Silisyum karbür kristali büyürken, kristalin eksenel merkezi ile kenarı arasındaki büyüme arayüzünün "ortamı" farklıdır, bu nedenle kenardaki kristal gerilimi artar ve grafit durdurma halkası "karbon"un etkisiyle kristal kenarında "kapsamlı kusurlar" oluşması kolaylaşır; kenar sorununu çözmek veya merkezin etkin alanını ( %95'ten fazla) artırmak önemli bir teknik konudur.
Endüstri tarafından "mikrotübüller" ve "katkı maddeleri" gibi makro kusurların giderek kontrol altına alınması, silisyum karbür kristallerinin "hızlı, uzun ve kalın bir şekilde büyümesine ve yukarı doğru büyümesine" neden olurken, kenar "kapsamlı kusurları" anormal derecede belirgin hale gelir ve silisyum karbür kristallerinin çapı ve kalınlığı arttıkça, kenar "kapsamlı kusurları" çap ve kalınlığın karesiyle çarpılır.
Tantal karbür (TaC) kaplamanın kullanımı, kenar sorununu çözmek ve kristal büyümesinin kalitesini artırmak için yapılır; bu da "hızlı büyüme, kalın büyüme ve yukarı doğru büyüme"nin temel teknik yönlerinden biridir. Endüstri teknolojisinin gelişimini teşvik etmek ve temel malzemelerdeki "ithalat" bağımlılığını çözmek amacıyla Hengpu, tantal karbür kaplama teknolojisinde (CVD) çığır açarak uluslararası ileri seviyeye ulaşmıştır.
Tantal karbür (TaC) kaplama, gerçekleştirilmesi açısından zor değildir; sinterleme, CVD ve diğer yöntemlerle kolayca elde edilebilir. Sinterleme yönteminde, tantal karbür tozu veya öncülü kullanılır, aktif bileşenler (genellikle metal) ve bağlayıcı madde (genellikle uzun zincirli polimer) eklenir ve grafit alt tabakanın yüzeyine yüksek sıcaklıkta sinterlenerek kaplanır. CVD yönteminde ise, TaCl5+H2+CH4, 900-1500℃'de grafit matrisinin yüzeyine biriktirilir.
Ancak, tantal karbür kaplamasının kristal yönlenmesi, düzgün film kalınlığı, kaplama ile grafit matrisi arasındaki gerilim giderme, yüzey çatlakları vb. gibi temel parametreler son derece zorlayıcıdır. Özellikle silikon kristal büyüme ortamında, istikrarlı bir hizmet ömrü temel parametredir ve en zor olanıdır.
Yayın tarihi: 21 Temmuz 2023