Кремний карбиді кристалы өскен кезде, кристалдың осьтік орталығы мен жиек арасындағы өсу интерфейсінің «ортасы» әртүрлі болады, сондықтан жиектегі кристалдық кернеу артады және кристалдың жиегі графит тоқтату сақинасының «көміртегінің» әсерінен «кешенді ақауларды» тудыруы мүмкін, жиек мәселесін қалай шешуге немесе орталықтың тиімді ауданын (95%-дан астам) қалай арттыруға болады - бұл маңызды техникалық тақырып.
«Микротүтікшелер» және «қоспалар» сияқты макро ақаулар өнеркәсіп тарапынан біртіндеп бақыланатындықтан, кремний карбиді кристалдарының «тез, ұзын және қалың болып өсуіне және өсуіне» кедергі келтіреді, шеткі «кешенді ақаулар» әдеттен тыс айқын көрінеді, ал кремний карбиді кристалдарының диаметрі мен қалыңдығының артуымен шеткі «кешенді ақаулар» диаметрдің квадраты мен қалыңдығына көбейтіледі.
Тантал карбидінің TaC жабынын пайдалану шеткі мәселерді шешу және кристаллдың өсу сапасын жақсарту болып табылады, бұл «жылдам өсу, қалың өсу және өсу» негізгі техникалық бағыттарының бірі. Өнеркәсіптік технологияның дамуын ілгерілету және негізгі материалдардың «импортқа» тәуелділігін шешу үшін Хэнпу тантал карбидті жабын технологиясын (CVD) шешуде серпінді қадамдар жасап, халықаралық озық деңгейге жетті.
Тантал карбиді TaC жабыны, іске асыру тұрғысынан қиын емес, күйдіру арқылы CVD және басқа әдістерді қолдану оңай. Күйдіру әдісі тантал карбиді ұнтағын немесе прекурсорын пайдалану, белсенді ингредиенттерді (әдетте металл) және байланыстырушы агентті (әдетте ұзын тізбекті полимер) қосу, жоғары температурада күйдірілген графит негізінің бетіне жағу болып табылады. CVD әдісімен TaCl5+H2+CH4 графит матрицасының бетіне 900-1500℃ температурада тұнды.
Дегенмен, тантал карбидінің шөгіндісінің кристалдық бағыты, біркелкі қабықша қалыңдығы, жабын мен графит матрицасы арасындағы кернеудің төмендеуі, беткі жарықтар және т.б. сияқты негізгі параметрлер өте күрделі. Әсіресе, кристалдардың өсу ортасында тұрақты қызмет ету мерзімі негізгі параметр болып табылады, бұл ең қиыны.
Жарияланған уақыты: 2023 жылғы 21 шілде