Galiý arsenid-fosfid epitaksial gurluşlar, substrat ASP görnüşiniň (ET0.032.512TU) öndürilen gurluşlaryna meňzeýär. planar gyzyl LED kristallaryny öndürmek.
Esasy tehniki parametr
galiý arsenid-fosfid gurluşlaryna
| 1, SubstrateGaAs | |
| a. Geçirijilik görnüşi | elektron |
| b. Çydamlylyk, ohm-sm | 0,008 |
| c. Kristal-berkitme | (100) |
| d. Faceerüsti ýalňyşlyk | (1−3) ° |
| 2. Epitaksial gatlak GaAs1-х Px | |
| a. Geçirijilik görnüşi | elektron |
| b. Geçiş gatlagynda fosforyň düzümi | х = 0-dan х ≈ 0,4 |
| c. Hemişelik kompozisiýa gatlagynda fosforyň düzümi | х ≈ 0,4 |
| d. Daşaýjynyň konsentrasiýasy, сm3 | (0,2−3,0) · 1017 |
| e. Iň köp fotoluminýensiýa spektrinde tolkun uzynlygy, nm | 645−673 nm |
| f. Elektroluminesensiýa spektriniň iň ýokary derejesinde tolkun uzynlygy | 650−675 nm |
| g. Yzygiderli gatlagyň galyňlygy, mikron | Iň azyndan 8 nm |
| sag. Gatlaklyk (jemi), mikron | Iň azyndan 30 nm |
| 3 Epitaksial gatlakly tabak | |
| a. Deflection, mikron | Iň köp 100 um |
| b. Galyňlyk, mikron | 360−600 um |
| c. Kwadratimetr | Iň azyndan 6 sm2 |
| d. Aýratyn ýagtylyk intensiwligi (diffuziýadan soň), cd / amp | Iň azyndan 0,05 cd / amp |
