Ko kristal silicijevega karbida raste, se "okolje" rastnega vmesnika med aksialnim središčem kristala in robom razlikuje, tako da se kristalna napetost na robu poveča, na robu kristala pa se zaradi vpliva grafitnega zapornega obroča "ogljik" zlahka pojavijo "celovite napake". Pomembna tehnična tema je, kako rešiti problem roba ali povečati efektivno površino središča (več kot 95 %).
Ker industrija postopoma nadzoruje makro napake, kot so "mikrotubule" in "vključki", kar izziva kristale silicijevega karbida, da "hitro rastejo, rastejo dolgo in debelo ter rastejo navzgor", so robne "celovite napake" nenavadno izrazite, s povečanjem premera in debeline kristalov silicijevega karbida pa se robne "celovite napake" pomnožijo s kvadratom premera in debelino.
Uporaba prevleke TaC iz tantalovega karbida rešuje problem robov in izboljšuje kakovost rasti kristalov, kar je ena od ključnih tehničnih smeri "hitre rasti, debelejše rasti in naraščajoče rasti". Da bi spodbudil razvoj industrijske tehnologije in rešil odvisnost ključnih materialov od "uvoza", je Hengpu dosegel prebojno rešitev tehnologije prevleke s tantalovim karbidom (CVD) in dosegel mednarodno napredno raven.
Premaz s tantalovim karbidom TaC z vidika izvedbe ni težaven, saj ga je enostavno doseči s sintranjem, CVD in drugimi metodami. Pri metodi sintranja se na površino grafitnega substrata pri visoki temperaturi nanese prah ali predhodnik tantalovega karbida, dodajo aktivne sestavine (običajno kovina) in vezivo (običajno dolgoverižni polimer). S CVD metodo se TaCl5 + H2 + CH4 nanese na površino grafitne matrice pri 900–1500 ℃.
Vendar pa so osnovni parametri, kot so kristalna orientacija tantalovega karbida pri nanašanju, enakomerna debelina filma, sproščanje napetosti med prevleko in grafitnim matriksom, površinske razpoke itd., izjemno zahtevni. Še posebej v okolju rasti silicijevih kristalov je stabilna življenjska doba osrednji parameter, ki je najtežji.
Čas objave: 21. julij 2023