Silikon karbid kristalı böyüdükdə, kristalın eksenel mərkəzi ilə kənar arasındakı böyümə interfeysinin "mühiti" fərqlidir, beləliklə, kənardakı kristal gərginliyi artır və kristal kənarında qrafit dayanma halqası "karbon"un təsiri səbəbindən "hərtərəfli qüsurlar" yaratmaq asandır, kənar problemini necə həll etmək və ya mərkəzin effektiv sahəsini (95%-dən çox) necə artırmaq vacib texniki mövzudur.
"Mikrotübüllər" və "daxilolmalar" kimi makro qüsurlar sənaye tərəfindən tədricən idarə olunduğundan, silikon karbid kristallarının "sürətli, uzun və qalın böyüməsinə və böyüməsinə" mane olur, kənar "hərtərəfli qüsurlar" qeyri-adi dərəcədə nəzərə çarpır və silikon karbid kristallarının diametri və qalınlığının artması ilə kənar "hərtərəfli qüsurlar" diametr kvadratı və qalınlığı ilə vurulacaq.
Tantal karbid TaC örtüyünün istifadəsi, "sürətli böyümə, qalınlaşma və böyümə" əsas texniki istiqamətlərindən biri olan kənar problemini həll etmək və kristal böyüməsinin keyfiyyətini artırmaqdır. Sənaye texnologiyasının inkişafını təşviq etmək və əsas materialların "idxal" asılılığını həll etmək üçün Hengpu tantal karbid örtük texnologiyasını (CVD) həll edərək beynəlxalq qabaqcıl səviyyəyə çatdı.
Tantal karbid TaC örtüyü, reallaşdırma baxımından çətin deyil, sinterləmə ilə CVD və digər üsullarla əldə etmək asandır. Sinterləmə üsulu, tantal karbid tozunun və ya prekursorun istifadəsi, aktiv maddələrin (ümumiyyətlə metal) və bağlayıcı maddənin (ümumiyyətlə uzun zəncirli polimer) əlavə edilməsi, yüksək temperaturda sinterlənmiş qrafit substratının səthinə örtülməsidir. CVD üsulu ilə TaCl5+H2+CH4 qrafit matrisinin səthinə 900-1500℃ temperaturda çökdürülür.
Lakin, tantal karbid çöküntüsünün kristal istiqaməti, vahid təbəqə qalınlığı, örtük və qrafit matrisi arasında gərginliyin azalması, səth çatları və s. kimi əsas parametrlər olduqca çətindir. Xüsusilə sic kristal böyümə mühitində sabit xidmət müddəti əsas parametrdir və ən çətindir.
Yazı vaxtı: 21 iyul 2023