Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxie

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Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrattyps ASP (ET0.032.512TU), zur Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

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Galliumarsenid-Phosphid-Epitaxiestrukturen, ähnlich den hergestellten Strukturen des Substrattyps ASP (ET0.032.512TU), zur Herstellung planarer roter LED-Kristalle.

Grundlegende technische Parameter
zu Galliumarsenid-Phosphid-Strukturen

1,SubstratGaAs
a. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
b. Spezifischer Widerstand, Ohm-cm	0,008
c. Kristallgitterorientierung	(100)
d. Oberflächenfehlorientierung	(1−3)°

2. Epitaxieschicht GaAs1-х Pх
a. Leitfähigkeitstyp	elektronisch
b. Phosphorgehalt in der Übergangsschicht	von х = 0 bis х ≈ 0,4
c. Phosphorgehalt in einer Schicht konstanter Zusammensetzung	х ≈ 0,4
d. Trägerkonzentration, cm3	(0,2−3,0)·1017
e. Wellenlänge am Maximum des Photolumineszenzspektrums, nm	645–673 nm
f. Wellenlänge im Maximum des Elektrolumineszenzspektrums	650–675 nm
g. Konstante Schichtdicke, Mikron	Mindestens 8 nm
h. Schichtdicke (gesamt), Mikron	Mindestens 30 nm

3 Platte mit epitaktischer Schicht
a. Durchbiegung, Mikron	Höchstens 100 µm
b. Dicke, Mikron	360−600 um
c. Quadratzentimeter	Mindestens 6 cm2
d. Spezifische Lichtstärke (nach DiffusionZn), cd/amp	Mindestens 0,05 cd/A