Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxie

Kurzbeschreibung:

Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrats vom Typ ASP (ET0.032.512TU), für die Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

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Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrats vom Typ ASP (ET0.032.512TU), für die Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

Grundlegende technische Parameter
zu Galliumarsenid-Phosphid-Strukturen

1,SubstratGaAs
a. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
b. Spezifischer Widerstand, Ohm·cm	0,008
c. Kristallgitterorientierung	(100)
d. Oberflächenfehlorientierung	(1−3)°

2. Epitaxiale Schicht GaAs1-x Px
a. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
b. Phosphorgehalt in der Übergangsschicht	von x = 0 bis x ≈ 0,4
c. Phosphorgehalt in einer Schicht konstanter Zusammensetzung	x ≈ 0,4
d. Trägerkonzentration, cm³	(0,2−3,0)·1017
e. Wellenlänge des Maximums im Photolumineszenzspektrum, nm	645–673 nm
f. Wellenlänge am Maximum des Elektrolumineszenzspektrums	650–675 nm
g. Konstante Schichtdicke, Mikrometer	Mindestens 8 nm
h. Schichtdicke (gesamt), Mikrometer	Mindestens 30 nm

3 Platte mit Epitaxieschicht
a. Ablenkung, Mikron	Höchstens 100 µm
b. Dicke in Mikron	360–600 µm
c. Quadratzentimeter	Mindestens 6 cm²
d. Spezifische Lichtstärke (nach Diffusion von Zn), cd/A	Mindestens 0,05 cd/A