Кремний карбиды кристалы үскәндә, кристаллның күчәр үзәге һәм кырые арасындагы үсеш интерфейсының "тирәлеге" төрле була, шуңа күрә кристалл кырыена басым арта, һәм графит тукталыш боҗрасы "углерод" йогынтысы аркасында кристалл кырые "тулы кимчелекләр" китереп чыгаруы җиңел, кырый проблемасын ничек хәл итәргә яки үзәкнең нәтиҗәле мәйданын ничек арттырырга (95% тан артык) - мөһим техник тема.
"Микротүтүкләр" һәм "кертмәләр" кебек макрокимчелекләр сәнәгать тарафыннан әкренләп контрольдә тотылганлыктан, кремний карбиды кристалларының "тиз, озын һәм калын үсүенә һәм үсүенә" комачаулый, кырыйдагы "тулы кимчелекләр" гадәттән тыш күренекле, һәм кремний карбиды кристалларының диаметры һәм калынлыгы арткан саен, кырыйдагы "тулы кимчелекләр" диаметр квадратына һәм калынлыгына тапкырланачак.
Тантал карбиды TaC каплавын куллану кырый проблемасын хәл итү һәм кристалл үсеше сыйфатын яхшырту өчен кулланыла, бу "тиз үсү, калын үсү һәм үсү"нең төп техник юнәлешләренең берсе. Сәнәгать технологияләрен үстерүгә ярдәм итү һәм төп материалларның "импортка" бәйлелеген хәл итү өчен, Хэнпу тантал карбиды каплау технологиясен (CVD) ачыш белән хәл итте һәм халыкара алдынгы дәрәҗәгә иреште.
Тантал карбиды TaC каплавы, гамәлгә ашыру ягыннан караганда, кыен түгел, CVD һәм башка ысуллар белән җиңел генә эшкәртелә. Быстыру ысулы - тантал карбиды порошогы яки прекурсор куллану, актив ингредиентлар (гадәттә металл) һәм бәйләүче агент (гадәттә озын чылбырлы полимер) өстәү, югары температурада бышыру графит субстраты өслегенә каплау. CVD ысулы белән TaCl5+H2+CH4 графит матрицасы өслегенә 900-1500℃ температурада салынды.
Шулай да, тантал карбиды утырмасының кристалл юнәлеше, пленка калынлыгының тигезлеге, каплау һәм графит матрицасы арасындагы көчәнешнең кимүе, өслек ярыклары һ.б. кебек төп параметрлар бик катлаулы. Аеруча кристалл үсү мохитендә тотрыклы хезмәт итү вакыты төп параметр булып тора, ул иң катлаулысы.
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 21 июле