epitaxial de arseniuro-fosfuro de galio

Descripción breve:

Estructuras epitaxiales de arseniuro-fosfuro de galio, similares a las estructuras producidas del sustrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para la fabricación de cristales LED rojos planares.

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Estructuras epitaxiales de arseniuro-fosfuro de galio, similares a las estructuras producidas del sustrato tipo ASP (ET0.032.512TU), para la fabricación de cristales LED rojos planares.

Parámetros técnicos básicos
a estructuras de arseniuro-fosfuro de galio

1, SustratoGaAs
a. Tipo de conductividad	electrónico
b. Resistividad, ohmios-cm	0,008
c. Orientación de la red cristalina	(100)
d. Desorientación de la superficie	(1−3)°

2. Capa epitaxial GaAs1-х Pх
a. Tipo de conductividad	electrónico
b. Contenido de fósforo en la capa de transición	de х = 0 a х ≈ 0,4
c. Contenido de fósforo en una capa de composición constante	x ≈ 0,4
d. Concentración de portadores, cm3	(0,2−3,0)·1017
e. Longitud de onda en el máximo del espectro de fotoluminiscencia, nm	645−673 nm
f. Longitud de onda en el máximo del espectro de electroluminiscencia.	650−675 nm
g. Espesor de capa constante, micras	Al menos 8 nm
h. Espesor de capa (total), micras	Al menos 30 nm

3 Placa con capa epitaxial
a. Desviación, micras	Como máximo 100 um
b. Espesor, micras	360−600 um
c. Centímetro cuadrado	Al menos 6 cm2
d. Intensidad luminosa específica (después de la difusión de Zn), cd/amp	Al menos 0,05 cd/amp