPCVD פּראַסעסינג

צווישן אלע אַפּליקאַציעס, רעפּרעזענטירן LPCVD סיסטעמען איינער פון די וויכטיקסטע נוצן קאַסעס פֿאַר SiC קאַנטילעווער פּאַדלס.

פּראָצעסן ווי:

● פּאָליסיליקאָן דעפּאַזישאַן.

● סיליציום ניטריד (Si₃N₄).

● נידעריק-דרוק אָקסייד דעפּאַזישאַן.

טיפּיש אַרבעטן צווישן 500°C און 900°C, אָפט אונטער לאַנגע פּראָצעס ציקלען און העכסט רעאַקטיווע כעמישע סביבות.

אינעווייניק פון די סיסטעמען, פירט דער קאַנטילעווער פּאַדל אויס עטלעכע וויכטיקע פונקציעס סיימאַלטייניאַסלי.

ערשטנס, עס גיט סטאַבילע מעכאַנישע טראַנספּאָרט פֿאַר וועיפער-שיפֿן וואָס גייען אַרײַן און אַרויס פֿון די אויוון-רער. ווײַל מאָדערנע ווערטיקאַלע אויוון קענען טראָגן הונדערטער וועיפער פּער באַטש, קען אפילו אַ קליינע דעפֿאָרמאַציע פֿון די פּאַדלס פֿירן צו אַ מיסאַליינמענט פֿון די וועיפער, אַ נישט-סטאַבילן אָפּשטאַנד, אָדער אַקומולאַציע פֿון מעכאַנישע דרוק.

צווייטנס, די פּאַדל שפּילט אַ וויכטיקע ראָלע אין טערמישער איינהייטלעכקייט. SiC'ס הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי אַלאַוז היץ צו פאַרשפּרייטן מער יוואַנלי צוזאמען די שטיצן סטרוקטור, מינאַמייזינג לאָקאַלייזד טערמישע גראַדיענטן וואָס קען ווירקן דעפּאָזישאַן איינהייטלעכקייט.

דריטנס, נידריגע פארטיקל דזשענעריישאַן איז קריטיש. האַלב-קאָנדוקטאָר פּאַרטיקאַלז זענען דירעקט ייעלד קילערז, ספּעציעל אין אַוואַנסירטע לאָגיק און מאַכט האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע. רעכט צו זיין געדיכטע קעראַמישע סטרוקטור און שטאַרק קעראָוזשאַן קעגנשטעל, הויך-ריינקייט SiC ראַדוסאַז באַדייטנד די ריזיקירן פון פּאַרטיקל שעדינג קאַמפּערד מיט טראדיציאנעלן מאַטעריאַלס.

אין פארגעשריטענע LPCVD פּראָדוקציע ליניעס, די לאַנג-טערמין דימענשאַנאַל פעסטקייט פון די פּאַדל ווירקט גלייך אויף:

● פילם גרעב קאָנסיסטענסי.

● וועיפער-צו-וועיפער ריפּיטאַביליטי.

● אויוון אַפּטיים.

נינגבאָ וועט ענערגיע ספּעציאַליזירט זיך אין אַוואַנסירטע גראַפיט, סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיק, און CVD-קאָוטעד האַלב-קאָנדוקטאָר קאָמפּאָנענטן דיזיינד פֿאַר פאָדערנדיקע האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג סביבות.

די קאָר האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקטן אַרייַננעמען:

● SiC קאַנטילעווער פּאַדל

● סיק קאָוטאַד גראַפיטע סוסעפּטאָר

● SiC באדעקטע וועיפער טרעגער

● SiC באדעקטע האַלב-לבנה קאָמפּאָנענטן

● קאַרבאָן-קאַרבאָן קאָמפּאָזיט קרוסיבלס

● ווייכער גראַפיט פילץ און שטרענגער גראַפיט פילץ

די פּראָדוקטן זענען וויידלי געניצט אין:

● עפּיטאַקסי סיסטעמען

● LPCVD רעאַקטאָרן

● דיפיוזשאַן אויוון

● SiC קריסטאַל וווּקס סיסטעמען

● הויך-טעמפּעראַטור טערמישע פּראַסעסינג עקוויפּמענט.

מיטן שנעלן וואוקס פון SiC און פארגעשריטענע מאַכט האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע, וועט די פאָדערונג פֿאַר הויך-ריינקייט, הויך-סטאַביליטעט אויוון קאָמפּאָנענטן ווייטער וואַקסן. אין דעם קאָנטעקסט, וועט SiC קאַנטילעווער פּאַדל טעכנאָלאָגיע בלייבן איינער פון די יסודות וואָס שטיצן די קומענדיקע דור האַלב-קאָנדוקטאָר פּראַסעסינג.