Ko nga hanganga epitaxial Gallium arsenide-phosphide, he rite ki nga hanga hanga o te momo ASP substrate (ET0.032.512TU), mo te. te hanga o nga tioata LED whero maramara.
Tawhā hangarau taketake
ki nga hanganga gallium arsenide-phosphide
| 1, SubstrateGaAs | |
| a. Te momo kawe | hikohiko |
| b. Te parenga, ohm-cm | 0,008 |
| c. Te takotoranga-karaihe | (100) |
| d. Te noho pohehe o te mata | (1−3)° |
| 2. Paparanga Epitaxial GaAs1-х Pх | |
| a. Te momo kawe | hikohiko |
| b. Te ihirangi Phosphorus i roto i te paparanga whakawhiti | mai i te х = 0 ki te х ≈ 0,4 |
| c. Ko te ihirangi Phosphorus i roto i te paparanga o te hanganga tonu | х ≈ 0,4 |
| d. Te kukume kawe, сm3 | (0,2−3,0)·1017 |
| e. Te roangaru i te morahi o te tuāwhiorangi photoluminescence, nm | 645−673 nm |
| f. Te roangaru i te morahi o te hihinga hikohiko | 650−675 nm |
| g. Te matotoru paparanga tonu, micron | I te iti rawa 8 nm |
| h. Paparanga (tapeke), micron | I te iti rawa 30 nm |
| 3 Pereti me te paparanga epitaxial | |
| a. Panuku, micron | I te nuinga 100 um |
| b. Te matotoru, micron | 360−600 um |
| c. Henemita tapawha | Te iti rawa 6 cm2 |
| d. Te kaha maramara motuhake (i muri i te diffusionZn), cd/amp | I te iti rawa 0,05 cd/amp |
