gallium arsenide-phosphide epitaxial

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O fausaga epitaxial o le Gallium arsenide-phosphide, e tutusa ma fausaga na gaosia o le ituaiga substrate ASP (ET0.032.512TU), mo le gaosiga o tioata LED mumu lamolemole.

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O fausaga epitaxial o le Gallium arsenide-phosphide, e tutusa ma fausaga na gaosia o le ituaiga substrate ASP (ET0.032.512TU), mo le gaosiga o tioata LED mumu lamolemole.

Fa'avae fa'apitoa fa'avae
i fausaga gallium arsenide-phosphide

1, SubstrateGaAs
a. Ituaiga o le Conductivity	eletise
b. Tete'e, ohm-cm	0,008
c. Fa'atulagaga o le lattice-crystal	(100)
d. Le fa'asinomaga sese o le fogā'ele'ele	(1−3)°

2. Vaega epitaxial GaAs1-х Pх
a. Ituaiga o le Conductivity	eletise
b. O le aofaʻi o le phosphorus i le vaega fesuiaʻi	mai le х = 0 i le х ≈ 0,4
c. O le aofa'i o le phosphorus i totonu o se vaega o le tuufaatasiga tumau	х ≈ 0,4
d. Fa'aputuga o le avefe'au, сm3	(0,2−3,0)·1017
e. Le umi o galu i le maualuga o le photoluminescence spectrum, nm	645−673 nm
f. Le umi o galu i le maualuga o le electroluminescence spectrum	650−675 nm
g. Mafiafia tumau o le vaega, micron	E le itiiti ifo i le 8 nm
h. Mafiafia o le vaega (aofa'i), micron	E le itiiti ifo i le 30 nm

3 Ipu ma le vaega epitaxial
a. Fa'asesēina, maikono	E le sili atu i le 100 um
b. Mafiafia, micron	360−600 um
c. Senetimita faatafafa	E le itiiti ifo i le 6 cm2
d. Malosiaga fa'apitoa o le malamalama (pe a uma ona sosolo le Zn), cd/amp	E le itiiti ifo i le 0.05 cd/amp