Gallium arsenide-phosphide epitaxial structures, e tutusa ma fausaga gaosia o le substrate ASP type (ET0.032.512TU), mo le. gaosiga o tioata lanumumu lanumumu planar.
Fa'ailoga fa'apitoa fa'apitoa
i fausaga gallium arsenide-phosphide
| 1, SubstrateGaAs | |
| a. Tulaga amio | faaeletonika |
| e. Resistivity, ohm-cm | 0,008 |
| i. Crystal-latticeorientation | (100) |
| o. Fa'asa'oga sese i luga | (1−3)° |
| 2. Epitaxial layer GaAs1-х Pх | |
| a. Tulaga amio | faaeletonika |
| e. O lo'o iai le phosphorus i totonu o le fa'asologa o suiga | mai le х = 0 i le х ≈ 0,4 |
| i. O lo'o i totonu o le phosphorus i totonu o se vaega o le tu'ufa'atasiga faifai pea | х ≈ 0,4 |
| o. Fa'atonuga o le avefe'au, сm3 | (0,2−3,0)·1017 |
| u. Umi ole galu ile maualuga ole fusi ole photoluminescence, nm | 645−673 nm |
| f. Ole umi ole galu ile maualuga ole alaleo ole electroluminescence | 650−675 nm |
| g. O le mafiafia o le laulau tumau, micron | Le itiiti ifo i le 8 nm |
| h. Layerthickness (total), micron | Le itiiti ifo 30 nm |
| 3 Papatusi ma le epitaxial layer | |
| a. Deflection, micron | E sili atu ile 100 um |
| e. Mafiafia, micron | 360−600 um |
| i. Squarecentimeter | Le itiiti ifo i le 6 cm2 |
| o. Malosi'i fa'amalamalama fa'apitoa (ina ua uma le fa'asalalaugaZn), cd/amp | Le itiiti ifo 0,05 cd/amp |
