প্ল্যানার লাল LED স্ফটিক তৈরির জন্য, সাবস্ট্রেট ASP ধরণের (ET0.032.512TU) উৎপাদিত কাঠামোর অনুরূপ গ্যালিয়াম আর্সেনাইড-ফসফাইড এপিট্যাক্সিয়াল কাঠামো।
মৌলিক প্রযুক্তিগত পরামিতি
গ্যালিয়াম আর্সেনাইড-ফসফাইড কাঠামোর প্রতি
| ১, সাবস্ট্রেটগাএ | |
| ক. পরিবাহিতা প্রকার | ইলেকট্রনিক |
| খ. প্রতিরোধ ক্ষমতা, ওহম-সেমি | ০,০০৮ |
| গ. স্ফটিক-জালির অভিযোজন | (১০০) |
| ঘ. পৃষ্ঠের ভুল অবস্থান | (১−৩)° |
| 2. এপিট্যাক্সিয়াল স্তর GaAs1-х Pх | |
| ক. পরিবাহিতা প্রকার | ইলেকট্রনিক |
| খ. ট্রানজিশন লেয়ারে ফসফরাসের পরিমাণ | х = 0 থেকে х ≈ 0,4 পর্যন্ত |
| গ. স্থির গঠনের স্তরে ফসফরাসের পরিমাণ | х ≈ ০.৪ |
| ঘ. বাহক ঘনত্ব, сm3 | (০,২−৩,০)·১০১৭ |
| ঙ। আলোক-উজ্জ্বলতা বর্ণালীর সর্বোচ্চ তরঙ্গদৈর্ঘ্য, nm | ৬৪৫−৬৭৩ এনএম |
| চ. তড়িৎ আলোক বর্ণালীর সর্বোচ্চ তরঙ্গদৈর্ঘ্য | ৬৫০−৬৭৫ এনএম |
| ছ। ধ্রুবক স্তর বেধ, মাইক্রন | কমপক্ষে ৮ ন্যানোমিটার |
| জ. স্তর পুরুত্ব (মোট), মাইক্রন | কমপক্ষে ৩০ ন্যানোমিটার |
| ৩টি এপিট্যাক্সিয়াল স্তর সহ প্লেট | |
| ক. বিচ্যুতি, মাইক্রন | সর্বাধিক ১০০ উম |
| খ. পুরুত্ব, মাইক্রন | ৩৬০−৬০০ উম |
| গ. বর্গসেন্টিমিটার | কমপক্ষে ৬ সেমি২ |
| ঘ. নির্দিষ্ট আলোক তীব্রতা (প্রসারণের পরে Zn), cd/amp | কমপক্ষে ০.০৫ সিডি/এম্পিয়ার |
