Silikon karbid kristal ulalanda, kristalyň eksenel merkezi bilen gyrasynyň arasyndaky ösüş interfeýsiniň “gurşawy” üýtgeýär, şonuň üçin gyradaky kristal stres ýokarlanýar we kristal gyrasy “uglerod” grafit halkasynyň täsiri sebäpli “gyradaky meseläni” nädip çözmeli ýa-da merkeziň täsirli meýdanyny ýokarlandyrýar (95% -den gowrak) möhüm tehniki mowzuk.
“Mikrotubulalar” we “goşulmalar” ýaly makro kemçilikler kem-kemden senagat tarapyndan gözegçilik edilip, kremniý karbid kristallarynyň “çalt, uzyn we galyň we ulalmagy” üçin kynçylyk döredýänligi sebäpli, “hemme taraplaýyn kemçilikler” adatdan daşary görnüklidir we kremniý karbid kristallarynyň diametri we galyňlygy bilen gyrasy “giňişleýin kemçilikler” diametri kwadrat we galyňlyk bilen köpeler.
Tantal karbid TaC örtügini ulanmak, “çalt ösmek, galyňlaşmak we ulalmak” esasy tehniki ugurlaryndan biri bolan kristal ösüşiniň hilini ýokarlandyrmakdyr. Senagat tehnologiýasynyň ösmegini öňe sürmek we esasy materiallaryň “import” garaşlylygyny çözmek üçin Hengpu tantal karbid örtük tehnologiýasyny (CVD) çözdi we halkara ösen derejesine ýetdi.
Tantal karbid TaC örtügi, durmuşa geçirmek nukdaýnazaryndan kyn däl, sinterlemek, CVD we beýleki usullara ýetmek aňsat. Süzmek usuly, ýokary temperaturada süzülen grafit substratyň ýüzüne örtülen işjeň maddalary (umuman metal) we birleşdiriji serişdäni (umuman uzyn zynjyr polimer) goşmak, tantal karbid tozy ýa-da prekursory ulanmak. CVD usuly bilen, TaCl5 + H2 + CH4 grafit matrisanyň üstünde 900-1500 at derejesinde goýuldy.
Şeýle-de bolsa, tantal karbid çökgünliginiň kristal ugry, birmeňzeş film galyňlygy, örtük bilen grafit matrisanyň arasyndaky stres çykarylyşy, ýerüsti çatryklar we ş.m. ýaly esasy parametrler gaty kyn. Esasanam hrustal ösüş gurşawynda durnukly hyzmat ömri esasy parametrdir, iň kyn.
Iş wagty: Iýul-21-2023