Wann e Siliziumkarbidkristall wiisst, ass d'„Ëmwelt“ vun der Wuessgrenzfläche tëscht dem axialen Zentrum vum Kristall an der Kant anescht, sou datt d'Kristallstress op der Kant eropgeet, an et ass einfach, datt um Kristallrand „ëmfaassend Defekter“ entstinn, wéinst dem Afloss vum Graphit-Stoppring „Kuelestoff“. Wéi ee de Kantproblem léist oder d'effektiv Fläch vum Zentrum erhéicht (méi wéi 95%) ass e wichtegt technescht Thema.
Well Makrodefehler wéi "Mikrotubuli" an "Inklusiounen" lues a lues vun der Industrie kontrolléiert ginn, wat Siliziumcarbidkristaller erausfuerdert, "séier, laang an déck ze wuessen, a grouss ze ginn", sinn d'Kante-"ëmfaassend Defekter" anormal prominent, a mat der Zounimm vum Duerchmiesser an der Déckt vun de Siliziumcarbidkristaller, ginn d'Kante-"ëmfaassend Defekter" mam Quadrat vum Duerchmiesser an der Déckt multiplizéiert.
D'Benotzung vun Tantalcarbid-TaC-Beschichtung soll de Randproblem léisen an d'Qualitéit vum Kristallwuesstum verbesseren, wat eng vun den technesche Kärrichtungen "séier wuessen, déck wuessen a méi grouss ginn" ass. Fir d'Entwécklung vun der Industrietechnologie ze fërderen an d'"Import"-Ofhängegkeet vu Schlësselmaterialien ze léisen, huet Hengpu e Duerchbroch an der Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) gemaach an den internationale fortgeschrattene Niveau erreecht.
Tantalcarbid TaC Beschichtung ass aus der Perspektiv vun der Ëmsetzung net schwéier, mat Sinterung, CVD an aner Methoden einfach z'erreechen. D'Sintermethod besteet doran, Tantalcarbidpulver oder -virleefer ze benotzen, aktiv Zutaten (normalerweis Metall) a Bindemittel (normalerweis laangketteg Polymer) derbäizesetzen, fir op d'Uewerfläch vum gesinterte Graphitsubstrat bei héijer Temperatur ze beschichten. Mat der CVD-Method goufen TaCl5+H2+CH4 op der Uewerfläch vun der Graphitmatrix bei 900-1500 ℃ ofgesat.
Wéi och ëmmer, sinn déi grondleeënd Parameter wéi d'Kristallorientéierung vun der Tantalkarbidoflagerung, d'uniform Schichtdicke, d'Spannungsausléisung tëscht der Beschichtung an der Graphitmatrix, d'Uewerflächenrëss, etc., extrem usprochsvoll. Besonnesch am SIC-Kristallwuesstumsëmfeld ass eng stabil Liewensdauer de Kärparameter, dee schwéierst ass.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 21. Juli 2023