epitaxial de arseniuro-fosfuro de galio

Descrición curta:

Estruturas epitaxiais de arseniuro-fosfuro de galio, similares ás estruturas producidas do substrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para a fabricación de cristais LED vermellos planares.

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalle do produto

Etiquetas do produto

Estruturas epitaxiais de arseniuro-fosfuro de galio, similares ás estruturas producidas do substrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para a fabricación de cristais LED vermellos planares.

parámetro técnico básico
ás estruturas de arseniuro-fosfuro de galio

1, SubstratoGaAs
a. Tipo de condutividade	electrónico
b. Resistividade, ohmios-cm	0,008
c. Orientación cristalina-reticular	(100)
d. Desorientación superficial	(1−3)°

2. Capa epitaxial GaAs1-х Pх
a. Tipo de condutividade	electrónico
b. Contido de fósforo na capa de transición	de х = 0 a х ≈ 0,4
c. Contido de fósforo nunha capa de composición constante	х ≈ 0,4
d. Concentración do portador, cm3	(0,2−3,0)·1017
e. Lonxitude de onda no máximo do espectro de fotoluminescencia, nm	645−673 nm
f. Lonxitude de onda no máximo do espectro de electroluminescencia	650−675 nm
g. Espesor de capa constante, micras	Polo menos 8 nm
h. Grosor da capa (total), micras	Polo menos 30 nm

3 Placa con capa epitaxial
a. Deflexión, micras	Como máximo 100 µm
b. Espesor, micras	360−600 µm
c. Centímetro cadrado	Polo menos 6 cm2
d. Intensidade luminosa específica (despois da difusión de Zn), cd/ampere	Polo menos 0,05 cd/ampere