Silisyum karbür kristali büyüdüğünde, kristalin eksenel merkezi ile kenar arasındaki büyüme arayüzünün "çevresi" farklıdır, böylece kenardaki kristal gerilimi artar ve grafit durdurma halkası "karbon"unun etkisiyle kristal kenarının "kapsamlı kusurlar" üretmesi kolaydır, kenar sorununu nasıl çözeceğiniz veya merkezin etkili alanını nasıl artıracağınız (%95'ten fazla) önemli bir teknik konudur.
“Mikrotübüller” ve “inklüzyonlar” gibi makro kusurlar endüstri tarafından kademeli olarak kontrol altına alındıkça, silisyum karbür kristallerinin “hızlı, uzun ve kalın büyümesi ve yukarı doğru büyümesi” zorlaştıkça, kenar “kapsamlı kusurlar” anormal derecede belirgin hale gelir ve silisyum karbür kristallerinin çapı ve kalınlığı arttıkça, kenar “kapsamlı kusurlar” çap karesi ve kalınlıkla çarpılır.
Tantal karbür TaC kaplamanın kullanımı, kenar sorununu çözmek ve "hızlı büyüme, kalınlaşma ve yukarı doğru büyüme" temel teknik yönlerinden biri olan kristal büyümesinin kalitesini iyileştirmektir. Endüstri teknolojisinin gelişimini teşvik etmek ve temel malzemelerin "ithalat" bağımlılığını çözmek için Hengpu, tantal karbür kaplama teknolojisini (CVD) çözerek uluslararası ileri seviyeye ulaşmıştır.
Tantal karbür TaC kaplaması, gerçekleştirme perspektifinden zor değildir, sinterleme, CVD ve diğer yöntemlerle elde edilmesi kolaydır. Sinterleme yöntemi, tantal karbür tozu veya öncülünün kullanımı, aktif bileşenler (genellikle metal) ve bağlayıcı madde (genellikle uzun zincirli polimer) eklenmesi, yüksek sıcaklıkta sinterlenmiş grafit alt tabakanın yüzeyine kaplanır. CVD yöntemi ile TaCl5+H2+CH4, 900-1500℃'de grafit matrisinin yüzeyine biriktirildi.
Ancak, tantal karbür birikiminin kristal yönelimi, düzgün film kalınlığı, kaplama ile grafit matris arasındaki gerilim salınımı, yüzey çatlakları vb. gibi temel parametreler son derece zordur. Özellikle sic kristal büyüme ortamında, kararlı bir hizmet ömrü çekirdek parametredir, en zordur.
Gönderi zamanı: 21-Tem-2023