সমতল লাল এলইডি ক্রিস্টাল তৈরির জন্য, সাবস্ট্রেট এএসপি টাইপ (ET0.032.512TU) থেকে উৎপাদিত কাঠামোর অনুরূপ গ্যালিয়াম আর্সেনাইড-ফসফাইড এপিটেক্সিয়াল কাঠামো।
মৌলিক প্রযুক্তিগত পরামিতি
গ্যালিয়াম আর্সেনাইড-ফসফাইড কাঠামোতে
| ১, সাবস্ট্রেটGaAs | |
| ক. পরিবাহিতার ধরণ | ইলেকট্রনিক |
| খ. রোধাঙ্ক, ওহম-সেমি | ০,০০৮ |
| গ. ক্রিস্টাল-ল্যাটিস ওরিয়েন্টেশন | (100) |
| d. পৃষ্ঠের ভুল অভিমুখীকরণ | (১−৩)° |
| ২. এপিট্যাক্সিয়াল স্তর GaAs1-х Pх | |
| ক. পরিবাহিতার ধরণ | ইলেকট্রনিক |
| খ. রূপান্তর স্তরে ফসফরাসের পরিমাণ | х = 0 থেকে х ≈ 0,4 পর্যন্ত |
| গ. একটি স্থির সংযুক্তি স্তরে ফসফরাসের পরিমাণ | х ≈ ০.৪ |
| d. বাহক ঘনত্ব, সেমি³ | (0,2−3,0)·1017 |
| e. আলোকদীপ্তি বর্ণালীর সর্বোচ্চ তরঙ্গদৈর্ঘ্য, nm | ৬৪৫−৬৭৩ এনএম |
| f. তড়িৎ-আলোক বর্ণালীর সর্বোচ্চ তরঙ্গদৈর্ঘ্য | ৬৫০−৬৭৫ nm |
| g. ধ্রুবক স্তরের পুরুত্ব, মাইক্রন | কমপক্ষে ৮ ন্যানোমিটার |
| h. স্তরের পুরুত্ব (মোট), মাইক্রন | কমপক্ষে ৩০ এনএম |
| ৩ এপিট্যাক্সিয়াল স্তর সহ প্লেট | |
| ক. বিচ্যুতি, মাইক্রন | সর্বাধিক ১০০ মাইক্রোমিটার |
| খ. পুরুত্ব, মাইক্রন | ৩৬০−৬০০ মাইক্রোমিটার |
| গ. বর্গসেন্টিমিটার | কমপক্ষে ৬ বর্গ সেমি |
| d. নির্দিষ্ট আলোক তীব্রতা (বিচ্ছুরণের পরে Zn), cd/amp | কমপক্ষে ০.০৫ সিডি/অ্যাম্প |
-
সোনা ও রুপার ঢালাইয়ের ছাঁচ সিলিকন ছাঁচ, সি...
-
উচ্চ বিশুদ্ধ গ্রাফাইট প্লেট উচ্চ তাপমাত্রা এবং...
-
ঐচ্ছিক সুবিধাসহ ৫০ কিলোওয়াট/২০০ কিলোওয়াট-আওয়ার ভ্যানাডিয়াম ফ্লো ব্যাটারি...
-
প্রোটন বিনিময় ঝিল্লি জ্বালানি কোষ উৎপাদন...
-
ভালো হিটিং ইন্ডাকশন ফার্নেস সিলিকন গলানোর জন্য...
-
১০০০ ওয়াট উচ্চ দক্ষতা সম্পন্ন হাইড্রোজেন ফুয়েল সেল মেশিন...