gallium arsenid-fosfid epitaksial

Gysgaça düşündiriş:

Tekiz gyzyl LED kristallaryny öndürmek üçin ASP görnüşli (ET0.032.512TU) substratyň öndürilen gurluşlaryna meňzeş galliý arsenid-fosfid epitaksial gurluşlary.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Tekiz gyzyl LED kristallaryny öndürmek üçin ASP görnüşli (ET0.032.512TU) substratyň öndürilen gurluşlaryna meňzeş galliý arsenid-fosfid epitaksial gurluşlary.

Esasy tehniki parametr
galliý arsenid-fosfid gurluşlaryna

1, SubstratGaAs
a. Geçirijiligiň görnüşi	elektron
b. Garşylyklylyk, om-sm	0,008
c. Kristal-torly ugur	(100)
d. Ýüziň ýalňyş ugur almagy	(1−3)°

2. Epitaksial gatlak GaAs1-х Pх
a. Geçirijiligiň görnüşi	elektron
b. Geçiş gatlagyndaky fosforyň mukdary	х = 0-dan х ≈ 0,4-e çenli
c. Durnukly düzümli gatlakdaky fosfor mukdary	х ≈ 0,4
d. Daşaýjylaryň konsentrasiýasy, sm3	(0,2−3,0)·1017
e. Fotolüminesensiýa spektriniň maksimumyndaky tolkun uzynlygy, nm	645−673 nm
f. Elektrolüminesensiýa spektriniň maksimumyndaky tolkun uzynlygy	650−675 nm
g. Gatlagyň galyňlygynyň yzygiderliligi, mikron	Iň az 8 nm
h. Gatlak galyňlygy (jemi), mikron	Iň az 30 nm

3 Epitaksial gatlakly plastinka
a. Egrilik, mikron	Iň köp 100 um
b. Galyňlygy, mikron	360−600 um
c. Kwadrat santimetr	Iň az 6 sm2
d. Özboluşly ýagtylyk intensiwligi (diffuziýadan soň Zn), cd/amp	Iň az 0,05 cd/amp