Кремний карбид кристалл үскәч, кристаллның охсаль үзәге белән кыр арасындагы үсеш интерфейсының "мохите" төрле була, шуңа күрә кристалл стрессы арта, һәм кристалл кыры "углерод" графит тукталышы тәэсире аркасында "комплекслы кимчелекләр" чыгару җиңел, кыр проблемасын ничек чишү яки үзәкнең эффектив мәйданын арттыру (95% тан артык) мөһим техник тема.
"Микротубуллар" һәм "инклюзияләр" кебек макро җитешсезлекләр акрынлап тармак белән контрольдә тотыла, кремний карбид кристалларына "тиз, озын һәм калын үсәргә, үсәргә" кыен булганлыктан, "комплекслы җитешсезлекләр" кыры гадәти булмаган күренеш, һәм кремний карбид кристаллларының диаметры һәм калынлыгы арту белән, "комплекслы җитешсезлекләр" диаметр квадрат һәм калынлык белән артачак.
Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, бу "тиз үсү, калын үсү һәм үсү" нең төп техник юнәлешләренең берсе. Тармак технологиясе үсешен алга этәрү һәм төп материалларның "импорт" бәйләнешен чишү өчен, Хенгпу танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште һәм халыкара алдынгы дәрәҗәгә иреште.
Тантал карбид TaC каплавы, тормышка ашыру күзлегеннән кыен түгел, синтеринг, CVD һәм башка ысулларга ирешү җиңел. Синтеринг ысулы, тантал карбид порошогы яки прекурсор куллану, актив ингредиентлар (гадәттә металл) һәм бәйләүче агент (гадәттә озын чылбырлы полимер) өстәп, югары температурада синтланган графит субстрат өслегенә капланган. CVD ысулы буенча, TaCl5 + H2 + CH4 графит матрицасы өслегендә 900-1500 at дәрәҗәсендә урнаштырылган.
Ләкин, тантал карбид чүплегенең кристалл ориентациясе, бердәм кино калынлыгы, каплау һәм графит матрицасы арасындагы стресс чыгарылышы, өслек ярыклары һ.б. кебек төп параметрлар бик катлаулы. Бигрәк тә кристалл үсеш мохитендә тотрыклы хезмәт срокы - төп параметр, иң катлаулы.
Пост вакыты: 21-2023 июль